鵜殿治彦 (Haruhiko UDONO) - マイポータル

基本情報

所属: 茨城大学理工学研究科（工学野）電気電子システム工学領域教授

学位: 博士（工学）(1996年3月静岡大学)

研究者番号: 10282279
ORCID iD: https://orcid.org/0000-0001-5521-8574
J-GLOBAL ID: 200901068252484827
researchmap会員ID: 5000064136

外部リンク: http://www.ee.ibaraki.ac.jp/hanken/

(研究経歴) 1990年-1996年：InGaP系混晶を用いた緑色ダイオードの開発,1996年-2000年：ZnSeバルク単結晶の成長とその化学量論組成の評価法の開発,2000年-現在：β-FeSi2バルク単結晶の育成とその応用,2001年-現在：シリサイド半導体を用いた近赤外発光受光素子の開発,2007年-現在：シリサイド熱発電素子の開発

研究キーワード

シリサイド半導体、赤外受光素子、熱電変換、シリコンフォトニクス、太陽電池、バルク単結晶、薄膜、表面、ナノ構造、結晶成長、分子線エピタキシー

主要な研究分野

主要な経歴

2018年4月 - 現在

茨城大学, 工学部電気電子システム工学科, 教授
2018年4月 - 現在

茨城大学, 大学院理工学研究科電気電子システム工学専攻, 教授
2012年4月 - 2018年3月

茨城大学, 工学部電気電子工学科, 教授
2008年7月 - 2009年2月

カリフォルニア大学バークレー・客員研究員（文科省海外先進研究プログラム）

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主要な学歴

- 1996年3月

静岡大学, 電子科学研究科, 電子応用工学専攻

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主要な委員歴

2025年1月 - 現在

応用物理学会シリサイド系半導体及び関連物質研究会, 第９期副委員長、企画委員
2020年9月 - 現在

日本熱電学会, 評議員
2021年1月 - 2024年12月

応用物理学会シリサイド系半導体及び関連物質研究会, 第８期副委員長、企画委員
2020年4月 - 2023年9月

応用物理学会, 応用物理学会プログラム委員 9.4熱電変換世話人
2019年1月 - 2021年12月

応用物理学会シリサイド系半導体及び関連物質研究会, 第７期副委員長、企画委員
2010年1月 - 2012年12月

応用物理学会シリサイド系半導体及び関連物質研究会, 第４期委員長

主要な受賞

2024年11月

The 21st ICFD (2024), Best Presentation Award for Young Researcher（指導学生）, Epitaxial Growth of High-quality Mg3Sb2-based Thin Films and Their Thermoelectric Properties, Institute of Fluid Science, Tohoku University

Akito Ayukawa, N Kiridoshi, T Kuriyama, W Yamamoto, A Yasuhara, H Udono, S Sakane
2024年3月

第56回（2024年春季）応用物理学会講演奨励賞（共同研究者）, サファイア基板上エピタキシャルMg3Sb2薄膜の熱電特性評価, 応用物理学会

坂根駿也, 鮎川, 瞭仁, 切通望, 綿引詩門, 鵜殿治彦
2023年9月

第55回（2023年秋季）応用物理学会講演奨励賞（指導学生）, 熱光発電に向けたMg2Siフォトダイオードの電流電圧特性の評価, 応用物理学会

宮後大介(坂根駿也, 鵜殿治彦)
2022年12月

Semicon Japan, Academia Awards スポンサー賞, マグネシウムシリサイド半導体を用いた赤外線センサと熱光発電セルの開発, SEMI, Japan

茨城大学半導体研究室(鵜殿治彦、中村陸斗、宮後大介)
2019年7月

Young Scientist Award (APAC-Silicide 2019)(指導学生）, Committee of APAC-Silicide 2019, JSAP

Y. Fuse(Y. Fuse, R. Masubuchi, T. Ishikawa, K. Gosyuu, H. Udono)
2016年7月

Young Scientist Award (APAC-Silicide 2016)指導学生, Committee of APAC-Silicide 2016, JSAP

Syu Konno(S. Konno, T. Otsubo, K. Nakano, H. Udono
2015年3月

第75回応用物理学会秋季学術講演会講演奨励賞（指導学生）, 応用物理学会

堀信彦, 江坂文孝, 鵜殿治彦
2014年7月

Young Scientist Award (ICSS-Silicide 2014)(指導学生）, Committee of ICSS-Silicide 2014, JSAP

N. Hori, S. Hasunuma, F. Esaka, H. Udono
2013年7月

Young Scientist Award (Asia-Pasific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials, APAC-Silicide 2013), Committee of APAC-Silicide 2013, JSAP

