基本情報

所属
山口大学 大学院技術経営研究科 大学院技術経営研究科 産業イノベーション講座 大学院担当教授
(兼任)大学院技術経営研究科 創成科学研究科 システム・デザイン工学系専攻 技術経営コース 大学院担当教授
学位
博士(工学)(名古屋大学)

研究者番号
70252319
J-GLOBAL ID
200901094621395974
researchmap会員ID
1000226402

外部リンク

研究キーワード

  1

論文

  40

MISC

  5

講演・口頭発表等

  39

共同研究・競争的資金等の研究課題

  10

その他

  5
  • 1.能力コンピテンシーモデルに基づくプロジェクトマネジメント学習評価基準の構築<br>(1)プロジェクトマネジャーコンピテンシー開発体系を基にして、プロジェクトマネジメント教育のための能力評価規準を作成する<br>(2)実践学習のための評価基準を設計する<br>(3)(1)と(3)の結果から、プロジェクトマネジメント教育のためのルーブリックを設計する<br>(4)授業における学習評価を実施し、ルーブリックの有効性について検証する。<br> <br><br>2.学習ポートフォリオと連動したeラーニングプラットフォームの構築<br>(1)実践教育のための学習ポートフォリオと連動したeラーニングプラットフォームの基本設計を行う。<br>(2)基本設計に基づいて、eラーニングプラットフォームの開発を行う。<br>
  • 3.サファイア基板上におけるエピタキシャルGaN薄膜の高品質化<br> <br>Si基板上におけるGaN層の1000℃以上における成長条件初年度には、現在設計製作を行っているGaN層の高温結晶成長ならびにその場観察を専用に行うための新しい分子線エピタキシー装置を用いて、1000℃の高温におけるSi基板上のGaN層の成長過程を明らかにし、GaN / γ-Al2O3 / Si(111)構造の成長条件を最適化する。同時に、窒素源として用いるNH3ガスに含まれる水素が、成長過程に下記の影響を与えると予想される。<br> <br>※1. 熱分解反応により単原子窒素を供給するため、成長膜への物理的なダメージを与えない。<br> <br>※2. 窒素抜けサイトを水素終端することで、光学的性能の劣化を防ぐ。<br> <br>※3. 窒素原子の再脱離を抑制する。 <br> <br>これらの効果がどの程度えらるか、成長過程における化学反応の活性化エネルギーを求めることによって、明らかにする。さらに、最適化されたGaN層の成長条件を基にして、歪量子井戸構造を作製する際に必要となる窒化アルミニウム(AlN)層ならびにGaN層とAlN層の混晶層(AlGaN混晶層)の成長条件の最適化を図る。<br> <br>結晶欠陥の構造と光学特性の評価格子定数差の大きな系におけるGaN膜の成長では、製膜中に貫通転位などの結晶欠陥が生じると同時に、その欠陥が成長表面にまで到達する。GaN表面における結晶欠陥近傍の原子配列の乱れをその場超高真空STMを用いて観察し、成長に及ぼす影響について明らかにし、その上で成長条件をより詳細に最適化する。<br> <br>最適化された成長条件を基にして、発光層にGaN層を、ガイド層ならびにクラッド層にAlGaN層を配した歪単一量子井戸構造をSi基板上に作製し、その結晶品質(構造)と発光特性を調べる。作製した構造の断面を、電子顕微鏡(TEM)により詳細に観察する。PL測定によって得られた光学特性と電子顕微鏡観察によって得られた結晶構造とを比較することにより、得られたSi基板上に作製したGaN層の特性について考察する。
  • 2.物理学実験における教育指導の体系化<br> <br>物理学実験における学習指導の最適化を図るために、実験の物理的な原理やデータ分析などの知識体系の概念構造の分析を行った。さらに、分析した概念構造を基にして、学習の階層構造に対応するコンセプトマトリクスを作成した。このコンセプトマトリクスに基づいてWeb学習教材をデザインすることにより、Web学習教材のリンク構造と学習の階層構造との融合を容易に図ることができる。<br> <br>山口大学では、工学部の学生は共通教育科目として一年次に物理学実験を履修する。これらの実験科目は工学部における専門教育の基礎であるとともに、工学部の基本的な理念である「ものづくり」の基礎でもあり、工学部教育における重要な役割を担っている。<br>近年では、工学部の新入生であっても入学前の教育課程における物理科目を必ずしも履修していない場合が増えている。また、物理科目を履修していても物理学実験を実習していない場合もある。物理科目に関して多様な履修経歴をもつ学生を対象にして、個々の学力にあわせた適切な個別指導が不可欠となっている。<br>限られた授業時間と限られた人数のスタッフで指導するという制約の下で、多様な履修経歴の学生に対応しかつ学習効果の高い指導を行うためには、学習指導の効率化に取り組む必要がある。<br>そこで、筆者らは物理学実験の学習指導の効率化を図る支援ツールとして、ならびに従来の紙媒体による実験指導書(山口大学物理学実験グループ 2003))に対する相補的な学習支援教材として、実験内容の理解に必要な基礎知識、物理的な原理、測定方法、測定データの分析などの知識を体系化したWeb学習教材の開発を検討した。<br>
