酒井朗 (Akira Sakai) - マイポータル

基本情報

所属: 大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域教授

学位: 博士(工学)

研究者番号: 20314031
ORCID ID: https://orcid.org/0000-0002-0654-504X
J-GLOBAL ID: 200901057542156384
researchmap会員ID: 1000286718

研究分野

受賞

2003年3月

第49回（平成14年度）大河内賞記念賞, 大容量DRAM用HSG-Siキャパシタの開発と実用化, 財団法人大河内記念会

辰巳徹, 渡辺啓仁, 酒井朗, 岡村健司, 三宅秀治
1999年

応用物理学会賞A論文賞

論文

575

Micro- and Nanostructure Analysis of Vapor-Phase-Grown AlN on Face-to-Face Annealed Sputtered AlN/Nanopatterned Sapphire Substrate Templates

Yudai Nakanishi, Yusuke Hayashi, Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Yoshikata Nakajima, Shiyu Xiao, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Akira Sakai

Journal of Electronic Materials 2023年3月29日査読有り最終著者責任著者
Comprehensive analysis of current leakage at individual screw and mixed threading dislocations in freestanding GaN substrates

Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori, Akira Sakai

Scientific Reports 13(1) 2023年2月10日査読有り最終著者責任著者
High-temperature operation of gallium oxide memristors up to 600 K

Kento Sato, Yusuke Hayashi, Naoki Masaoka, Tetsuya Tohei, Akira Sakai

Scientific Reports 13(1) 2023年1月30日査読有り最終著者責任著者
Interface engineering of amorphous gallium oxide crossbar array memristors for neuromorphic computing

Naoki Masaoka, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai

Japanese Journal of Applied Physics 62(SC) SC1035-SC1035 2023年1月24日査読有り最終著者責任著者
Gate-tunable plasticity in artificial synaptic devices based on four-terminal amorphous gallium oxide memristors

Taishi Ikeuchi, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai

Applied Physics Express 16(1) 015509-015509 2023年1月1日査読有り最終著者責任著者
Molecular beam homoepitaxy of N-polar AlN: Enabling role of aluminum-assisted surface cleaning

Zexuan Zhang, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai, Vladimir Protasenko, Jashan Singhal, Hideto Miyake, Huili Grace Xing, Debdeep Jena, YongJin Cho

Science Advances 8(36) 2022年9月9日査読有り
Versatile Functionality of Four-Terminal TiO2-x Memristive Devices as Artificial Synapses for Neuromorphic Computing

Ryotaro Miyake, Zenya Nagata, Kenta Adachi, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai

ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS 4(5) 2326-2336 2022年5月査読有り最終著者責任著者
Analysis of inverse-piezoelectric-effect-induced lattice deformation in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors by time-resolved synchrotron radiation nanobeam X-ray diffraction

Haruna Shiomi, Akira Ueda, Tetsuya Tohei, Yasuhiko Imai, Takeaki Hamachi, Kazushi Sumitani, Shigeru Kimura, Yuji Ando, Tamotsu Hashizume, Akira Sakai

Applied Physics Express 14(9) 095502-095502 2021年9月1日査読有り最終著者責任著者
Thermal strain analysis considering in-plane anisotropy for sputtered AlN on c- and a-plane sapphire under high-temperature annealing

Yusuke Hayashi, Kenjiro Uesugi, Kanako Shojiki, Tetsuya Tohei, Akira Sakai, Hideto Miyake

AIP Advances 11(9) 095012-095012 2021年9月1日査読有り
Propagation of threading dislocations and effects of Burgers vectors in HVPE-grown GaN bulk crystals on Na-flux-grown GaN substrates

T. Hamachi, T. Tohei, Y. Hayashi, M. Imanishi, S. Usami, Y. Mori, N. Ikarashi, A. Sakai

Journal of Applied Physics 129(22) 225701-225701 2021年6月14日査読有り最終著者責任著者
Local piezoelectric properties in Na-flux GaN bulk single crystals

A. Ueda, T. Hamachi, A. Okazaki, S. Takeuchi, T. Tohei, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, A. Sakai

Journal of Applied Physics 128(12) 125110-125110 2020年9月28日査読有り最終著者責任著者
Fabrication of GaO x based crossbar array memristive devices and their resistive switching properties

Mamoru Joko, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Akira Sakai

Japanese Journal of Applied Physics 59(SM) SMMC03-SMMC03 2020年7月1日
Gate Tuning of Synaptic Functions Based on Oxygen Vacancy Distribution Control in Four-Terminal TiO2−x Memristive Devices

