澤邊厚仁 (Atsuhito SAWABE) - マイポータル

基本情報

学位: 工学博士(1986年3月青山学院大学)

研究者番号: 70187300
J-GLOBAL ID: 200901032092107733
researchmap会員ID: 1000193832

研究分野

経歴

2007年10月 - 現在

AGDマテリアル株式会社 (代表取締役社長)
2007年10月 - 現在

AGDマテリアル株式会社代表取締役社長
1999年4月 - 2024年3月

青山学院大学, 理工学部電気電子工学科, 教授
2007年8月 - 2009年7月

文部科学省 (選定委員)
2007年8月 - 2009年7月

文部科学省選定委員
2007年4月 - 2009年3月

独立行政法人物質・材料研究機構 (リサーチアドバイザー)
2006年4月 - 2009年3月

東京大学生産技術研究所, 研究員・ポスドク (研究員)
2005年4月 - 2005年9月

東北大学, 多元物質科学研究所, 非常勤講師
2004年10月 - 2005年3月

東北大学, 多元物質科学研究所, 非常勤講師
2004年4月 - 2005年3月

東京大学生産技術研究所, 研究員・ポスドク (客員研究員)
2002年10月 - 2003年3月

東北大学, 多元物質科学研究所, 非常勤講師
1999年4月 - 2001年3月

科学技術庁無機材質研究所, 研究員・ポスドク (客員研究官(特別研究官))
1999年4月 - 2001年3月

科学技術庁無機材質研究所客員研究官(特別研究官)
1995年4月 - 1999年3月

青山学院大学, 理工学部電気電子工学科, 助教授
1996年10月 - 1997年3月

東京大学, 大学院工学系研究科, 非常勤講師
1993年4月 - 1995年3月

(株)東芝研究開発センター材料デバイス第2研究所, 研究員・ポスドク (研究員)
1988年3月 - 1993年3月

(株)東芝総合研究所金属セラミック材料研究所 ((1990年4月1日研究主務))
1988年3月 - 1993年3月

(株)東芝総合研究所金属セラミック材料研究所 (1990年4月1日研究主務)
1989年4月 - 1989年9月

青山学院大学, 理工学部, 非常勤講師
1986年4月 - 1988年2月

青山学院大学, 理工学部電気電子工学科, 助手

学歴

1983年4月 - 1986年3月

青山学院大学大学院, 理工学研究科, 電気電子工学専攻
1981年4月 - 1983年3月

青山学院大学大学院, 理工学研究科, 電気電子工学専攻
1977年4月 - 1981年3月

青山学院大学, 理工学部, 電気電子工学科

受賞

2012年11月

第26回ダイヤモンドシンポジウム優秀ポスター賞
2012年3月

第31回応用物理学会講演奨励賞
2011年8月

フェロー表彰, 応用物理学会
2010年11月

青山学院学術褒賞, 高品質・大面積エピタキシャルダイヤモンド基板の開発と新しいダイヤモンド産業の創出, 学校法人青山学院
2010年3月

第28回応用物理学会講演奨励賞
2007年6月

全国発明表彰発明賞, 日本発明協会
2005年11月

第19回ダイヤモンドシンポジウム優秀ポスター賞
2005年10月

地方発明表彰(神奈川支部長賞), 日本発明協会
2005年3月

第17回応用物理学会講演奨励賞
2003年3月

第14回応用物理学会講演奨励賞
2002年12月

青山学院特別表彰
2001年12月

青山学院特別表彰
2001年11月

第15回ダイヤモンドシンポジウム優秀ポスター賞
2001年6月

恩賜賞
1999年11月

第13回ダイヤモンドシンポジウム優秀ポスター賞
1999年10月

地方発明表彰(神奈川県知事賞)
1998年11月

第12回ダイヤモンドシンポジウム優秀ポスター賞
1998年3月

第4回応用物理学会講演奨励賞
1996年5月

科学技術庁注目発明賞
1994年4月

科学技術庁注目発明賞

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論文

Fabrication of freestanding heteroepitaxial diamond substrate via micropatterns and microneedles

Hideo Aida, Seong-Woo Kim, Kenjiro Ikejiri, Yuki Kawamata, Koji Koyama, Hideyuki Kodama, and Atsuhito Sawabe

