原田信介 (Shinsuke Harada) - マイポータル

基本情報

所属: 国立研究開発法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センターパワーデバイスチーム研究チーム長

研究者番号: 20392649
ORCID iD: https://orcid.org/0000-0002-0053-4606
J-GLOBAL ID: 200901074067216646
Researcher ID: M-4142-2018
researchmap会員ID: 5000086222

外部リンク: http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=S60667168

研究分野

論文

152

3D Van der Pauw Device for MOS Channel Characterization on 4H-SiC Trench Sidewalls

Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada

IEEE Electron Device Letters 2024年4月査読有り
Comparison of 1.2 kV SiC Superjunction MOSFETs Formed by Multi-epitaxial Growth and Trench-filling Epitaxial Growth

Mitsuru Sometani, Kunihide Oozono, Shiyang Ji, Takeshi Tawara, Tadao Morimoto, Tomohisa Kato, Kazutoshi Kojima, Shinsuke Harada

IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems 144(3) 257-262 2024年3月1日
Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs

Tetsuo Hatakeyama, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada

Journal of Applied Physics 131(14) 145701-145701 2022年4月14日
Electrical detection of TV2a-type silicon vacancy spin defect in 4H-SiC MOSFETs

Yuta Abe, Akihumi Chaen, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Yuichi Yamazaki, Takeshi Ohshima, Takahide Umeda

Applied Physics Letters 2022年2月7日査読有り
Crystal-orientation-dependent flatband voltage of non-polar GaN MOS interfaces investigated using trench sidewall capacitors

Hirohisa Hirai, Yoshinao Miura, Akira Nakajima, Shinsuke Harada, Hiroshi Yamaguchi

APPLIED PHYSICS LETTERS 119(7) 2021年8月
High-speed switching operation for a SiC CMOS and power module

Atsushi Yao, Mitsuo Okamoto, Fumiki Kato, Hiroshi Hozoji, Shinji Sato, Shinsuke Harada, Hiroshi Sato

IEICE Electronics Express 18(14) 1-5 2021年7月25日
Accurate determination of threshold voltage shift during negative gate bias stress in 4H-SiC MOSFETs by fast on-the-fly method

Hiroki Sakata, Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Hirohisa Hirai, Shinsuke Harada, Tetsuo Hatakeyama, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro

Japanese Journal of Applied Physics 60(6) 060901-060901 2021年6月1日
Ultra-Low Specific on-Resistance Achieved in 3.3 kV-Class SiC Superjunction MOSFET

Masakazu Baba, Takeshi Tawara, Tadao Morimoto, Shinsuke Harada, Manabu Takei, Hiroshi Kimura

Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 2021- 83-86 2021年5月30日
Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs

Shunki Todaka, Kevin Matsui, Ruito Aiba, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro, Masakazu Baba, Shinsuke Harada

Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 2021- 219-222 2021年5月30日
Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs

Kevin Matsui, Ruito Aiba, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro, Masakazu Baba, Shinsuke Harada

Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 2021- 215-218 2021年5月30日
First Demonstration of a Monolithic SiC Power IC Integrating a Vertical MOSFET with a CMOS Gate Buffer

Mitsuo Okamoto, Atsushi Yao, Hiroshi Sato, Shinsuke Harada

Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 2021-May 71-74 2021年5月30日
Free carrier density enhancement of 4H-SiC Si-face MOSFET by Ba diffusion process and NO passivation

Shogo Sekine, Masakazu Okada, Teruaki Kumazawa, Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai, Naoya Serizawa, Ryu Hasunuma, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada

Japanese Journal of Applied Physics 60({SB}) 2021年5月1日査読有り
Iron loss evaluation of magnetic materials excited by a SiC inverter with a Schottky barrier diode wall-integrated trench MOSFET

Atsushi Yao, Fumiki Kato, Hiroshi Hozoji, Shinsuke Harada, Hiroshi Yamaguchi, Hiroshi Sato

AIP ADVANCES 10(12) 2020年12月
Demonstration of Superior Electrical Characteristics for 1.2 kV SiC Schottky Barrier Diode-Wall Integrated Trench MOSFET With Higher Schottky Barrier Height Metal

Ruito Aiba, Kevin Matsui, Masakazu Baba, Shinsuke Harada, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 41(12) 1810-1813 2020年12月
Superior Short-Circuit Performance of SiC Superjunction MOSFET

Masakazu Okada, Shinya Kyogoku, Teruaki Kumazawa, Jun Saito, Tadao Morimoto, Manabu Takei, Shinsuke Harada

Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 2020- 70-73 2020年9月1日
Analysis of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS after Short-circuit Stress

Masataka Okawa, Taiga Kanamori, Ruito Aiba, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro, Shinsuke Harada

Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 2020- 74-77 2020年9月1日
Investigation of dVDS/dt Controllability on Rgin SWITCH-MOS to Achieve Superior Turn-on Characteristics with Low dVDS/dt

