鵜殿治彦 (Haruhiko UDONO) - マイポータル

基本情報

所属: 茨城大学理工学研究科（工学野）電気電子システム工学領域教授

学位: 博士（工学）(1996年3月静岡大学)

研究者番号: 10282279
J-GLOBAL ID: 200901068252484827
researchmap会員ID: 5000064136

外部リンク: http://www.ee.ibaraki.ac.jp/hanken/

(研究経歴) 1990年-1996年：InGaP系混晶を用いた緑色ダイオードの開発,1996年-2000年：ZnSeバルク単結晶の成長とその化学量論組成の評価法の開発,2000年-現在：β-FeSi2バルク単結晶の育成とその応用,2001年-現在：シリサイド半導体を用いた近赤外発光受光素子の開発,2007年-現在：シリサイド熱発電素子の開発

研究キーワード

シリサイド半導体、熱電変換、シリコンフォトニクス、赤外受光素子、太陽電池、バルク単結晶、薄膜、表面、ナノ構造、結晶成長、分子線エピタキシー

研究分野

経歴

2012年4月

茨城大学工学部電気電子工学科教授
2007年4月 - 2012年3月

茨城大学工学部電気電子工学科准教授
2001年10月 - 2012年3月

東京大学物性研究所外来研究員
2008年7月 - 2009年2月

カリフォルニア大学バークレー・客員（文科省海外先進研究プログラム）
2004年4月 - 2007年3月

茨城大学工学部電気電子工学科助教授
2001年4月 - 2004年3月

筑波大学先端学際領域研究センタープロジェクト客員研究員（併任）
1996年4月 - 2004年3月

茨城大学工学部電気電子工学科助手

学歴

委員歴

2021年1月 - 現在

応用物理学会シリサイド系半導体及び関連物質研究会第８期副委員長、企画委員
2020年9月 - 現在

日本熱電学会評議員
2020年4月 - 現在

応用物理学会応用物理学会プログラム委員 9.4熱電変換世話人
2020年1月 - 現在

応用物理学会応用物理学会プログラム委員 9.4熱電変換世話人
2019年1月 - 2021年12月

応用物理学会シリサイド系半導体及び関連物質研究会第７期副委員長、企画委員
2010年1月 - 2012年12月

応物シリサイド系半導体及び関連物質研究会委員長 (Chair)
2010年1月 - 2012年12月

応用物理学会シリサイド系半導体及び関連物質研究会第４期委員長
2007年4月 - 2010年3月

応物シリサイド系半導体及び関連物質研究会副委員長 (Vice Chair)

受賞

2022年12月

Semicon Japan, Academia Awards スポンサー賞マグネシウムシリサイド半導体を用いた赤外線センサと熱光発電セルの開発 SEMI, Japan

茨城大学半導体研究室(鵜殿治彦、中村陸斗、宮後大介)
2022年12月

令和4年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会優秀発表賞口頭発表(指導学生) 反応性イオンエッチングによるMg2Si基板表面の微細加工電気学会東京支部茨城支所

中村陸斗(中村陸斗、鵜殿治彦)
2022年12月

令和4年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会優秀発表賞口頭発表(指導学生) Mg2SiウェハのXRCピークとX線回折角の関係電気学会東京支部茨城支所

梅原翼(梅原翼, 鵜殿治彦)
2021年12月

令和3年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会優秀発表賞口頭発表(指導学生) メッシュ状電極Mg2Siフォトダイオードの温度依存性電気学会東京支部茨城支所

市川雄大(市川雄大, 吉田美沙、津谷大樹、鵜殿治彦)
2021年12月

令和3年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会優秀発表賞口頭発表(指導学生) リンイオン注入プロセスによるMg2Si-PDの作製電気学会東京支部茨城支所

中村陸斗(中村陸斗、鵜殿治彦)
2019年7月

Young Scientist Award (APAC-Silicide 2019) Committee of APAC-Silicide 2019, JSAP

Y. Fuse(Y. Fuse, R. Masubuchi, T. Ishikawa, K. Gosyuu, H. Udono
2019年7月

Young Scientist Award (APAC-Silicide 2019)(指導学生）
2018年11月

平成30年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会学生発表優秀賞口頭発表(指導学生) OCVD法によるMg2Siのライフタイム評価電気学会東京支部茨城支所

高橋史也, 也, 鵜殿治彦
2018年11月

平成30年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会学生発表優秀賞口頭発表(指導学生) Znを添加したMg2Sn結晶の融液成長電気学会東京支部茨城支所

佐藤彰, 佐藤彰, 小谷野慈, 菅原劉丞, 鵜殿治彦
2018年11月

平成30年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会学生発表優秀賞口頭発表(指導学生) OCVD法によるMg2Siのライフタイム評価電気学会東京支部茨城支所

高橋史也(高橋史也, 鵜殿治彦)
2018年11月

平成30年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会学生発表優秀賞口頭発表(指導学生) Znを添加したMg2Sn結晶の融液成長電気学会東京支部茨城支所