035504 2016年9月
Epitaxial growth and electrochemical transfer of graphene on Ir(111)/α-Al2O3(0001)substrates

Shinji Koh, Yuta Saito, Hideyuki Kodama, and Atsuhito Sawabe

109(2) 2016年
Dislocation in heteroepitaxial diamond visualized by hydrogen plasma eching

K Ichikawa, H Kodama, K suzuki, A Sawabe

600 142-145 2016年
イリジウム下地を用いたエピタキシャルダイヤモンドウェーハの作製

澤邊厚仁, 児玉英之

応用物理（応用物理学会） 622-627 2015年7月
Wefer bowing control free-standing heteroepitaxial diamond(100) films grown on Ir(100) substrates via patterned nucleation growth

Taro Yooshikawa, Hideyuki Kodama, Shozo Kono, Kazuhiro Suzuki, Atsuhito Sawabe

594 120-128-128 2015年
Overgrowth of diamond layers on diamond microneedles:New concept for freestanding diamond substrate by heteroepitaxy

Hideo Aida, Kenjiro Ikejiri, Seong-woo Kim, Koji Koyama, Yuki Kawamata, Hideyuki Kodama, and Atsuhito Sawabe

2015年
Imazing of diamond defect sites by electron-beam-induced current

59(59) 54-61-61 2015年
Direct determination of the barrier height of Ti-based ohmic contact on p-type diamond(001)

S.Kono, T.Teraji, H.Kodama, S.Ohnisi, A.Sawabe

60 117-122-122 2015年
ダイヤモンド薄膜の合成と応用～へテロエピタキシャルダイヤモンドの現状と展望

児玉英之, 澤邊厚仁

化学と工業（日本化学会） 980-982 2014年11月
Electron spectro-microscopic determination of barrier hight and spatial distribution of Au and Ag Schottky junction on boron-doped diamond(001)

53(5) 2014年4月査読有り
ヘテロエピタキシャル成長ダイヤモンド基板の実用化（材質から材料へ）

*澤邊厚仁, 児玉英之

ニューダイヤモンド 108(1) 11-13-13 2013年1月
イリジウム下地表面への選択成長法を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンドの作製（高品質ダイヤモンド実現に向けた取り組み）

*澤邊厚仁, 安藤豊, 鈴木一博, 児玉英之, 桑原潤史, 前田真太郎, 鎌野崇, 市原幸雄, 鷲山瞬, 篠崎元太 …

日本結晶成長学会誌 179-184 2013年1月
Epitaxial Lateral Overgrowth of Diamonds on Iridium by Patterned Nucleation and Growth Method

Y.Ando, T.Kamano, K.Suzuki, A.Sawabe

2012年8月査読有り
Electron Spectroscopic Determination of Electronic Structures of Phosphorus-Doped n-Type Heteroepitaxial Diamond (001) Surface and Junction

Shozo Kono, Takuya Nohara, Satoshi Abe, Hideyuki Kodama, Kazuhiro Suzuki, Satoshi Koizumi, Tadashi Abukawa, Atsuhito Sawabe

Japanese Journal of Applied Physics 51(2012)090109 2012年8月
Coalescence of Epitaxial Lateral Overgrowth-Diamond on Stripe-Patterned Nucleation on Ir/MgO(001)

Shun Washiyama, Seiji Mita, Kazuhiro Suzuki, and *Atsuhito Sawabe

Applied Physics Express 4(2011)095502 2011年8月
へテロエピタキシャルダイヤモンド基板の開発とそのデバイス化

澤邊, 児玉, 鷲山, 日高, 阿部, 市原, 古滝, 小山, 大山, 石垣 …

表面化学 163-169 2011年3月
Investigation of heterostructure between diamond and iridium on sapphire

A.Samoto, S.Ito, A.Hotta, T.Hasebe, Y.Ando, A.Sawabe, T.Suzuki

1039-1044 2008年10月
直径1インチIr基板へのエピタキシャルダイヤモンド成長

前田真太郎, 安藤豊, 鈴木一博, 澤邊厚仁

NEW DIAMOND(ニューダイヤモンドフォーラム) 24-25 2006年7月
「Ir(001)基板上にエピタキシャル成長したダイヤモンド薄膜の微細構造」

中村新一, *澤邊厚仁, 桑原潤史

『まてりあ』特集『電子顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(4)』 43 1012 2004年12月
““Nano-rods”of single crystalline diamond”