S. Kojima, M. Imai, T. Kume, K. Tanigaki, H. Tajima, H. Udono
2004年1月

研究奨励賞（高柳建次郎財団）, 波長1.5μｍ帯で発光するＳｉ系発光ダイオードに関する研究, 公益財団法人高柳建次郎財団

鵜殿治彦

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主要な論文

129

Fabrication of Mg2Si linear photodiode arrays for SWIR imaging

Haruhiko Udono, Kaito Ojima, Naoki Imaizumi, Hideto Takei, Shunya Sakane

Proc. of SPIE, Optical Components and Materials XXII 13362 133620I 2025年4月1日査読有り筆頭著者責任著者
Evaluation of Mg2Si TPV cells fabricated on n-Mg2Si substrate by thermal diffusion of Ag acceptor

Takumi Shimizu, Daisuke Miyago, Kosuke Shimano, Shunya Sakane, Haruhiko Udono

Japanese Journal of Applied Physics 63 12SP17 2024年12月5日査読有り責任著者
Record High Thermoelectric Figure of Merit of a III-V Semiconductor InGaSb by Defects Engineering via the Addition of Excess Constituent Elements

Nirmal Kumar Velu, Yasuhiro Hayakawa, Haruhiko Udono, Shunya Sakane, Yuko Inatomi

ACS Applied Materials and Interfaces 16(35) 46433-46441 2024年9月4日査読有り
Epitaxial growth of high-quality Mg₃Sb₂ thin films on annealed c-plane Al₂O₃ substrates and their thermoelectric properties

Akito Ayukawa, Nozomu Kiridoshi, Wakaba Yamamoto, Akira Yasuhara, Haruhiko Udono, Shunya Sakane

2024年5月22日査読有り
Precise synthesis of copper selenide nanowires with tailored Cu vacancies through photo-induced reduction for thermoelectric applications

Shunya Sakane, Tatsuki Miura, Kazuki Munakata, Yusuke Morikawa, Shunichiro Miwa, Riku Yamanaka, Toshiki Sugai, Akito Ayukawa, Haruhiko Udono, Hideki Tanaka

Nanoscale Advances 6(13) 3299-3305 2024年4月査読有り
Control of Ag acceptor concentration and pn-junction depth in single crystalline Mg2Si photodiodes

Shunya Sakane, and Haruhiko Udono

AIP Advances 2023年11月査読有り責任著者
Effects of Te-doping on the thermoelectric properties of InGaSb crystals

V. Nirmal Kumar, Y. Hayakawa, H. Udono, and Y. Inatomi

J Mater Sci: Mater Electron 34(19) 1480 2023年6月5日査読有り
Thermoelectric properties of Zn-doped In0.95Ga0.05Sb crystals grown by directional solidification

V. Nirmal Kumar, Y. Hayakawa, H. Udono, and Y. Inatomi

Journal of Materials Science 58(19) 7995-8004 2023年5月10日査読有り
Study of deep levels in the Mg2Si grown by vertical Bridgman method

Kouki Fukushim, Naoki Mizunuma, Tatsuya Uematsu, Kyoko Shimizu, Takehiro Ota, Isao Tsunoda, Haruhiko UDONO, Kenichiro Takakura

62(SD) SD1012-SD1012 2023年5月1日査読有り
Effect of Impurity Doping on Thermoelectric Properties of Melt-Grown Mg2Sn Crystals

Hidetsugu Motoki, Naofumi Tsuchiya, Sho Sato, Megumu Koyano, and Haruhiko Udono

JJAP Conf. Proc. 10 011004 2023年4月26日査読有り責任著者
Growth of 2-inch diameter Mg2Si crystal by the VGF method under Ar normal pressure

Tsubasa Umehara, Naoki Mizunuma, and Haruhiko Udono

JJAP Conf. Proc. 10 011002 2023年4月26日査読有り責任著者
Effects of dopant type and concentration on surface recombination velocity in hydrogen-terminated silicon

Nobue Araki, Haruhiko Udono

Japanese Journal of Applied Physics 61(9) 095504-095504 2022年8月19日査読有り
Silicon meets group-II metals in energy and electronic applications—How to handle reactive sources for high-quality films and bulk crystals

T. Suemasu, K.O. Hara, H. Udono, Manabu and M. Imai

J. Appl. Phys. 131 191101-1-191101-16 2022年5月20日査読有り招待有り
Local structure analysis of Sb, Bi, and Ag dopant atoms in Mg2Si semiconductor by,x-ray absorption spectroscopy and first- principles calculation