佐藤彰(佐藤彰, 小谷野慈, 菅原劉丞, 鵜殿治彦)
2017年11月

平成29年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会学生発表優秀賞ポスター(指導学生) 溶融Mg2Si結晶の添加不純物による酸化効果への影響電気学会東京支部茨城支所

金田大, 金田大, 今野嵩, 鵜殿治彦
2017年11月

平成29年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会学生発表優秀賞ポスター(指導学生) 溶融Mg2Si結晶の添加不純物による酸化効果への影響電気学会東京支部茨城支所

金田大(金田大, 今野嵩, 鵜殿治彦)
2016年12月

平成28年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会学生発表優秀賞ポスター(指導学生) Mg2Siを用いたフォトダイオードの光検出器としての性能評価電気学会東京支部茨城支所

秋山智洋, 智洋, 鬼沢雄馬, 中野達哉, 鵜殿治彦, 谷川俊太郎, 津谷大樹
2016年12月

平成28年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会学生発表優秀賞ポスター(指導学生) Mg2Siを用いたフォトダイオードの光検出器としての性能評価電気学会東京支部茨城支所

秋山智洋(秋山智洋, 鬼沢雄馬, 中野達哉, 鵜殿治彦, 谷川俊太郎, 津谷大樹)
2016年7月

Young Scientist Award (APAC-Silicide 2016) Committee of APAC-Silicide 2016, JSAP

Syu Konno(S. Konno, T. Otsubo, K. Nakano, H. Udono
2016年7月

Young Scientist Award (APAC-Silicide 2016)(指導学生）
2015年3月

第75回応用物理学会秋季学術講演会講演奨励賞（指導学生）応用物理学会

堀信彦, 江坂文孝, 鵜殿治彦
2015年3月

第75回応用物理学会秋季学術講演会講演奨励賞（指導学生）
2014年11月

第22回電気学会茨城支所学生発表優秀賞口頭発表(指導学生) Mg2Si溶融結晶の格子熱伝導率の低減と熱電性能の改善電気学会東京支部茨城支所

大坪翼, 大竹秀明, 鵜殿治彦

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主要な論文

109

Silicon meets group-II metals in energy and electronic applications—How to handle reactive sources for high-quality films and bulk crystals

T. Suemasu, K.O. Hara, H. Udono, Manabu and M. Imai

J. Appl. Phys. 131 191101-1-191101-16 2022年5月20日査読有り招待有り
Single crystal growth of small-angle-grain-boundary-free Mg2Si via vertical Bridgman method

Ryohei Masubuchi, Babak Alinejad, Yoshiaki Hara, Haruhiko Udono

Journal of Crystal Growth 571 126258-126258 2021年7月17日査読有り最終著者責任著者
Interface driven energy-filtering and phonon scattering of polyaniline incorporated ultrathin layered molybdenum disulphide nanosheets for promising thermoelectric performance

R. Abinaya a, J. Archana, S. Harish, M. Navaneethan, C. Muthamizhchelvan, S. Ponnusamy, H. Udono, R. Sugahara, Y. Hayakawa, M. Shimomura

Journal of Colloid and Interface Science 584 295-309 2020年9月23日査読有り
Origins of the nitrogen-related deep donor center and its preceding species in nitrogen-doped silicon determined by deep-level transient spectroscopy

Nakamura Minoru, Murakami Susumu, Udono Haruhiko

Applied Physics Express 12(2) 21005-21005 2019年2月1日査読有り

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MISC

Mg2Si基板開発と赤外線センサへの展開

鵜殿治彦

レーザー研究 50(10) 570-574 2022年10月15日招待有り
マグネシウムシリサイドを用いた環境調和型赤外フォトダイオード

鵜殿治彦

応用物理 88(12) 797-801 2019年12月10日招待有り
赤外センサ用Mg₂Si結晶の融液成長

鵜殿治彦

日本結晶成長学会誌 45(3) 2018年10月招待有り
Si中Cu，Niの熱的振る舞い：フォトルミネッセンス/DLTS測定

中村稔, 村上進, 鵜殿治彦

表面科学 37(3) 128-133 2016年3月
見直され始めたシリサイド系熱電材料

鵜殿治彦

日本熱電学会誌 8(3) 3-6 2012年3月査読有り招待有り
資源・環境リスクに対応するシリサイド半導体の育成と物性評価

鵜殿治彦

第28回無機材料に関する最近の研究成果講演予稿集 5-8 2011年1月招待有り
Fluorescence EXAFS study of residual Ga in β-FeSi2 grown from Ga solvent

