毛利真一郎 (SHINICHIRO MOURI) - マイポータル

基本情報

Thermal Conductivity of van der Waals Hetero-bilayer MoS2/MoSe2

MOURI. Shinichiro, MATSUDA. Kazunari, Nanishi. Yasushi, ARAKI. Tsutomu

Appl. Phys. Exp 13 75001/1 - 75001/5 2020年6月4日査読有り
Metal-Covered van der Waals Epitaxy of Gallium Nitride Films on Graphitic Substrates by ECR-MBE

U. Ooe, F. Bin Abas, S. Mouri, Y. Nanishi, T. Araki, “

Jpn. J. Appl. Phys. 58(SC) SC1053 2019年6月査読有り
Enhancement of InN Luminescence by Introduction of Graphene Interlayer

Darius Dobrovolskas, Shingo Arakawa, Shinichiro Mouri, Tsutomu Araki, Yasushi Nanishi, Jūras Mickevičius and Gintautas Tamulaitis

Nanomaterials 9(3) 417 2019年3月査読有り
Evidence for line width and carrier screening effects on excitonic valley relaxation in 2D semiconductors

Yuhei. Miyauchi, Satoru. Konabe, Feijiu. Wang, Wenjin. Zhang, Alexander. Hwang, Yuusuke. Hasegawa, Lizhong. Zhou, Shinichiro. Mouri, Mingling. Toh, Goki. Eda and Kazunari. Matsuda

Nature Communications 9 2598 2018年8月査読有り

カルコゲナイド系層状物質の最新研究第3編第4章

毛利真一郎, 松田一成(担当:分担執筆, 範囲:228-236)

シーエムシー出版 2016年7月 (ISBN: 9784781311661)

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Thermal conductivity of suspended twisted bilayer graphene

J. Doi, S. Mouri, T.Araki

39th. Electronic Materials Symposium 2020年10月8日
Influenece of the Layer Number of Graphene on Remote Epitaxy of InN byRF-MBE

K. Matsushima, S. Mouri, T. Araki

39th. Electronic Materials Symposium 2020年10月8日
Growth of GaN Film on ScSlMgO4 Substrate by RF-MBE

S.Kayamoto, T. Fuji, T. Fukuda, R. Sugie, S. Mouri and T.Araki

39th. Electronic Materials Symposium 2020年10月7日
Thermal Transport Property of Suspended Twisted Bilayer Graphene

土井惇太郎, 毛利真一郎, 荒木努

第59回フラーレンナノチューブグラフェン学会総合シンポジウム 2020年9月18日
RF-MBE法によるScAlMgO4基板上へのGaNエピタキシャル成長 Ⅱ

栢本聖也, 藤井高志, 福田承生, 杉江隆一, 毛利真一郎, 荒木努

応用物理学会68回学術講演会 2020年9月11日