論文

査読有り
2011年5月20日

Local Structure around Mn Atoms in IV-VI Ferromagnetic Semiconductor Ge0.6Mn0.4Te Investigated by X-ray Fluorescence Holography

Japanese Journal of Applied Physics
  • N. Happo
  • ,
  • Y. Takehara
  • ,
  • M. Fujiwara
  • ,
  • K. Tanaka
  • ,
  • S. Senba
  • ,
  • S. Hosokawa
  • ,
  • K. Hayashi
  • ,
  • W. Hu
  • ,
  • M. Suzuki
  • ,
  • H. Asada

50
5
開始ページ
05FC11
終了ページ
1 - 05FC11-2
記述言語
英語
掲載種別
研究論文(学術雑誌)
DOI
10.1143/JJAP.50.05FC11

スピントロニクス材料として期待されるIV-VI族強磁性半導体Mn1-xGexTeのMn原子周辺の局所構造(原子配位)についてX線蛍光ホログラフィで解析した.Mn原子の周りにTe負イオンから成るfcc副格子構造が確認された.Mn原子の位置は安定しているが周りの正イオン(Ge)の位置は大きく変動しており欠損している箇所も観察された.

リンク情報
DOI
https://doi.org/10.1143/JJAP.50.05FC11
Web of Science
https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=JSTA_CEL&SrcApp=J_Gate_JST&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=WOS:000290789000029&DestApp=WOS_CPL
ID情報
  • DOI : 10.1143/JJAP.50.05FC11
  • ISSN : 0021-4922
  • Web of Science ID : WOS:000290789000029

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