Zenya Nagata, Takuma Shimizu, Tsuyoshi Isaka, Tetsuya Tohei, Nobuyuki Ikarashi, Akira Sakai

Scientific Reports 9(1) 10013-1-10013-7 2019年12月査読有り最終著者責任著者
Demonstrative operation of four-terminal memristive devices fabricated on reduced TiO2 single crystals

Shotaro Takeuchi, Takuma Shimizu, Tsuyoshi Isaka, Tetsuya Tohei, Nobuyuki Ikarashi, Akira Sakai

Scientific Reports 9(1) 2019年12月査読有り最終著者責任著者
Quantitative analysis of lattice plane microstructure in the growth direction of a modified Na-flux GaN crystal using nanobeam X-ray diffraction

Kazuki Shida, Nozomi Yamamoto, Tetsuya Tohei, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Akira Sakai

Japanese Journal of Applied Physics 58(SC) SCCB16-1-SCCB16-6 2019年6月1日査読有り最終著者責任著者
Correlation between current leakage and structural properties of threading dislocations in GaN bulk single crystals grown using a Na-flux method

Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Akira Sakai

Japanese Journal of Applied Physics 58(SC) SCCB23-SCCB23 2019年6月1日査読有り最終著者責任著者
Local current leakage at threading dislocations in GaN bulk single crystals grown by a modified Na-flux method

Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Akira Sakai

Japanese Journal of Applied Physics 58(5) 050918-050918 2019年5月1日査読有り最終著者責任著者
Depth-resolved analysis of lattice distortions in high-Ge-content SiGe/compositionally graded SiGe films using nanobeam x-ray diffraction

Kazuki Shida, Shotaro Takeuchi, Tetsuya Tohei, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Andreas Schulze, Matty Caymax, Akira Sakai

Semiconductor Science and Technology 33(12) 124005-124005 2018年12月1日査読有り最終著者責任著者
Quantitative analysis of lattice plane microstructure in the growth direction of a modified Na-flux GaN crystal using nanobeam X-ray diffraction

K. Shida, T. Tohei, M. Imanishi, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018) 2018年11月査読有り
Dislocation Properties in Bulk GaN Substrates

Akira Sakai

IDGN-4 2018年11月招待有り

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MISC

355

ナノビームX線回折によるHVPE-GaNバルク結晶における単独貫通転位周辺の局所歪解析

濱地威明, 藤平哲也, 林侑介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
ナノビームX線回折法によるNPSS上AlN厚膜の深さ分解結晶性トモグラフィック評価

山本望, 林侑介, 濱地威明, 中西悠太, 藤平哲也, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 正直花奈子, 三宅秀人 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
4端子平面型TiO_2-xメモリスタ素子におけるゲート制御に基づくシナプス特性の変調

安達健太, 林侑介, 藤平哲也, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
4端子平面型アモルファスGaO_xメモリスタ素子の開発と抵抗変化特性評価

池内太志, 林侑介, 藤平哲也, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
AlGaN/GaN HEMTデバイスにおける局所圧電格子変形の放射光ナノビームX線回折オペランド計測

塩見春奈, 嶋田章宏, 藤平哲也, 林侑介, 金木奨太, 橋詰保, 今井康彦, 隅谷和嗣, 木村滋, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
ナノビームX線回折によるOVPE成長GaN結晶の微細構造解析

栗谷淳, 藤平哲也, 濱地威明, 林侑介, 滝野淳一, 隅智亮, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 隅谷和嗣 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
酸化物四端子型メモリスタの結晶微細構造と電気特性

藤平哲也, 三宅亮太郎, 谷口奈穂, 上甲守治, 林侑介, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
新型酸化物メモリスタの原子レベル機構解明と多様性シナプス素子の創製

藤平哲也, 酒井朗

村田学術振興財団年報 (34) 2020年
第一原理計算による外部電場下におけるルチル型TiO₂中の酸素空孔挙動解析

井阪健, 藤平哲也, 林侑介, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年
高温熱処理したスパッタAlN膜の熱歪解析

林侑介, 上杉謙次郎, 正直花奈子, 三宅秀人, 藤平哲也, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年
Na-flux-GaN上に育成したHVPE-GaNバルク単結晶における貫通転位の形態と漏れ電流特性の評価

濱地威明, 藤平哲也, 林侑介, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年
ナノビームX線回折法による高Ge組成SiGe/組成傾斜SiGe/Si積層構造の深さ分解結晶性トモグラフィック評価

志田和己, 藤平哲也, 林侑介, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年
4端子平面型TiO_2-xメモリスタ素子におけるパブロフ型条件付けの実装

