2021年12月
Electronic structure tuning of α-SrSi2 by isotropic strain and isoelectronic impurity incorporation: A first-principles study for enhancement of low-temperature thermoelectric performance
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
- 巻
- 130
- 号
- 12
- 開始ページ
- 215103-1
- 終了ページ
- 215103-11
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文(学術雑誌)
- DOI
- 10.1063/5.0063506
- ID情報
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- DOI : 10.1063/5.0063506
- ISSN : 0021-8979
- eISSN : 1089-7550