内藤正路 (Masamichi Naitoh) - マイポータル

基本情報

所属: 九州工業大学大学院工学研究院電気電子工学研究系教授

学位: 博士(工学)(大阪大学)

J-GLOBAL ID: 200901079026187161
researchmap会員ID: 1000188351

外部リンク: http://www.surf.ele.kyutech.ac.jp/

研究分野

経歴

2013年 - 2017年

九州工業大学大学院生命体工学研究科生体機能専攻教授
2013年 - 2017年

Professor,Department of Biological Functions and Engineering,Graduate School of Life Science and Systems Engineering,Kyushu Institute of Technology
2017年

九州工業大学大学院工学研究院電気電子工学研究系教授
2017年

Professor,Department of Electrical Engineering and Electronics,Faculty of Engineering,Kyushu Institute of Technology

学歴

委員歴

受賞

2001年

日本真空協会第10回真空進歩賞
2001年

VSJ The Vacuum Progress Award

MISC

188

Effect of ion-beam irradiation on the epitaxial growth of graphene via the SiC surface decomposition method

Junko Ishii, Yasuhiro Miyawaki, Takayuki Yamasaki, Tomonori Ikari, Masamichi Naitoh

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(8) 085104 2017年8月
Effect of ion-beam irradiation on the epitaxial growth of graphene via the SiC surface decomposition method

Junko Ishii, Yasuhiro Miyawaki, Takayuki Yamasaki, Tomonori Ikari, Masamichi Naitoh

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(8) 085104 2017年8月
The thermal radiation effect of substrate on nano-microsized particles levitating in low-pressure reactive plasmas

Tatsuzo Nagai, Masamichi Naitoh, Fumiya Shoji

Applied Materials Today 7 185-189 2017年6月1日
The thermal radiation effect of substrate on nano-microsized particles levitating in low-pressure reactive plasmas

Tatsuzo Nagai, Masamichi Naitoh, Fumiya Shoji

Applied Materials Today 7 185-189 2017年6月1日
Electronic structure of MePc/Si(100) surface studied using metastable-atom induced electron spectroscopy

Tomonori Ikari, Kohei Matsuo, Shohei Uesugi, Daichi Todo, Junko Ishii, Masamichi Naitoh

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 14 141-143 2016年5月7日
Electronic structure of MePc/Si(100) surface studied using metastable-atom induced electron spectroscopy

Tomonori Ikari, Kohei Matsuo, Shohei Uesugi, Daichi Todo, Junko Ishii, Masamichi Naitoh

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 14 141-143 2016年5月7日
Growth of graphene on SiC(111) surfaces via ion-beam irradiation

Junko Ishii, Yasuhiro Miyawaki, Naoya Tsuboi, Tomonori Ikari, Masamichi Naitoh

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 14 121-124 2016年4月9日
Growth of graphene on SiC(111) surfaces via ion-beam irradiation

Junko Ishii, Yasuhiro Miyawaki, Naoya Tsuboi, Tomonori Ikari, Masamichi Naitoh

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 14 121-124 2016年4月9日
Oxidation at Cs pre-Adsorbed Si/6H-SiC(0001)-(3 × 3) reconstructed surfaces studied using metastable-induced electron spectroscopy

T. Ikari, T. Nakamura, K. Hirayama, K. Muraoka, J. Ishii, M. Naitoh

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 14 103-106 2016年4月2日
First-principles calculation study of epitaxial graphene layer on 4H-SiC (0001) surface

Junko Ishii, Shigenori Matsushima, Hiroyuki Nakamura, Tomonori Ikari, Masamichi Naitoh

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 14 107-112 2016年4月2日
Oxidation at Cs pre-adsorbed Si/6H-SiC(0001)-(3 × 3) reconstructed surfaces studied using metastable-induced electron spectroscopy

Tomonori Ikari, Takuto Nakamura, Kaede Hirayama, Kousuke Muraoka, Junko Ishii, Masamichi Naitoh

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 14 103-106 2016年4月2日
First-principles calculation study of epitaxial graphene layer on 4H-SiC (0001) surface

Junko Ishii, Shigenori Matsushima, Hiroyuki Nakamura, Tomonori Ikari, Masamichi Naitoh

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 14 107-112 2016年4月2日
New Measurement Base De-embedded CPU Load Model for Power Delivery Network Design

Motochika Okano, Koji Watanabe, Masamichi Naitoh, Ichiro Omura

2015 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON POWER ELECTRONICS AND ECCE ASIA (ICPE-ECCE ASIA) 2288-2293 2015年
New Measurement Base De-embedded CPU Load Model for Power Delivery Network Design

Motochika Okano, Koji Watanabe, Masamichi Naitoh, Ichiro Omura

2015 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON POWER ELECTRONICS AND ECCE ASIA (ICPE-ECCE ASIA) 2288-2293 2015年
SiC表面へのイオンビーム照射を用いたカーボンナノチューブ生成の制御

瀬尾甲太郎, 高松草平, 近藤利紀, 碇智徳, 内藤正路

Journal of the Vacuum Society of Japan 57(5) 182-184 2014年
鉛直柱状プラズマシースにおける球状カーボン微粒子の成長

中山泰輔, 菅祐志, 長友和輝, 碇智徳, 内藤正路, 長井達三, 生地文也

Journal of the Vacuum Society of Japan 57(4) 155-158 2014年
SOI基板を用いたグラフェン形成に関する研究

枝元太希, 早久和希, 岡野資睦, 坪井直也, 碇智徳, 中尾基, 内藤正路

Journal of the Vacuum Society of Japan 57(4) 144-146 2014年
Ion-Beam Irradiation Effect in the Growth Process of Graphene on Silicon Carbide-on-Insulator Substrates

M. Okano, D. Edamoto, K. Uchida, I. Omura, T. Ikari, M. Nakao, M. Naitoh

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2 778-780 1170-+ 2014年
Growth control of carbon nanotubes using ion-beam irradiation effect in the SiC surface decomposition method

Kotaro Seo, Sohei Takamatsu, Toshinori Kondo, Tomonori Ikari, Masamichi Naitoh

Journal of the Vacuum Society of Japan 57(5) 182-184 2014年
Growth of spherical carbon particles in the vertically excited columnar plasma sheath

Taisuke Nakayama, Yuji Suga, Kazuki Nagatomo, Tomonori Ikari, Masamichi Naitoh, Tatsuzo Nagai, Fumiya Shoji

Journal of the Vacuum Society of Japan 57(4) 155-158 2014年