三宅亮太郎, 林侑介, 藤平哲也, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年
OVPE法で成長したGaNバルク単結晶の微細構造解析

栗谷淳, 藤平哲也, 濱地威明, 林侑介, 滝野淳一, 隅智亮, 今西正幸, 森勇介, 隅谷和嗣, 今井康彦 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年
スパッタ法と高温アニールで作製した-c/+c AlN薄膜の電子線回折による極性判定

林侑介, 野本健斗, 濱地威明, 藤平哲也, 三宅秀人, 五十嵐信行, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年
AlGaN/GaN HEMTデバイスにおける局所圧電格子変形の放射光ナノビームX線回折オペランド計測

嶋田章宏, 塩見春奈, 藤平哲也, 林侑介, 金木奨太, 橋詰保, 今井康彦, 隅谷和嗣, 木村滋, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年
4端子平面型TiO_2-xメモリスタ素子における酸素空孔分布2次元制御に基づくSTP・LTP特性の実装

安達健太, 三宅亮太郎, 林侑介, 藤平哲也, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年
HVPE-GaNバルク結晶におけるa及びa+cタイプ貫通転位の3次元的伝播挙動の解析

濱地威明, 藤平哲也, 林侑介, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年
N-PSS上スパッタ堆積アニールAlNテンプレートに成長させたAlN厚膜の微細構造解析

山本望, 濱地威明, 林侑介, 藤平哲也, 三宅秀人, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年
HVPE-GaNバルク結晶における貫通転位の3次元的形態とバーガースベクトルの関係

濱地威明, 藤平哲也, 林侑介, 今西正幸, 森勇介, 五十嵐信行, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年

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Works(作品等)

共同研究・競争的資金等の研究課題

酸素空孔分布のトポロジー制御を機能原理とするヘテロシナプスプラットフォームの創生

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2020年4月 - 2024年3月

酒井朗
介在ニューロン機能を有する人工シナプスクロスバーアレイメモリスタの構築

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 挑戦的研究(萌芽) 2021年7月 - 2023年3月

酒井朗
OVPE法による超低抵抗・厚膜GaN結晶成長技術

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2020年4月 - 2023年3月

森勇介, 上殿明良, 津坂佳幸, 酒井朗, 河村貴宏
総括班

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年6月 - 2021年3月

藤岡洋, 酒井朗, 川上養一, 小出康夫, 三宅秀人, 橋詰保
結晶特異構造およびその挙動のマルチスケール構造解析評価

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年6月 - 2021年3月

酒井朗, 今井康彦
高配向２次元転位網メモリスタによる高機能シナプティックプラットフォームの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2017年4月 - 2020年3月

酒井朗
酸素空孔分布トポロジーの制御に基づく多元シナプス素子創製

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 挑戦的研究(萌芽) 2017年6月 - 2019年3月

酒井朗
サファイア加工基板側壁を成長起点とした半極性｛２０－２－１｝面ＧａＮ基板の作製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2013年4月 - 2016年3月

只友一行, 山田陽一, 酒井朗, 岡田成仁, 山根啓輔
4端子メムリスタを用いた信号伝達相関型シナプス素子の創製

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究挑戦的萌芽研究 2013年4月 - 2016年3月

酒井朗, 竹内正太郎
貼り合せ金属酸化物における高配向転位フィラメント伝導の機構・機能探索

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2012年4月 - 2015年3月

酒井朗, 中村芳明, 吉川純
ナノシステム機能化High-kゲート/歪制御ゲルマニウムチャネル構造の創成

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2006年 - 2009年

財満鎭明, 小川正毅, 酒井朗, 渡部平司, 坂下満男, 近藤博基, 中塚理
ナノ領域における極微少電流特性のキャリアセパレーション評価技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2007年 - 2008年

坂下満男, 酒井朗, 酒井朗
非熱平衡原子固溶プロセスに基づく超高速伸張歪Geチャネルの創成

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2006年 - 2008年

財満鎭明, 中塚理, 近藤博基, 小川正毅, 酒井朗
超均一歪場の実現に向けたIV族系半導体ヘテロ歪結晶格子の変形制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2004年 - 2006年

酒井朗, 財満鎮明, 中塚理
IV族半導体極微細プロセスに向けた固相反応のダイナミクス制御とCエンジニアリング

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2003年 - 2005年

財満鎭明, 酒井朗, 中塚理, 近藤博基
単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2001年 - 2004年

近藤博基, 安田幸夫, 財満鎭明, 酒井朗, 安田幸夫, 近藤博基, 池田浩也
人工IV族半導体極微細構造デバイス製作のための原子精度要素プロセスの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 1999年 - 2003年

