曽根川富博 (Sonegawa Tomihiro) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 琉球大学工学部電気電子工学科助教

学位: 工学博士(長岡技術科学大学)

J-GLOBAL ID: 200901020556017947
researchmap会員ID: 1000224160

研究キーワード

2

研究分野

1

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

経歴

2

2007年4月

- , 琉球大学工学部電気電子工学科助教
2007年4月

- , University of the Ryukyus, Faculty of Engineering Department of Electrical and Electronics Engineering, Research Associate

MISC

14

低誘電率（Low-k)熱酸化陽極化成Siの作製と誘電特性の評価

曽根川富博, 上原和浩, 前濱剛廣

電子情報通信学会論文誌C 94(10) 316-322 2011年
低誘電率（Low-k)熱酸化陽極化成Siの作製と誘電特性の評価

曽根川富博, 上原和浩, 前濱剛廣

電子情報通信学会論文誌C 94(10) 316-322 2011年
Ferroelectric thin films prepared by Backside Pulsed Ion-Beam Evaporation

T.Sonegawa

Jpn. J. Appl. Phys 40(28) 1049-1051 2001年
Thin-Film Deposition of (BaxSr1-x)TiO3 by Pulsed Ion Beam Evaporation

T.Sonegawa

IEEE Transactions on Plasma Science 28(5) 1545-1549 2001年
Ferroelectric thin films prepared by Backside Pulsed Ion-Beam Evaporation

T.Sonegawa

Jpn. J. Appl. Phys 40(28) 1049-1051 2001年
Thin-Film Deposition of (BaxSr1-x)TiO3 by Pulsed Ion Beam Evaporation

T.Sonegawa

IEEE Transactions on Plasma Science 28(5) 1545-1549 2001年
Measurement of Porosity of porous Silicon Using X-Ray Refraction Effect

Takehiro Maehama

Jpn. J. Appl. Phys (39) 3649-3659 2000年
背面堆積パルスイオンビーム蒸着法で作製された強誘電体材料薄膜の組成分析

曽根川富博

電気学会論文誌 (A120) 427-432 2000年
Measurement of Porosity of porous Silicon Using X-Ray Refraction Effect

Takehiro Maehama

Jpn. J. Appl. Phys (39) 3649-3659 2000年
背面堆積パルスイオンビーム蒸着法で作製された強誘電体材料薄膜の組成分析

曽根川富博

電気学会論文誌 (A120) 427-432 2000年
Stoichiometric and Dielectric Properties of BaTiO3 Thin Films prepared by Backside Pulsed Ion-Beam Evaporation

T.Sonegawa, K.Yatsui

J. Materials Sci. Letters (17) 1685-1687+ 1998年
Stoichiometric and Dielectric Properties of BaTiO3 Thin Films prepared by Backside Pulsed Ion-Beam Evaporation

T.Sonegawa, K.Yatsui

J. Materials Sci. Letters (17) 1685-1687+ 1998年
Preparation of BaTiO3 Thin Films by Backside Pulsed Ion-Beam Evaporation

T.Sonegawa

Appl. Phys. Letters (69) 2193-2195 1996年
Preparation of BaTiO3 Thin Films by Backside Pulsed Ion-Beam Evaporation

T.Sonegawa

Appl. Phys. Letters (69) 2193-2195 1996年

共同研究・競争的資金等の研究課題

3

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強誘電体セラミックスの作製

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強誘電体薄膜の作製

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