2011年6月
円柱状欠陥を持つEr123薄膜でのランダムピン止め中心と相関ピン止め中心の協調的な振る舞い
IEEE Transactions on Applied Superconductivity
- ,
- ,
- ,
- ,
- ,
- ,
- ,
- 巻
- 21
- 号
- 3
- 開始ページ
- 3192
- 終了ページ
- 3195
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- DOI
- 10.1109/TASC.2010.2089588
重イオン照射したEr123薄膜の磁束ピン止め特性を$J$$_{\rm c}$($B$, $T$, $\theta$)特性として詳細に調べた。B//cの$F$$_{\rm p}$曲線でマッチング磁場がc軸平行で0.3テスラとc軸から傾けたときは1.7テスラに相当するときに2つのピークが観測された。さらに$J$$_{\rm c}$($\theta$)で$\theta$=0$^{\circ}$(B//c)のときのピークは、円柱状欠陥によるピン止めに起因するが、磁場増加に伴い一旦減少するが不可逆磁場近傍では増大するようになる。c軸相関のピン止め中心とランダム分布のピン止め中心が協調して働いているモデルを用いると$F$$_{\rm p}$(B)の二重ピーク構造や$J$$_{\rm c}$の角度依存性を説明できることがわかった。
- リンク情報
- ID情報
-
- DOI : 10.1109/TASC.2010.2089588
- ISSN : 1051-8223