2019年2月
Substitutional and interstitial impurity p-type doping of thermoelectric Mg2Si: a theoretical study
SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS
- 巻
- 20
- 号
- 1
- 開始ページ
- 160
- 終了ページ
- 172
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- DOI
- 10.1080/14686996.2019.1580537
- ID情報
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- DOI : 10.1080/14686996.2019.1580537