  • 1.社会人を対象としたプロジェクトマネジメント教育の実践と評価<br> <br>◆PM教育について<br>教育効果を最大限に高めるためには、教育方法、学習対象者のバックグランドと基礎知識、教育目標と学習目標、カリキュラム設計、教材の作成および学習結果の測定と評価などの項目について、統合的に考慮する必要がある。<br>一般に理論的理解を深めることを目的とする教育と実践力を身につけることを目的とする教育とでは、授業の教授方法を明確に区別する必要がある。“PM教育”を論じる上では、これらの二つの教育目的が共存することを認識しておく必要がある。本発表は教授方法そのものが研究の目的ではないものの、効率的で効果的なプロジェクトマネジメント教育を実現するためには、教授方法も含めて検討を行う必要がある。<br> PM教育課程では、PMBOKガイドなどのPM知識体系を理解するための学習とそれらの知識体系をもとにした実践的なスキルを学ぶ二つの段階がある。前者は理論的理解を深めるための教程であり、後者は実践力形成のための教程である。<br> MOT専門職大学院では、PMライセンスを取得することが目的ではなく、また履修者のバックグランドも様々である。そのため、専門職大学院教程におけるPM科目では、PM知識体系に関する基礎知識を有していない履修者が対象となる。<br> <br>◆PM教育のためのフレームワーク<br>PM教育における教育目標を定め、カリキュラムを作成する段取りは、PM教育そのものがプロジェクトマネジメントとして見立てることができる。そこで、PMBOKの定める9つのPM知識エリアに準じて、PM教育のための知識エリアとして照らし合わせて、統合(シラバスなど)、学習目標、学習時間、コスト、学習内容・理解度、教員・アシスタント、授業連絡、リスク(休講、欠席等)、調達などのように対応づけることができる。<br> <br>◆PM教育の実践と学習効果の評価<br> 山口大学MOT専門職大学院では、PM知識体系とPM関連知識を学習するためのプロジェクトマネジメント特論ならびに、グループ形式による演習を行うプロジェクト演習という構成で、PM教育カリキュラムを構成している。<br> 前節で述べた教育のためのフレームワークをもとに15回の授業カリキュラムを構成し、「PM知識体系に関する基礎知識を有していない履修者」が最大限の学習効果を得ることを目標とした。また、学習効果を客観的に測定・評価するための試みとして、アンケート調査結果から学習効果を見積もるためのマトリクス分析法を考案した。それを持ちいて、プロジェクトマネジメント特論の評価を行った結果、支援ツールとしての有効性が認められた。<br> <br> <br>◇『経営資源の有効活用とプロジェクトマネジメント』<br> <br> 21世紀に
  • Si基板上におけるGaN層の1000℃以上における成長条件初年度には、現在設計製作を行っているGaN層の高温結晶成長ならびにその場観察を専用に行うための新しい分子線エピタキシー装置を用いて、1000℃の高温におけるSi基板上のGaN層の成長過程を明らかにし、GaN / γ-Al2O3 / Si(111)構造の成長条件を最適化する。同時に、窒素源として用いるNH3ガスに含まれる水素が、成長過程に下記の影響を与えると予想される。1. 熱分解反応により単原子窒素を供給するため、成長膜への物理的なダメージを与えない。2. 窒素抜けサイトを水素終端することで、光学的性能の劣化を防ぐ。3. 窒素原子の再脱離を抑制する。 これらの効果がどの程度えらるか、成長過程における化学反応の活性化エネルギーを求めることによって、明らかにする。さらに、最適化されたGaN層の成長条件を基にして、歪量子井戸構造を作製する際に必要となる窒化アルミニウム(AlN)層ならびにGaN層とAlN層の混晶層(AlGaN混晶層)の成長条件の最適化を図る。初年度の購入物品として計上したAlエフュージョン・セルは、AlN層とAlGaN混晶層の結晶成長を行うために用いる。14年度 結晶欠陥の構造と光学特性の評価格子定数差の大きな系におけるGaN膜の成長では、製膜中に貫通転位などの結晶欠陥が生じると同時に、その欠陥が成長表面にまで到達する。GaN表面における結晶欠陥近傍の原子配列の乱れをその場超高真空STMを用いて観察し、成長に及ぼす影響について明らかにし、その上で成長条件をより詳細に最適化する。最適化された成長条件を基にして、発光層にGaN層を、ガイド層ならびにクラッド層にAlGaN層を配した歪単一量子井戸構造をSi基板上に作製し、その結晶品質(構造)と発光特性を調べる。作製した構造の断面を、電子顕微鏡(TEM)により詳細に観察する。PL測定によって得られた光学特性と電子顕微鏡観察によって得られた結晶構造とを比較することにより、得られたSi基板上に作製したGaN層の特性について考察する。