H Yamada, M Tabuchi, Y Takeda, H Udono

Journal of Physics: Conference Series 190 012069 2009年6月査読有り
半導体シリサイドの結晶成長と基礎物性

鵜殿治彦

応用物理 76(7) 790-793 2007年7月10日査読有り招待有り
鉄シリサイドバルク成長と特性

鵜殿治彦

機能材料 25(10) 31-40 2005年9月5日招待有り
シリサイド半導体の基礎物性

前田佳均,鵜殿治彦

日本学術振興会未踏・ナノデバイステクノロジー第151委員会，第65回研究会資料 1-8 2003年5月
β-FeSi2バルク結晶の光吸収

鵜殿治彦

第3回シリサイド系半導体研究会講演予稿 4 2003年3月
β-FeSi2の吸収特性

鵜殿治彦

「2002年シリサイド系半導体・夏の学校」研究会資料, JAERI-Conf 2002-014 14 3-5 2002年8月
半導体鉄シリサイドバルク結晶の溶液成長

鵜殿治彦

材料科学 37(1) 34-38 2000年9月査読有り

書籍等出版物

熱電変換材料実用・活用を目指した設計と開発

(担当:共著)

情報機構 2014年12月19日
シリサイド系半導体の科学と技術-資源･環境時代の新しい半導体と関連物質-

前田佳均編著 (担当:共著)

裳華房 2014年9月25日
サーマルマネージメント-余熱・排熱の制御と有効利用- 第4章第1節1.1 シリサイド系熱電材料の開発

鵜殿治彦

株）エヌ・ティー・エス 2013年4月17日 (ISBN: 9784864690607)
Thermoelectrics and its Energy Harvesting Chap.18 "Preparation and thermoelectric properties of Iron Disilicide "

Y. Isoda, H. Udono (担当:共著)

CRC Press 2012年 (ISBN: 9781439874707)

講演・口頭発表等

337

リンイオン注入によるn +層の形成とMg2Si-PDの分光感度特性

中村陸斗、鵜殿治彦

第69回応用物理学会春期学術講演会 2022年3月23日
Mg2Si結晶のキャリア濃度と赤外吸収の関係(Ⅱ)

土田裕大、水沼直樹、鵜殿治彦

第69回応用物理学会春期学術講演会 2022年3月23日
X線ロッキングカーブ測定によるMg2Si基板の評価(Ⅱ)

梅原翼、鵜殿治彦

第69回応用物理学会春期学術講演会 2022年3月23日
SrSi2の合成と物性評価II

今井基晴、Babak Alinejad、鵜殿治彦

第69回応用物理学会春期学術講演会 2022年3月23日
熱拡散でMg2Si基板に作製したpn接合ダイオードの少数キャリア拡散寿命と暗電流の評価(Ⅱ)

水沼直樹、鵜殿治彦

第69回応用物理学会春期学術講演会 2022年3月23日
マグネシウムシリサイド基板結晶の開発と赤外線センサへの応用

鵜殿治彦

2022年度日本結晶成長学会特別講演会 2022年2月18日招待有り
Mg2Si基板開発と赤外線センサへの展開

鵜殿治彦

レーザー学会学術講演会第42回年次大会 2022年1月13日招待有り
リンイオン注入プロセスによるMg2Si-PDの作製

中村陸斗、鵜殿治彦

令和3年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 2021年12月11日
メッシュ状電極Mg2Siフォトダイオードの温度依存性

市川雄大、吉田美沙、津谷大樹、鵜殿治彦

令和3年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 2021年12月11日
赤外分光によるMg2Siのキャリア濃度の非接触評価

土田裕大、水沼直樹、鵜殿治彦

令和3年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 2021年12月11日
マグネシウムシリサイドショットキー電極の作製と評価

千葉諒、鵜殿治彦

令和3年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 2021年12月11日
カーボン坩堝で成長したMg2Si結晶の粒界評価

植松達哉、土田裕大、梅原翼、水沼直樹、鵜殿治彦

令和3年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 2021年12月11日
Mg2Si上に堆積したシリコン酸化膜の光学特性

今泉尚己、中村陸斗、土田裕大、水沼直樹、鵜殿治彦

令和3年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 2021年12月11日
メッシュ状電極Mg2Si-PDの低温におけるアバランシェ増幅

市川雄大、吉田美沙、津谷大樹、鵜殿治彦

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月11日応用物理学会
CF4ガスによるMg2Si基板の反応性イオンエッチング特性

中村陸斗、吉田美沙、津谷大樹、鵜殿治彦

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月11日応用物理学会
Mg2Siショットキーダイオードの電気特性の解析

千葉諒、鵜殿治彦

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月11日応用物理学会
X線ロッキングカーブ測定によるMg2Si基板の評価

梅原翼、鵜殿治彦

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月11日応用物理学会
SrSi2の合成と物性評価

今井基晴、Alinejad Babak、鵜殿治彦

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月11日応用物理学会
土田祐大、水沼直樹、鵜殿治彦

土田祐大、水沼直樹、鵜殿治彦

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月10日応用物理学会
熱電素子内の温度分布が出力に及ぼす影響

板倉翔太郎、井上裕之、加藤雅彦、鵜殿治彦、小林隆秀

第18回日本熱電学会学術講演会 2021年8月24日

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鵜殿治彦

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研究分野

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委員歴

受賞

主要な論文

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

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