大野清伍 (Seigo Ohno) - マイポータル

基本情報

所属: 旧所属東京電機大学工学部第一部環境物質化学科教授

学位: 理学博士(東京工業大学)

J-GLOBAL ID: 200901087232968393
researchmap会員ID: 1000225771

研究分野

学歴

委員歴

1987年 - 1991年

日本表面科学会, 理事

MISC

LB法および自己凝集法により作製した超薄膜の電子スペクトル-4-(4-オクタデシルオキシフェニル)エチニルピリジン-

渋谷昭彦, 大窪潤, 篠崎開, 大野清伍, 長谷川美貴, 熊谷賢一, 星敏彦

日本化学会誌(化学と工業化学) (8) 443-450 2001年
Electronic Spectra of Ultra Thin Films Prepared by LB and Self-assemble Methods-4-(4-Octadecyloxyphenyl)ethynylpyridine-

Akihiko SHIBUYA, Jun OKUBO, Hiraku SHINOZAKI, Seigo OHNO, Miki HASEGAWA, Kenichi KUMAGAI, Toshihiko HOSHI

Journal of the Chemical Society of Japan, Chemistry and Industrial Chemistry (8) 443-450 2001年
Thin-gate SiO<inf>2</inf>films formed by in situ multiple rapid thermal processing

Hisashi Fukuda, Seigo Ohno, Tomiyuki Arakawa

IEEE Transactions on Electron Devices 39(1) 127-133 1992年
Improvement of Crystallinity of Epitaxial Si-Ge Films with SiH₄ Treatment in in-situ Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition

Applied Surface Science 60,61/,597 1992年
NOVEL N2O-OXYNITRIDATION TECHNOLOGY FOR FORMING HIGHLY RELIABLE EEPROM TUNNEL OXIDE-FILMS

H FUKUDA, M YASUDA, T IWABUCHI, S OHNO

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 12(11) 587-589 1991年11月
Role of SiN Bond Formed by N₂O-oxynitridation for Improving Dielectric Properties of Ultrathin SiO₂ Films

Japanese Journal of Applied Physics 30(12B) 3597 1991年
IMPROVEMENT OF DIELECTRIC STRENGTH OF TRENCH CAPACITORS BY USING RAPIDLY GROWN SIO2-FILMS

T ARAKAWA, H FUKUDA, Y OKABE, T IWABUCHI, S OHNO

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 137(5) 1650-1652 1990年5月
Five Nanometer Gate Oxide Grown by Rapid Thermal Processing for Future MOSFETs

Japanese Journal of Applied Physics 29 L137 1990年
Application of Diazonaththoquinone Compounds and a Diazonium Salt to Contrast Enhanced Lithography

Journal of Vacuum Science and Technology B-5 439 1987年
NEW TRILEVEL AND BILEVEL RESIST SYSTEMS USING SILYL ETHERS OF NOVOLAK AND LOW-MOLECULAR-WEIGHT RESIST

R KAWAZU, Y YAMASHITA, T ITO, K KAWAMURA, S OHNO, T ASANO, K KOBAYASI, G NAGAMATSU

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 4(1) 409-413 1986年1月
NEAR-INFRARED SENSITIVE ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOCONDUCTORS USING CHLOROINDIUM CHLOROPHTHALOCYANINE

M KATO, Y NISHIOKA, K KAIFU, K KAWAMURA, S OHNO

APPLIED PHYSICS LETTERS 46(2) 196-197 1985年
NEW, DEEP UV RESIST (LMR) FOR LIFT-OFF TECHNIQUE

Y YAMASHITA, R KAWAZU, K KAWAMURA, S OHNO, T ASANO, K KOBAYASHI, G NAGAMATSU

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 3(1) 314-318 1985年

大野清伍

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