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2018年7月

Characterization of SiO2 reduction reaction region at void periphery on Si(110)

Japanese Journal of Applied Physics

Masahiro Yano
Yuki Uozumi
Satoshi Yasuda
Chie Tsukada
Hikaru Yoshida
Akitaka Yoshigoe
Hidehito Asaoka

巻: 57
号: 8S1
開始ページ: 08NB13
終了ページ
記述言語: 英語
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
DOI: 10.7567/jjap.57.08nb13
出版者・発行元: Japan Society of Applied Physics

リンク情報

DOI: https://doi.org/10.7567/jjap.57.08nb13
Web of Science: https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=JSTA_CEL&SrcApp=J_Gate_JST&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=WOS:000443890500015&DestApp=WOS_CPL
URL: http://orcid.org/0000-0002-3694-1641

ID情報

DOI : 10.7567/jjap.57.08nb13
ISSN : 0021-4922
eISSN : 1347-4065
ORCIDのPut Code : 48985722
Web of Science ID : WOS:000443890500015

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