田中 正俊

J-GLOBALへ         更新日: 16/04/07 10:47
 
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研究者氏名
田中 正俊
 
タナカ マサトシ
eメール
mtanakaynu.ac.jp
URL
http://www.surfphys.ynu.ac.jp/
学位
理学博士(東京大学), 理学修士(東京大学)

研究分野

 
 

経歴

 
 
   
 
横浜国立大学 大学院工学研究院 知的構造の創生部門 教授
 
2001年4月
 - 
現在
横浜国立大学大学院工学研究院教授
 
1995年4月
 - 
2001年3月
横浜国立大学工学部教授
 
1985年11月
 - 
1995年3月
横浜国立大学工学部助教授
 
1983年4月
 - 
1985年11月
横浜国立大学工学部講師
 

学歴

 
 
 - 
1978年
東京大学 理学系研究科 物理学
 
 
 - 
1973年
京都大学 理学部 物理学
 

論文

 
Observation of the adsorption and desorption kinetics of weakly bound CO on Si(001)-c(4x2) by means of scanning tunneling microscopy
T. Momose, S. Ohno, T. Kitajima, T. Suzuki, M. Tanaka
627 29-33   2014年   [査読有り]
Electronic structure of α-sexithiophene ultrathin films grown on passivated Si(001) surfaces
K. Hiraga, H. Toyoshima, H. Tanaka, K. Inoue, S. Ohno, K. Mukai, J. Yoshinobu, M. Tanaka
307 520-524   2014年   [査読有り]
Decay processes of Si 2s core holes in Si(111)-7 times 7 revealed by Si Auger electron Si 2s photoelectron coincidence measurements
K. Mase, K. Hiraga, S. Arae, R. Kanemura, Y. Takano, K. Yanase, Y. Ogashiwa, N. Shohata, N. Kanayama, T. Kakiuchi, S. Ohno, D. Sekiba, K. Okudaira, M. Okusawa, M. Tanaka
83 094704 (1-5)   2014年   [査読有り]
Fabrication of high-k/metal-gate MoS2 field-effect transistor by device isolation process utilizing Ar-plasma etching
N. Ninomiya, T. Mori, N. Uchida, E. Watanabe, D. Tsuya, S. Moriyama, M. Tanaka
54 046502 (1-4)   2014年   [査読有り]
Molecular Motion Induced by Multivibronic Excitation on Semiconductor Surface
T. Momose, K. Shudo, H. Raebiger, S. Ohno, T. Kitajima, M. Uchiyama, T. Suzuki, M. Tanaka
118(3) 1554–1559   2014年   [査読有り]

Misc

 
表面差分反射分光と反射率差分光を用いたSi(001)表面初期酸化過程のリアルタイム計測
大野真也,首藤健一,田中正俊
Journal of Vacuum Society of Japan   53(6) 413-420   2010年
半導体表面からの励起電子誘起脱離 (I)
首藤健一,田中正俊
Journal of Vacuum Society of Japan   49(10) 600-604   2006年

講演・口頭発表等

 
デプレッション型極薄GeSn-pMOSFETs特性のSn濃度依存性
前田辰郎、Wipakorn J.、服部浩之、内田紀行、三浦脩、田中正俊、Santos Nuno D. M.、Vantomme A.、Locquet J. -P.、Lieten R. R.
応用物理学会   2015年3月   
Si(113)表面における酸化メカニズムの解析
田中一馬、大野真也、小玉開、吉越章隆、寺岡有殿、田中正俊
応用物理学会   2015年3月   
Si(001)表面に吸着したCOの透過FT-IRによる解析
大野真也、田中一馬、田中正俊、吉信淳
応用物理学会   2015年3月   
HfO2絶縁膜を用いたMoS2 FETにおける実効移動度の評価」第62回応用物理学会春季学術講演会
二之宮成樹、森貴洋、内田紀行、久保利隆、渡辺英一郎、津谷大樹、森山悟士、田中正俊、安藤淳
応用物理学会   2015年3月   
p(2×2)表面再構成構造をもつ鉄シリサイド電子状態の走査トンネル分光による再検討
清水正太郎,成重卓真,艸分倫子,鷺坂恵介,藤田大介,大野真也,田中正俊
日本物理学会   2015年3月   

担当経験のある科目

 

競争的資金等の研究課題

 
Ptを超える微粒子担持電極触媒の開発
日本学術振興会: 挑戦的萌芽研究
研究期間: 2014年4月 - 2016年3月    代表者: 田中正俊
グラフェンを凌ぐナノレイヤ層状半導体の開拓
萌芽研究: 
研究期間: 2012年4月 - 2014年3月    代表者: 田中正俊
固体表面上のアミノ酸のダイナミクス
日本学術振興会: 
研究期間: 2011年4月 - 2013年3月    代表者: 田中正俊

その他

 
2011年
ナノレイヤ層状半導体の研究
2007年
半導体表面上の有機分子超薄膜の研究
2007年
シリコン表面の酸化過程についての研究
2004年
コインシデンス分光法による光刺激脱離の研究
2004年
シリコン表面の金属吸着系の研究