2003年6月13日
Al_2O_3/Si_3N_4 薄層絶縁ゲートをもつチャネルドープ AlGaN/GaN ヘテロ構造 FET
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス
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- 巻
- 103
- 号
- 117
- 開始ページ
- 7
- 終了ページ
- 10
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- 出版者・発行元
- 一般社団法人電子情報通信学会
新構造のAlGaN/GaN MIS HFETを提案し、試作したデバイスの静特性を報告する。提案の要点は、(1)チャネルドープ構造、および、(2)Al_2O_3/Si_3N_4なる2層絶縁ゲート膜、を用いる点である。ゲート長1.5μmの試作デバイスからは、145 mS/mmなるgm、1.6 A/mmなる最大級の飽和電流密度、低ゲートリーク電流なる魅力的な特性が得られ、本構造が今後のデバイス高性能化に有望であることが示唆された。
- リンク情報
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- CiNii Articles
- http://ci.nii.ac.jp/naid/110003175322
- CiNii Books
- http://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10012954
- URL
- http://id.ndl.go.jp/bib/6645296
- ID情報
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- ISSN : 0913-5685
- CiNii Articles ID : 110003175322
- CiNii Books ID : AN10012954