大坪睦之 (Mutsuyuki Otsubo) - マイポータル

基本情報

所属: 旧所属和歌山大学教育学部教授

学位: 工学博士(東北大学)

J-GLOBAL ID: 200901008272458897
researchmap会員ID: 1000223742

研究キーワード

研究分野

経歴

1997年

- 和歌山大学・教育学部教授
1997年

- Professor, Faculty of Education,
和歌山大学

MISC

Chemical Etching Rate,Schottky Barrier Height, and Specific Contact Resistance Dependence on Crystal Face in n-Type 6H-SiC

Bulletin of The Faculty of Education, Wakayama University -Natural Science- 54 33-42 2004年
A Study on AuZn Ohmic Contacts to p-Type Indium Phosphide

BULLETIN OF THE FACULTY OF EDUCATION, WAKAYAMA UNIVERSITY-NATURAL SCIENCE- No. 53, pp. 31-39 2003年
A study on AuZn Ohmic Contacts to p-Type Indium Phosphide

Bulletin of The Faculty of Education, Wakayama University -Natural Science- 53 31-39 2003年
AuZnによるP型InPへのオ－ム性電極

第62回応用物理学会学術講演会講演予稿集 12aZF7 2001年
Selective area chemical beam epitaxial regrowth of Si-doped GaAs by using silicon tetraiodide for field effect transistor application

S Izumi, Y Yamamoto, T Kunii, S Miyakuni, N Hayafuji, K Sato, M Otsubo

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 175(Pt.1) 404-410 1997年5月
Mechanism for Deposition of SiF₄ from an SiO₂ Film Surface in HF Solutions.

Tomoki Oku, Kazuhiko Sato, Mutsuyuki Otsubo

Japanese Journal of Applied Physics. 36(3B) 1374-1379 1997年
A single-chip GaAs RF transceiver for 1.9-GHz digital mobile communication systems

K Yamamoto, K Maemura, N Kasai, Y Yoshii, Y Miyazaki, M Nakayama, N Ogata, T Takagi, M Otsubo

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS 31(12) 1964-1973 1996年12月
A new GaAs negative voltage generator for a power amplifier applied to a single-chip T/R-MMIC front-end

K Yamamoto, K Maemura, N Kasai, Y Yoshii, Y Miyazaki, M Nakayama, N Ogata, T Takagi, M Otsubo

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E79C(12) 1741-1750 1996年12月
Evaluation of molecular beam epitaxially grown AlGaAs/GaAs heterojunctions for bipolar transistor with InGaAs emitter contact layer

S Izumi, M Sakai, T Shimura, N Hayafuji, K Sato, M Otsubo

APPLIED PHYSICS LETTERS 69(17) 2516-2518 1996年10月
Narrow-beam and power-penalty-free 1.3-mu m laser diodes with monolithically integrated waveguide lens formed by selective-area epitaxial growth

A Takemoto, Y Miyazaki, K Shibata, K Matsumoto, Y Hisa, K Goto, T Itagaki, T Takiguchi, E Omura, M Ohtsubo

IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS 8(3) 325-327 1996年3月
An AlGaAs/InGaAs pseudomorphic HEMT modulator driver IC with low power dissipation for 10 Gb/s optical transmission systems

M Miyashita, M Shimada, N Yoshida, Y Kojima, T Kitano, N Higashisaka, J Nakagawa, T Takagi, M Otsubo

1996 IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM DIGEST, VOLS 1-3 1433-1436 1996年
Mechnism for Desorption of SiH4 from SiO2 Film Surface in HF Solutions

Extended Abstract of International Conference on Solid State Devices and Materials 353-355 1996年
Fine Pitch Control in EB Lithography for Semiconductor Laser Grating Formation

Proceeding of the International Society for Optical Engineering/Society of Photo-Optical Insurumentation Engineers 2723 170-179 1996年
The study on highly reliable 685nm 50mW visible lasers with Zn-diffused windows

H Tada, K Harada, A Shima, S Yamamura, M Kato, T Motoda, Y Nagai, K Nagahama, M Otsubo, M Aiga

LASER DIODES AND APPLICATIONS II 2682 116-124 1996年
A Multi-State MMIC Phase Shifter

Applied Physics Letters 68 3102-3104 1996年
Chemicl Beam Epitaxial Growth of Si-doped GaAs and InP by using Silicon Tetraiodide

The Institute of Electronics, Informations and Communications Engineers E39-C 650-656 1996年
CHARACTERISTICS OF LASER-DIODES WITH A PARTIALLY INTERMIXED GAAS-ALGAAS QUANTUM-WELL

Y NAGAI, K SHIGIHARA, S KARAKIDA, S KAKIMOTO, M OTSUBO, K IKEDA

IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS 31(8) 1364-1370 1995年8月
0.78- AND 0.98-MU-M RIDGE-WAVE-GUIDE LASERS BURIED WITH ALGAAS CONFINEMENT LAYER SELECTIVELY GROWN BY CHLORIDE-ASSISTED MOCVD

A SHIMA, H KIZUKI, A TAKEMOTO, S KARAKIDA, M MIYASHITA, Y NAGAI, T KAMIZATO, K SHIGIHARA, A ADACHI, E OMURA …

IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS 1(2) 102-109 1995年6月
UNIFORM AND HIGH-POWER CHARACTERISTICS OF ALGAINP VISIBLE LASER-DIODES AND THEIR 4-ELEMENT ARRAYS FABRICATED ON A 3-INCH PHI-WAFER

A SHIMA, M KATO, Y NAGAI, T MOTODA, T NISHIMURA, E OMURA, M OTSUBO

IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS 1(2) 734-740 1995年6月
FABRICATION OF BROAD-AREA LASER-DIODES ON A 3-INCH WAFER BY A SOLID-PHASE DIFFUSION METHOD

Y NAGAI, K SHIGIHARA, H SAITO, H WATANABE, S KARAKIDA, M OTSUBO, K IKEDA

IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS 7(5) 464-466 1995年5月

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所属学協会

応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

Study on the Properties of the SiC/oxide Interface

2004年 - 2006年
Study on the Properties of Silicon Carbide

2001年 - 2006年
Study on the Properties of Silicon Carbide

2001年 - 2006年
Study on Preparation and Properties of Compound Semiconductor Materials

1997年 - 2005年
Study on Optoelectronic Devices

1997年 - 2000年
Study on Microwave and Millimeterwave Field Effect Transistor

1997年 - 2000年
化合物半導体光デバイスに関する研究
マイクロ波帯・ミリ波帯トランジスタに関する研究
化合物半導体物性に関する研究