Y.Ando, Y.Nishibayashi, A.Sawabe

(Elsevier Science) 13 633-637 2004年12月1日

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MISC

Electron Spectroscopic Determination of Electronic Structures of Phosphorus-Doped n-Type Heteroepitaxial Diamond (001) Surface and Junction

Shozo Kono, Takuya Nohara, Satoshi Abe, Hideyuki Kodama, Kazuhiro Suzuki, Satoshi Koizumi Tadashi Abukawa, and *Atsuhito Sawabe

Japanese Journal of Applied Physics 51(2012)090109(9) 090109.1-090109.10 2012年8月
“Effect of bias treatment in the CVD diamond growth on Ir(001)”

S.Kono, T.Takano, T.Goto, Y.Ikejima, M.Shiraishi, T.Abukawa, T.Yamada, *A.Sawabe

(Elsevier Science) 13(11-12) 2081-2087-2087 2004年12月1日
“Relationship between Orientation and Ferroelectric Properties in Ir/PZT/Ir Epitaxial Capacitor”

K.Okuwada, J.Ishida, T.Yamada, *A.Sawabe and K.Saito

Proceedings of International Joint Conference on the Applications of Ferroelectrics 2002(IEEE) 115-118 2003年5月

書籍等出版物

Physics and Applications of CVD Diamond

(担当:共著)

2008年8月
『応用物理用語大辞典』(応用物理学会編編集委員長菅野卓雄 (東洋大))「薄膜,表面物理関連36単語」

*澤邊厚仁他 269名 (担当:共著)

(オーム社) 1998年3月
『応用物理データブック』第6章・第24～27節

(丸善(株)) 1994年9月
『ダイヤモンド薄膜』

共著犬塚直夫 (担当:共著)

(産業図書) 1987年9月

講演・口頭発表等

262

格子状核発生領域を用いたダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長

〇市川公善, 児玉英之, 鈴木一博, 澤邊厚仁

第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年3月11日
CVDダイヤモンド表面伝導層のバンドダイヤグラム：表面直下の下向きバンド曲がりの再確認

〇河野省三, 竹内大輔, 児玉英之, 澤邊厚仁

第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年3月11日
ダイヤモンド(001)表面上のオーミック電極の障壁高さ

○河野省三, 寺地徳之, 市川公善, 児玉英之, 澤邊厚仁

第28回ダイヤモンドシンポジウム 2014年11月21日
(111)基板上の模型ｐ-ｎ接合ダイオードの作製と評価

○佐藤一樹, 岩崎孝之, 清水麻希, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 竹内大輔, 山崎聡, 中村新一, 澤邊厚仁, 波多野睦子

第28回ダイヤモンドシンポジウム 2014年11月21日
選択成長法によるIr(001)/α-Al2O3(1120)への高品質エピタキシャルダイヤモンド膜の作製

○日比谷篤, 澤邊厚仁, 児玉英之, 鈴木一博, 河野省三

第28回ダイヤモンドシンポジウム 2014年11月19日
格子状核発生領域を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンド作製

○黒根健吾, 児玉英之, 鈴木一博, 河野省三, 澤邊厚仁

第28回ダイヤモンドシンポジウム 2014年11月19日
パターン加工したサファイヤ(0001)へのエピタキシャルダイヤモンド膜の作製

○瀬戸康二, 児玉英之, 鈴木一博, 池尻憲次朗, 川又友喜, 河野省三, 澤邊厚仁

第28回ダイヤモンドシンポジウム 2014年11月19日
ヘテロエピタキシャルダイヤモンドの横方向成長過程における結晶面制御と欠陥伝搬

○市川公善,児玉英之,鈴木一博,澤邊厚仁

第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年9月17日
XPDによる絶縁物表面原子配列評価のための簡単な表面処理

○河野省三,児玉英之,澤邊厚仁

第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月19日
通電加熱陰極を用いた直流プラズマCVD装置によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの長時間成長