Mamoru Kitaura, Shinta Wantanabe, Toshiaki Ina, Motoharu Imai, Haruhiko Udono, Manabu Ishizaki, Hisanori Yamane, Taku Tanimoto, and Akimasa Ohnishi

J. Appl. Phys. 130(24) 245105-1-245105-9 2021年12月30日査読有り
Single crystal growth of small-angle-grain-boundary-free Mg2Si via vertical Bridgman method

Ryohei Masubuchi, Babak Alinejad, Yoshiaki Hara, Haruhiko Udono

Journal of Crystal Growth 571 126258-126258 2021年7月17日査読有り最終著者責任著者
Interface driven energy-filtering and phonon scattering of polyaniline incorporated ultrathin layered molybdenum disulphide nanosheets for promising thermoelectric performance

R. Abinaya a, J. Archana, S. Harish, M. Navaneethan, C. Muthamizhchelvan, S. Ponnusamy, H. Udono, R. Sugahara, Y. Hayakawa, M. Shimomura

Journal of Colloid and Interface Science 584 295-309 2020年9月23日査読有り
Origins of the nitrogen-related deep donor center and its preceding species in nitrogen-doped silicon determined by deep-level transient spectroscopy

Nakamura Minoru, Murakami Susumu, Udono Haruhiko

Applied Physics Express 12(2) 21005-21005 2019年2月1日査読有り

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主要なMISC

Mg2Si基板開発と赤外線センサへの展開

鵜殿治彦

レーザー研究 50(10) 570-574 2022年10月15日招待有り
マグネシウムシリサイドを用いた環境調和型赤外フォトダイオード

鵜殿治彦

応用物理 88(12) 797-801 2019年12月10日招待有り
赤外センサ用Mg₂Si結晶の融液成長

鵜殿治彦

日本結晶成長学会誌 45(3) 2018年10月招待有り
見直され始めたシリサイド系熱電材料

鵜殿治彦

日本熱電学会誌 8(3) 3-6 2012年3月招待有り
半導体シリサイドの結晶成長と基礎物性

鵜殿治彦

応用物理 76(7) 790-793-793 2007年7月10日招待有り
鉄シリサイドバルク成長と特性

鵜殿治彦

機能材料 25(10) 31-40 2005年9月5日招待有り

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書籍等出版物

熱電変換材料実用・活用を目指した設計と開発

(担当:共著)

情報機構 2014年12月19日
シリサイド系半導体の科学と技術-資源･環境時代の新しい半導体と関連物質-

前田佳均編著 (担当:共著)

裳華房 2014年9月25日
サーマルマネージメント-余熱・排熱の制御と有効利用- 第4章第1節1.1 シリサイド系熱電材料の開発

鵜殿治彦

株）エヌ・ティー・エス 2013年4月17日 (ISBN: 9784864690607)
Thermoelectrics and its Energy Harvesting Chap.18 "Preparation and thermoelectric properties of Iron Disilicide "

Y. Isoda, H. Udono (担当:共著)

CRC Press 2012年 (ISBN: 9781439874707)

講演・口頭発表等

エピタキシャルMg3Bi2薄膜の大気安定性および熱電性能評価

栗山武琉, 鮎川瞭仁, 根城虹希, 鵜殿治彦, 坂根駿也

第72回応用物理学会春期学術講演会 2025年3月17日
エピタキシャルMg3Sb2/Mg3Bi2薄膜の電気特性と構造評価

根城虹希, 鮎川瞭仁, 切通望, 栗山武琉, 鵜殿治彦, 坂根駿也

第72回応用物理学会春期学術講演会 2025年3月16日
スパッタリング堆積法によるSi基板上へのInSb薄膜の成長と評価

小金澤藍登, 久保田啓聖, 鮎川瞭仁, 坂根駿也, 鵜殿治彦

第72回応用物理学会春期学術講演会 2025年3月16日
平底pBN坩堝からブリッジマン成長したMg2Si結晶の結晶成長方位

鉄幸多朗, 島野航輔, 木村侑生, 藤久善司, 坂根駿也, 鵜殿治彦

第72回応用物理学会春期学術講演会 2025年3月16日
Ag拡散源の膜厚によるMg2Si-PDの受光感度への影響

飯野有紀, 武井日出人, 尾嶋海人, 坂根駿也, 鵜殿治彦

第72回応用物理学会春期学術講演会 2025年3月16日
Mg3Sb2薄膜への不純物ドーピングに向けたイオン注入法の検討

坂根駿也, 鮎川瞭仁, 切通望, 栗山武琉, 根城虹希, 鵜殿治彦

第72回応用物理学会春期学術講演会 2025年3月15日
c-Al2O3基板上Mg3Bi2薄膜のエピタキシャル成長及び熱電特性評価

鮎川瞭仁, 栗山武流, 根城虹希, 鵜殿治彦, 坂根駿也

第72回応用物理学会春期学術講演会 2025年3月15日
短波赤外イメージセンサに向けたMg2Si-PDリニアアレイの試作(II)

