宮三郎 (Saburo Takamiya) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 旧所属金沢大学大学院自然科学研究科教授

学位: 工学博士(東京工業大学)

J-GLOBAL ID: 200901078384732965
researchmap会員ID: 1000225045

外部リンク: http://hswww.ee.t.kanazawa-u.ac.jp

研究キーワード

2

研究分野

3

学歴

2

- 1965年

東京工業大学, 理学部, 物理
- 1965年

東京工業大学

MISC

43

Fabrication of GaAs MISFET with nm-thin oxidized layer formed by UV and ozone process

K Iiyama, Y Kita, Y Ohta, M Nasuno, S Takamiya, K Higashimine, N Ohtsuka

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 49(11) 1856-1862 2002年11月
Chromatic dispersion measurements of long optical fibers by means of optical ranging system using a frequency-shifted feedback laser

K Iiyama, T Maeda, S Takamiya

IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS 7(3) 484-489 2001年5月
Chromatic dispersion measurements of long optical fibers by means of optical ranging system using a frequency-shifted feedback laser

Koichi Iiyama, Takahiro Maeda, Saburo Takamiya

IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 7(3) 484-489 2001年5月
第一原理計算による(100)InP表面の電子状態解析

電子情報通信学会電子デバイス研究会技術報告 ED2001-44-51 39-46 2001年
Study of GaAs (100) surface with adsorbed oxygen

Int. Conf. InP and Related Materials 318-321 2001年
Application of brightness of scanning electron microscope images to measuring thickness of nanometer-thin SiO2 layers on Si substrates

Jpn. J. Appl. Phys. 40(10) 5861-5864 2001年
Study of GaAs (100) surface with adsorbed oxygen

Int. Conf. InP and Related Materials 318-321 2001年
Application of brightness of scanning electron microscope images to measuring thickness of nanometer-thin SiO2 layers on Si substrates

Yukihiro Kita, Yuuki Kasai, Shoushin Hashimoto, Kouichi Iiyama, Saburo Takamiya

Jpn. J. Appl. Phys. 40(10) 5861-5864 2001年
波長可変周波数シフト帰還型光ファイバレーザによる光ファイバの波長分散測定

電子情報通信学会光・量子エレクトロニクス研究会 LQE2000-13 73-78 2000年
ブリルアン／エルビウム光ファイバレーザの構成と発振特性

電子情報通信学会光・量子エレクトロニクス研究会 LQE2000-12 67-72 2000年
カルコゲン元素が吸着したGaAs (100)表面の電子状態解析

電子情報通信学会電子デバイス研究会技術報告 ED2000-99 45-52 2000年
Si上極薄SiO2膜の膜厚とSEN像輝度の関係

電子情報通信学会電子デバイス研究会技術報告 ED2000-105 35-40 2000年
Schottky/MIS境界領域における接合の電流電圧特性

電子情報通信学会電子デバイス研究会技術報告 ED2000-97 31-36 2000年
Surface states of (100) n-GaAs with adsorbed oxygens and their dependence on chemical treatment

25th Int. Conf. Phys. Simiconductors 327-328 2000年
Heterostructure microelectronics in information systems

Int. Forum cum Conf.on Information Technology and Communication at the Dawn of New Millennium 125-130 2000年
A novel method for measuring chromatic dispersion of long optical fibers by means of high resolution optical ranging system using a frequency-shifted feedback laser

Symp. On Optical Fiber Measurements 185-188 2000年
Two levels of Ni/n-GaAs Schottky barrier heights formed on a wafer by controlling pH of pretreatment chemicals

TSUZUKU T, SUGIMURA T, KASAI Y, INOKUMA T, IIYAMA K, TAKAMIYA S

Jpn. J. Appl. Phys. 39(10) 5788-5793 2000年
Phase-decorrelated FMCW reflectometry for long optical fibre characterization by using a laser diode with modulated external cavity

IEICE Trans. Electron. E83-C(3) 428-434 2000年
I-V characteristics of Schottky/Metal-Insulator-Semiconductor diodes with tunnel thin barriers

SUGIMURA T, TSUZUKU T, KASAI Y, IIYAMA K, TAKAMIYA S

Jpn. J. Appl. Phys. 39(7B) 4521-4522 2000年
Surface states of (100) n-GaAs with adsorbed oxygens and their dependence on chemical treatment

25th Int. Conf. Phys. Simiconductors 327-328 2000年

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所属学協会

2

共同研究・競争的資金等の研究課題

6