MISC

1999年

26aYL-12 β-NMR法によるシリコン中ホウ素のイオン植え込み位置の研究

日本物理学会講演概要集

泉川卓司
松多健策
谷垣実
三宅徹
佐藤和則
福田光順
野尻洋一
南園忠則

巻: 54
号: 2
開始ページ: 908
終了ページ: 908
記述言語: 日本語
掲載種別
DOI: 10.11316/jpsgaiyo.54.2.4.0_908_2
出版者・発行元: 一般社団法人日本物理学会

リンク情報

DOI: https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.54.2.4.0_908_2
J-GLOBAL: https://jglobal.jst.go.jp/detail?JGLOBAL_ID=200902168574280052
CiNii Articles: http://ci.nii.ac.jp/naid/110001994778
CiNii Books: http://ci.nii.ac.jp/ncid/AA11439205

ID情報

DOI : 10.11316/jpsgaiyo.54.2.4.0_908_2
ISSN : 1342-8349
J-Global ID : 200902168574280052
CiNii Articles ID : 110001994778
CiNii Books ID : AA11439205

エクスポート: BibTeX RIS

MISCリストへ