川島義也 (Yoshiya Kawashima) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 旧所属成蹊大学工学研究科物理情報工学専攻大学院生（博士課程）

学位: 修士（理学）(早稲田大学)

J-GLOBAL ID: 200901037627337964
researchmap会員ID: 5000015951

研究キーワード

6

研究分野

2

学歴

4

MISC

16

Study of FSG/SiO2 double interlayer conditions to prevent Al wiring delamination for sub-0.18-mu M device integration

Y Kawashima, T Ichikawa, N Nakamura, S Obata, Y Den, H Kawano, T Ide, M Kudo

IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING 15(4) 497-505 2002年11月
Influence of H-2-annealing on the hydrogen distribution near SiO2/Si(100) interfaces revealed by in situ nuclear reaction analysis

M Wilde, M Matsumoto, K Fukutani, ZY Liu, K Ando, Y Kawashima, S Fujieda

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 92(8) 4320-4329 2002年10月
The role of SIMS in the analysis of new materials used for LSI devices

Journal of Surface Analysis 7(3), A77-A80 2000年
The role of SIMS in the analysis of new materials used for LSI devices

Journal of Surface Analysis 7(3), A77-A80 2000年
SIMS Round-Robin Study of Depth Profiling of Boron Implants in Silicon

Journal of Surface Analysis 5(1), 30 1999年
Stylus Profilometer Round-Robin Study for Depth Measurements

Journal of Surface Analysis 5(1), 26 1999年
Backside SIMS Analysis of Zinc Profiles in InGaAsP

Journal of Surface Analysis 5(1), 116 1999年
Formation Mechanism of Metal-Oxide on Plasma-Exposed WSix/poly Si Gate Stack

Japanese Journal of Applied Physics 38(2B), L209 1999年
SIMS Round-Robin Study of Depth Profiling of Boron Implants in Silicon

Journal of Surface Analysis 5(1), 30 1999年
Stylus Profilometer Round-Robin Study for Depth Measurements

Journal of Surface Analysis 5(1), 26 1999年
Backside SIMS Analysis of Zinc Profiles in InGaAsP

Journal of Surface Analysis 5(1), 116 1999年
Formation Mechanism of Metal-Oxide on Plasma-Exposed WSix/poly Si Gate Stack

Japanese Journal of Applied Physics 38(2B), L209 1999年
Backside SIMSによるInGaAsPへのZn拡散評価

NEC技報 50(6), 83 1997年
SURFACE-STRUCTURES AND GROWTH MODE FOR THE CU/SI(110) SURFACES DEPENDING ON HEAT-TREATMENT

T IKEDA, Y KAWASHIMA, H ITOH, T ICHINOKAWA

SURFACE SCIENCE 342(1-3) 11-20 1995年11月
SURFACE-STRUCTURES AND GROWTH MODE OF THE CU/SI(100)2X1 SURFACE DEPENDING ON HEAT-TREATMENT

T IKEDA, Y KAWASHIMA, H ITOH, T ICHINOKAWA

SURFACE SCIENCE 336(1-2) 76-84 1995年8月
SURFACE-STRUCTURES OF THE MG/SI(100) SYSTEM STUDIED BY LOW-ENERGY-ELECTRON DIFFRACTION AND AUGER-ELECTRON SPECTROSCOPY

Y KAWASHIMA, H TANABE, T IKEDA, H ITOH, T ICHINOKAWA

SURFACE SCIENCE 319(1-2) 165-171 1994年11月

所属学協会

2

Works(作品等)

2

半導体デバイス界面の評価技術に関する研究

1999年 - 2000年
Study of Interface Characterization of Semiconductor Device

1999年 - 2000年

共同研究・競争的資金等の研究課題

2

半導体デバイスの界面物性評価技術に関する研究

共同研究 2000年 - 2005年
Study of Interface Characterization of Semiconductor Device

Cooperative Research 2000年 - 2005年