安田幸夫, 酒井朗, 財満鎭明, 畑朋延, 中塚理, 池田浩也
その場透過電子顕微鏡による強誘電体薄膜の劣化ダイナミクスに関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2000年 - 2002年

酒井朗, 財満鎭明, 安田幸夫, 池田浩也
界面組成変調層を用いたサブ0.1μm世代ULSI用低抵抗コンタクト構造の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2000年 - 2002年

安田幸夫, 中塚理, 池田浩也, 酒井朗
熱負荷プロセスにおける異種絶縁膜界面の構造遷移機構の原子レベル解析

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究(A) 特定領域研究(A) 2001年 - 2001年

酒井朗, 坂下満男

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産業財産権

特開2021-106262 メモリスタ、それを備えた半導体素子およびメモリスタを備えたアレイシステム

林侑介, 藤平哲也, 酒井朗
特許第6333182号シリコンウェーハ及びその製造方法

須藤治生, 荒木浩司, 泉妻宏治, 竹内正太郎, 中村芳明, 酒井朗
特許第5553135号多層膜構造体の形成方法

中塚理, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明, 近藤博基, 湯川勝規, 水谷卓也
特許第5424436号熱電材料及びその製造方法並びにそれを用いた熱電変換モジュール

中村芳明, 五十川雅之, 上田智広, 吉川純, 酒井朗, 細野秀雄
WO2013-179897 熱電材料及びその製造方法並びにそれを用いた熱電変換モジュール

中村芳明, 五十川雅之, 上田智広, 吉川純, 酒井朗, 細野秀雄
特許第5243762号ジャーマナイド薄膜、ジャーマナイド薄膜の作成方法、ジャーマナイド薄膜を備えたゲルマニウム構造体

中塚理, 酒井朗, 鈴木敦之, 小川正毅, 財満鎭明
特許第5238189号伸張歪ゲルマニウム薄膜の作製方法、伸張歪ゲルマニウム薄膜、及び多層膜構造体

竹内正太郎, 酒井朗, 中塚理, 小川正毅, 財満鎭明
特許第5156950号歪み緩和ゲルマニウム膜の製造方法並びに多層膜構造体

酒井朗, 湯川勝規, 中塚理, 小川正毅, 財満鎭明
特開2011-134852 GeOI基板の製造方法

豊田英二, 磯貝宏道, 吉川純, 中村芳明, 酒井朗, 吉武修
特許第4296276号エピタキシャル成長用基材の製造方法

酒井朗, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明, 安田幸夫
特許第4009719号ニッケルシリサイド膜の作製方法

財満鎭明, 酒井朗, 中塚理, 安田幸夫
WO2007-066811 歪み緩和ゲルマニウム膜及びその製造方法並びに多層膜構造体

酒井朗, 湯川勝規, 中塚理, 小川正毅, 財満鎭明
特開2007-015890 カーボンナノチューブ形成用基材及びその製造方法並びにカーボンナノチューブ

酒井朗, 中塚理, 財満鎭明, 種田智, 小川正毅
特許第3879003号シリサイド膜の作製方法

中塚理, 酒井朗, 財満鎭明, 安田幸夫, 大久保和哉, 土屋義規
特許第3878997号細線構造の作製方法、多層膜構造体、及び多層膜中間構造体

酒井朗, 財満鎭明, 安田幸夫, 中塚理
特許第3876307号素子電極用のニッケルシリコン系薄膜の作製方法、及び素子電極用の多層膜構造

安田幸夫, 財満鎭明, 酒井朗, 中塚理, 土屋義規
特許第3851950号シリコンゲルマニウム膜の作製方法、エピタキシャル成長用基板、多層膜構造体及びヘテロ接合電界効果トランジスタ

酒井朗, 中塚理, 財満鎭明, 安田幸夫
特開2006-245133 半導体素子用基材及びその製造方法

近藤博基, 財満鎭明, 小川正毅, 酒井朗, 坂下満男, 内藤慎哉, 上山知紀, 安田幸夫
特許第3831764号高誘電率金属酸化物膜の作製方法、高誘電率金属酸化物膜、多層膜構造体、ゲート絶縁膜、及び半導体素子

酒井朗, 安田幸夫, 財満鎭明, 坂下満男, 近藤博基, 坂下真介
特開2006-040977 絶縁膜を有した半導体装置の製造方法及び半導体装置。

酒井朗, 財満鎭明, 安田幸夫, 坂下満男, 高橋亮也

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