Ruito Aiba, Kevin Matsui, Masataka Okawa, Taiga Kanamori, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro, Shinsuke Harada

Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 2020- 174-177 2020年9月1日
Difference in electron mobility at 4H-SiC/SiO2 interfaces with various crystal faces originating from effective-field-dependent scattering

Hirohisa Hirai, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada, Hajime Okumura, Hiroshi Yamaguchi

APPLIED PHYSICS LETTERS 117(4) 2020年7月
Electrically detected magnetic resonance study on interface defects at nitrided Si-face, a-face, and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces

E. Higa, M. Sometani, H. Hirai, H. Yano, S. Harada, T. Umeda

Applied Physics Letters 2020年4月27日査読有り
Electron-spin-resonance and electrically detected-magnetic-resonance characterization on PbC center in various 4H-SiC(0001)/SiO2 interfaces

T. Umeda, Y. Nakano, E. Higa, T. Okuda, T. Kimoto, T. Hosoi, H. Watanabe, M. Sometani, S. Harada

Journal of Applied Physics 127(14) 145301-145301 2020年4月14日

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MISC

TMAH処理を施したGaN UMOSにおけるチャネル特性の面方位依存性

平井悠久, 三浦喜直, 中島昭, 原田信介, 山口浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
p型層へのほう素注入を用いた伝導率制御による垂直GaNパワーデバイスのための新しいJTE技術【JST・京大機械翻訳】

Miura Yoshinao, Hirai Hirohisa, Nakajima Akira, Harada Shinsuke

IEEE Conference Proceedings 2021(ISPSD) 2021年
超低実効pエピ濃度基板を用いて評価した4H-SiC(0001) MOSFETの反転チャネル電子の散乱要因

染谷満, 細井卓治, 平井悠久, 畠山哲夫, 原田信介, 矢野裕司, 志村考功, 渡部平司, 米澤喜幸, 奥村元

2018年11月査読有り
三次元アトムプローブを用いたSiO2/SiC界面窒素の評価

山田敬一, 藤掛伸二, 岩橋洋平, 原田信介, 矢野, 裕司, 奥村元

第78回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 13-003 2017年9月
実用化に向けて加速するSiC半導体の周辺技術開発と次世代フェーズへの取り組み 16kV級超高耐圧SiC IE-IGBTの開発

米澤喜幸, 水島智教, 竹中研介, 藤澤弘幸, 岡本光央, 吉川満, 松永慎一郎, 加藤智久, 岡本大, 原田信介 …

工業材料 62(3) 2014年
4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価 (シリコン材料・デバイス)

梅田享英, 岡本光央, 小杉亮治, 荒井亮, 佐藤嘉洋, 原田信介, 奥村元, 牧野高紘, 大島武

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(87) 101-105 2013年6月18日
2.7mΩcm^2, 700Vを有する4H-SiC C面IEMOSFET

原田信介, 加藤真, 岡本光央, 八尾勉, 福田憲司, 荒井和雄

電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2006(47) 83-88 2006年10月24日
4.3mΩcm^2, 1100VノーマリオフSiC IE-MOSFET

原田信介, 加藤真, 岡本光央, 八尾勉, 福田憲司, 荒井和雄, ADACHI Kazuhiro

電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2005(45) 27-31 2005年10月27日
産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

福田憲司, 原田信介, 岡本光央, 小杉亮治, 先崎純寿, 田中保宣, 児島一聡, 八尾勉, 高尾和人, 安達和広 …

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 105(157) 1-4 2005年6月23日
産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

福田憲司, 原田信介, 岡本光央, 小杉亮治, 先崎純寿, 田中保宣, 児島一聡, 八尾勉, 高尾和人, 安達和広 …

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 105(154) 1-4 2005年6月23日

共同研究・競争的資金等の研究課題

SiC-MOSFET負荷短絡時の素子残留ダメージが信頼性特性へ及ぼす影響の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2021年4月 - 2025年3月

岩室憲幸, 原田信介, 矢野裕司
SiC-MOSFET負荷短絡時の素子残留ダメージが信頼性特性へ及ぼす影響の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2021年4月 - 2025年3月

岩室憲幸, 原田信介, 矢野裕司
ワイドギャップ半導体MOS界面欠陥の正体の横断的解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2020年4月 - 2025年3月

藤ノ木享英, 牧野俊晴, 五十嵐信行, 磯谷順一, 染谷満, 松下雄一郎, 原田信介
ワイドギャップ半導体（SiCおよびGaN）MOS界面欠陥の電子スピン共鳴分光同定

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2017年4月 - 2020年3月

藤ノ木享英, 岡本光央, 原田信介
炭化ケイ素（SiC）MOS界面準位の起源と移動度劣化メカニズムの分光学的解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2013年4月 - 2016年3月

藤ノ木享英, 小杉亮治, 岡本光央, 原田信介

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