平間一行 (Kazuyuki Hirama) - マイポータル

基本情報

所属: 旧所属早稲田大学理工学術院助手

J-GLOBAL ID: 200901014372193440
researchmap会員ID: 5000102835

MISC

Fabrication of T-shaped gate diamond metal-insulator-semiconductor field-effect transistors

Kazuyuki Hirama, Shingo Miyamoto, Hiroki Matsudaira, Hitoshi Umezawa, Hiroshi Kawarada

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 45(7) 5681-5684 2006年7月
Characterization of diamond metal-insulator-semiconductor field-effect transistors with aluminum oxide gate insulator

K Hirama, S Miyamoto, H Matsudaira, K Yamada, H Kawarada, T Chikyo, H Koinuma, K Hasegawa, H Umezawa

APPLIED PHYSICS LETTERS 88(11) 112117 2006年3月
Diamond MISFETs for High Frequency Applications

Jpn. J. Appl. Phys. 45(in press) 2006年
ホール蓄積層を用いたダイヤモンドＭＩＳＦＥＴのパワー特性

応用物理学会学術講演会春季第53回 2006年
ダイヤモンドへのイオン照射による局所低抵抗層の形成とその応用

応用物理学会学術講演会春季第53回 2006年
RF diamond transistors: Current status and future prospects

H Umezawa, K Hirama, T Arai, H Hata, H Takayanagi, T Koshiba, K Yohara, S Mejima, M Satoh, KS Song …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 44(11) 7789-7794 2005年11月
Fabrication of diamond MISFET with micron-sized gate length on boron-doped (111) surface

T Saito, KH Park, K Hirama, U Umezawa, M Satoh, H Kawarada, H Okushi

DIAMOND AND RELATED MATERIALS 14(11-12) 2043-2046 2005年11月
低温酸化絶縁膜を用いたダイヤモンドMISFETの特性評価

応用物理学関係連合講演会春季第52回 2005年
負電荷保持薄膜の表面形成による水素終端ダイヤモンドp型表面伝導の向上

応用物理学関係連合講演会春季第52回 2005年
水素終端ダイヤモンドFETチャネル下のBドープ層の影響

応用物理学関係連合講演会春季第52回 2005年
ゲート長の微細化によるダイヤモンドMISFETの高周波特性の改善

応用物理学関係連合講演会春季第52回 2005年
Development of diamond MISFETs with low-temperature oxided alumina gate insulator

International Conference on New Diamond Science and Technology The 10th 2005年
High-Performance MISFET Using High-Mobility Substrate and Alminum Oxide Gate Insulator

ADC/Nanocarbon 2005 2005年
高周波ダイヤモンドMISFETにおけるホールキャリア速度の向上

応用物理学会学術講演会秋季第66回 2005年
Influences of B-Doped Layer under the Channel of H-Terminated DiamondFETs

INT'L CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2005 2005年
Fabrication of Low Resistive Layer in Diamond Surface by Ni Ion Irradiation at Low Doses using FIB

INT'L CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2005 2005年
Development of diamond MISFETs with oxide gate insulator

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide 16th 2005年
The Improvement of RF Performance for Diamond MISFETs with Miniaturization of Gate Length

INT'L CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2005 2005年
Influence of Negative Adsorption on Hydrogen Terminated P-Type Diamond Surface

2005 AIChE Annual Meeting 2005年
ダイヤモンド表面への重金属イオン照射による局所低抵抗層の形成とその応用

ニューダイヤモンドシンポジウム第19回 2005年

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