北村寿朗 (Toshio Kitamura) - マイポータル

基本情報

所属: 独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

学位: 博士(工学)

J-GLOBAL ID: 200901070053284473
researchmap会員ID: 5000102431

外部リンク: http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=T01551371

学歴

- 2006年

東京理科大学, 理工学研究科, 電気工学専攻

MISC

Generation of cubic phase in molecular-beam-epitaxy-grown hexagonal InGaN epilayers on InN

T Kitamura, XQ Shen, M Sugiyama, H Nakanishi, M Shimizu, H Okumura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 45(1A) 57-60 2006年1月
High-quality growth of AlN epitaxial layer by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

K Jeganathan, T Kitamura, M Shimizu, H Okumura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 41(1AB) L28-L30 2002年1月
Electrical characterization at cubic AlN/GaN heterointerface grown by radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy

T Kitamura, Y Ishida, XQ Shen, H Nakanishi, SF Chichibu, M Shimizu, H Okumura

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 228(2) 599-602 2001年11月
Growth and characterization of cubic InGaN epilayers on 3C-SiC by RF MBE

T Kitamura, SH Cho, Y Ishida, T Ide, XQ Shen, H Nakanishi, S Chichibu, H Okumura

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 227 471-475 2001年7月
Optical Properties of Cubic InGaN/GaN Multibpe Quantum Wells on 3C-SiC Substrates by Radio-frequency Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy

KITAMURA T, SUZUKI Y, ISHIDA Y, SHEN X Q, NAKANISHI H, CHICHIBU S F, SHIMIZU M, OKUMURA H

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 188(2) 705-709 2001年
Optical and structural studies in InGaN quantum well structure laser diodes

CHICHIBU S F, AZUHATA T, SUGIYAMA M, KITAMURA T, ISHIDA Y, OKUMURA H, NAKANISHI H, SOTA T, MUKAI T

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 19(6) 2177-2183 2001年

共同研究・競争的資金等の研究課題

GaN,SiCワイドギャップ半導体の光学、構造評価(顕微Raman分光、PL測定、XRD等々)