○池田仁美,市川公善,児玉英之,鈴木一博,河野省三,澤邊厚仁

第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月18日
熱混酸およびVUVオゾン処理ダイヤモンド(001)表面の酸素被覆量と構造

○河野省三,寺地徳之,児玉英之,澤邊厚仁

第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月18日
ダイヤモンド(001)表面の金オーミック電極の障壁高さ

○河野省三,寺地徳之,市川公善,児玉英之,澤邊厚仁

第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月18日
エッチピット法によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの欠陥評価Ⅴ

○市川公善,児玉英之,鈴木一博,澤邊厚仁

第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月18日
熱混酸処理ダイヤモンド（001）表面の酸素皮膜量と構造：XPS,XPG研究

○河野省三, 児玉英之, 澤邊厚仁

第27回ダイヤモンドシンポジウム 2013年11月22日
エッチピット法によるへテロエピエピタキシャルダイヤモンドの欠陥評価Ⅱ

○市川公善, 児玉英之, 鈴木一博, 河野省三, 澤邊厚仁

第27回ダイヤモンドシンポジウム 2013年11月21日
結晶面制御による高速横方向成長ダイヤモンド膜の接合領域の結晶性改善

○木村清貴, 児玉英之, 鈴木一博, 河野省三, 澤邊厚仁

第27回ダイヤモンドシンポジウム 2013年11月20日
P型ダイヤモンド（001）基板上のAu,Agショットキー障壁高さとその空間分布の電子顕微鏡分光研究

○河野省三, 児玉英之, 市川公善, 吉川太朗, 虻川匡司, 澤邊厚仁

第27回ダイヤモンドシンポジウム 2013年11月20日
線状核発生領域の細線化によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの高品質化-2 -転位密度の評価-

○野崎元太,児玉英之,鈴木一博,河野省三,澤邊厚仁

第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年9月18日
エッチピット法によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの欠陥評価Ⅳ

○市川公善,児玉英之,鈴木一博,澤邊厚仁

第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年9月18日
Epitaxial diamond substrate grown on iridium: History, status and future

1ｓｔ French-Japanese Workshop on Diamond power devices 2013年6月19日招待有り

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所属学協会

1998年9月 - 現在

日本応用磁気学会
1986年4月 - 現在

ニューダイヤモンドフォーラム
1984年5月 - 現在

電子通信学会(現電子情報通信学会)
1982年1月 - 現在

応用物理学会
1981年1月 - 現在

電気学会

Works(作品等)

ヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板の開発と応用問題

児玉英之, 阿部諭, 鷲山瞬, 古滝敏郎, 大山幸希, 吉川博道, 石垣哲孝, 武藤勝彦

2010年7月その他
「平成14年度「炭素系高機能材料技術の研究開発」における電気的高機能材料の創製プロセス技術に関する調査研究」

*澤邊厚仁(調査委員長), 河野省三, 山田貴寿, 井上憲一, 今井貴浩, 北川雅俊, 酒井忠司

2003年3月その他

共同研究・競争的資金等の研究課題

学術貢献活動

(特別研究員)客員研究員(独立行政法人物質・材料研究機構)

その他

独立行政法人物質・材料研究機構 2002年4月 - 2006年3月
(特別研究員)客員研究員(東京大学生産技術研究所)

その他

東京大学 2002年4月 - 2005年3月
(特別研究員)客員研究官(科学技術庁物質・材料研究機構)

その他

科学技術庁 2001年4月1日 - 2002年3月31日
(特別研究員)客員研究官(東京大学生産技術研究所)

その他

東京大学 2001年4月1日 - 2002年3月31日
(特別研究員)客員研究官(特別研究官)(科学技術庁無機材質研究所)

その他

科学技術庁 2000年4月1日 - 2001年3月31日
(特別研究員)客員研究官(科学技術庁無機材質研究所)

その他

科学技術庁 1999年4月 - 2000年3月
(特別研究官)客員研究官(科学技術庁無機材質研究所)

その他

科学技術庁 1997年7月9日 - 1998年3月31日

社会貢献活動

㈱MYU発行 New Diamond and Frontier Carbon Technology (学術誌)Editor-in-chief

その他

New Diamond and Frontier Carbon Technology 2003年6月 - 2007年12月