1999年
26aYL-12 β-NMR法によるシリコン中ホウ素のイオン植え込み位置の研究
日本物理学会講演概要集
- ,
- ,
- ,
- ,
- ,
- ,
- ,
- 巻
- 54
- 号
- 2
- 開始ページ
- 908
- 終了ページ
- 908
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- DOI
- 10.11316/jpsgaiyo.54.2.4.0_908_2
- 出版者・発行元
- 一般社団法人 日本物理学会
- リンク情報
- ID情報
-
- DOI : 10.11316/jpsgaiyo.54.2.4.0_908_2
- ISSN : 1342-8349
- J-Global ID : 200902168574280052
- CiNii Articles ID : 110001994778
- CiNii Books ID : AA11439205