大槻 修

微小重力下におけるGaAsのGa溶液からの成長 

日本結晶成長学会誌 21(4) 56 1994年  

GASを利用した化合物半導体結晶成長実験 

日本マイクログラビティ応用学会誌 9(4) 247 1992年  

Molecular-dynamics Simulations for Molecular-beam Epitaxy 

Phy. Rev. B 39(13) 9476 1989年  

エレクトロニクス材料開発への宇宙環境利用 

月刊機械振興 19(4) 27 1986年  

A Meander Channel CCD Linear Image Sensor 

IEEE Trans on Electron Devices 25(2) 140-144 1978年  

Properties of Metal-Borosilicate Glass-InSb Oxide-p-Type InSb Structurs 

Japan. J. Appl. Phys. 16 1473 1977年  

n-Type GaAs MIS Structures 

phys. stat. sol(a) 42(1) K25-K27 1977年  

CCD With Meander Channel 

Japan. J. Appl. Phys. Suppl 16 379 1977年  

Designing of a Buried-Channel Charge-Coupled-Device 

Japan. J. Appl. Phys 15 909 1976年  

CCD With Meander Channel 

Japan. J. Appl. Phys. 15(6) 1173 1976年  

The Operation Mode in a Buried-Channel Charge-Coupled-Device 

Japan. J. Appl. Phys 14 1629 1975年  

Narrow Gap半導体の結晶成長 

応用物理 43(6) 562 1974年  

Crystal Growth of Narrow Gap Semiconductors 

43(6) 562 1974年  

Electronic Conduction in Heavy Mass Valence Band in Semiconducting Ng_1-xCd_xTe 

The 1973 Int. Conf. The Physics of Semimetals and Narrowgap Semiconductors (9) 10 1973年  

The Crystal Growth of Homogeneous Hg_1-xCd_xTe By Bridgeman Met hod 

Japan. J. Appl. Phys 11 273 1972年  

Crystal Growth of Homogeneous Hg_1-xCd_xTe Using Te as a Solven t 

J. Crystal Growth (Proc. 3rd Int. Conf. Crystal Growth) 13-14 668 1972年  

Hg_1-xCd_xTe研究の現況 

応用物理 40(7) 788 1971年  

Hall Effect in Hg_1-xCd_xTe 

Japan. J. Appl. Phys 10 1746 1971年