古田良輔, 尾嶋海人, 武井日出人, 勝俣響, 坂根駿也, 鵜殿治彦

第72回応用物理学会春期学術講演会 2025年3月14日
Si(001)基板上に作製したエピタキシャルMg3Sb2薄膜の赤外受光特性

切通望, 鮎川瞭仁, 根城虹希, 栗山武琉, 山本若葉, 安原聡, 佐藤康平, 鵜殿治彦, 坂根駿也

第72回応用物理学会春期学術講演会 2025年3月14日
Mg2Siのラマンスペクトルと第一原理計算によるフォノンダイナミクス解析

島野航輔, 太田岳宏, 高倉健一郎, 坂根駿也, 鵜殿治彦

第72回応用物理学会春期学術講演会 2025年3月14日
Fabrication of Mg2Si linear photodiode arrays for SWIR imaging

Haruhiko UDONO, Kaito Ojima, Naoki Imaizumi, Hideto Takei, Shunya Sakane

SPIE Photonics West 2025 2025年1月28日
エピタキシャル Mg3SbBi 薄膜における電気特性の温度依存性

根城虹希, 栗山武琉, 鮎川瞭仁, 切通望, 鵜殿治彦, 坂根駿也

令和6年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 2024年11月30日
シリコン基板上の InSb のスパッタ成膜

小金澤藍登, 久保田啓聖, 鮎川瞭仁, 坂根駿也, 鵜殿治彦

令和6年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 2024年11月30日
c-Al2O3 基板上エピタキシャル Mg3Bi2 薄膜の大気安定性の向上

栗山武琉, 鮎川瞭仁, 鵜殿治彦, 坂根駿也

令和6年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 2024年11月30日
平坦坩堝からブリッジマン成長した Mg2Si結晶の成長方位と結晶性評価

鉄幸多朗, 島野航輔, 藤久善司, 木村侑生, 鵜殿治彦, 坂根駿也

令和6年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 2024年11月30日
低温・バイアス下におけるマグネシウムシリサイドフォトダイオードの分光感度

古田良輔, 勝俣響, 坂根駿也, 鵜殿治彦

令和6年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 2024年11月30日
微細加工によるマグネシウムシリサイドフォトダイオードのAg 拡散条件と分光感度

勝俣響, 古田良輔, 尾嶋海人, 武井日出人, 坂根駿也, 鵜殿治彦

令和6年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 2024年11月30日
Epitaxial Growth of High-quality Mg3Sb2-based Thin Films and Their Thermoelectric Properties

Akito Ayukawa, Nozomu Kiridoshi, Takeru Kuriyama, Wakaba Yamamoto, Akira Yasuhara, Haruhiko Udono, Shunya Sakane

The 21st International Conference on Flow Dynamics 2024年11月18日
Sc 添加したMg3(Sb,Bi)2結晶合成と熱電特性評価

小金澤直, 鮎川瞭仁, 坂根駿也, 鵜殿治彦

第 21 回日本熱電学会学術講演会 2024年9月25日
c-Al2O3 基板上へのエピタキシャル Mg3Bi2 薄膜の作製条件探索及び熱電特性評価

鮎川瞭仁, 栗山武流, 鵜殿治彦, 坂根駿也

第 21 回日本熱電学会学術講演会 2024年9月24日

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主要な所属学協会

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産業財産権

特許第5660528号 GaあるいはSnでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体およびその製造方法

鵜殿治彦
特開2008-303078 シリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜の製造方法

山田洋一, 山本博之, 大場弘則, 江坂文孝, 山口憲司, 社本真一, 横山淳, 北條喜一, 笹瀬雅人, 鵜殿治彦
特許第3912959号 β-FeSi2結晶の製造方法および製造装置

鵜殿治彦, 菊間勲
特許第3891722号鉄シリサイド結晶の製造方法

鵜殿治彦
特開2002-003300 β-FeSi2結晶の製造方法および製造装置

鵜殿治彦, 菊間勲

鵜殿治彦

基本情報

研究キーワード

主要な研究分野

主要な経歴

主要な学歴

主要な委員歴

主要な受賞

主要な論文

主要なMISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

主要な所属学協会

産業財産権

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