2014年4月17日
招待講演 10nm技術世代マルチゲートFinFETデバイス・回路技術 (集積回路)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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- 巻
- 114
- 号
- 13
- 開始ページ
- 77
- 終了ページ
- 82
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- 出版者・発行元
- 一般社団法人電子情報通信学会
20nm技術世代以降の集積回路における最大の課題は,トランジスタ微細化に伴う待機時消費電力の増大と,顕在化する特性ばらつきを如何に抑え込むか,である.FinFETを代表とする立体チャネルマルチゲートトランジスタは,それら双方の課題を解決し得る素子として注目を浴びている.本稿では,10nm以降の技術世代での集積回路実現に向け開発された新規なFinFETデバイス技術と回路技術について論じる.
- リンク情報
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- CiNii Articles
- http://ci.nii.ac.jp/naid/110009875081
- CiNii Books
- http://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10013276
- URL
- http://id.ndl.go.jp/bib/025447934
- ID情報
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- ISSN : 0913-5685
- CiNii Articles ID : 110009875081
- CiNii Books ID : AN10013276