西村智朗 (Tomoaki Nishimura) - マイポータル

基本情報

所属: 法政大学イオンビーム工学研究所教授

学位: 理学博士(立命館大学)

研究者番号: 80388149
J-GLOBAL ID: 200901072771140148
researchmap会員ID: 5000103241

研究キーワード

研究分野

経歴

2012年4月 - 現在

法政大学イオンビーム工学研究所教授
2009年4月 - 2012年3月

法政大学イオンビーム工学研究所准教授
2004年4月 - 2009年3月

立命館大学総合理工学部専任講師
2002年11月 - 2004年3月

産業技術総合研究所特別研究員
2002年11月 - 2004年3月

産業技術総合研究所特別研究員
2002年4月 - 2002年10月

Rutgers University, Postdoctoral Fellow
1999年4月 - 2002年3月

日本学術振興会特別研究員
1999年4月 - 2002年3月

日本学術振興会特別研究員
1996年4月 - 1999年3月

立命館大学助手

学歴

1996年4月 - 1999年4月

立命館大学, 理工学研究科, 総合理工学

委員歴

2008年11月 - 2009年10月

日本物理学会, 領域1 放射線分科会世話人

主要な論文

Simulation of channeled implantation of magnesium ions in gallium nitride

Tomoaki Nishimura, Tetsu Kachi

Applied Physics Express 14 116502 2021年9月査読有り筆頭著者責任著者
Channeled implantation of magnesium ions in gallium nitride for deep and low-damage doping

Tomoaki Nishimura, Kiyoji Ikeda, Tetsu Kachi

Applied Physics Express 14 066503 2021年5月査読有り筆頭著者最終著者責任著者

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MISC

Ion Scattering Studies of High-K Gate Stacks

E. Garfunkel, D. Starodub, S. Sayan, L. Goncharova, T. Gustafsson, D. Vanderbilt, R. A. Bartynski, Y. J. Chabal, T. Nishimura

Abstracts of papers of the American Chemical Society 226 U387-U387 2003年

書籍等出版物

図説表面分析ハンドブック

日本表面真空学会(編) (担当:分担執筆, 範囲:中エネルギーイオン散乱)

朝倉書店 2021年6月1日 (ISBN: 9784254201703)

講演・口頭発表等

103

4H-SiC(0001)へのAlチャネリングイオン注入に対する電子阻止断面積の再評価

望月和浩、西村智朗、三島友義

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月16日応用物理学会
リンドープn形ダイヤモンドへのホウ素イオン注入によるp形伝導層の形成

小倉政彦、西村智朗、加藤宙光、竹内大輔、山崎聡、牧野俊晴

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月16日応用物理学会
4H-SiCへのチャネリングイオン注入における臨界角のシミュレーション

西村智朗

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月16日応用物理学会
WBG半導体におけるイオン注入

西村智朗

先進パワー半導体分科会第9回講演会チュートリアル講演 2022年12月19日応用物理学会先進パワー半導体分科会招待有り
Lanthanoid Implanted GaN with Enhanced Photon Emission for Nanophotonic Applications

S. Sato, T. Oto, S. Li, M. Deki, T. Nishimura, T. Ohshima, H. Watanabe, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano, B. C. Gibson, A. D. Greentree

The 32nd Annual Meeting of MRS-J 2022年12月5日
Channeled Ion Implantation of Mg into GaN and Development of the Simulation Program

T. Nishimura, T. Kachi

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2022) 2022年10月10日
MoS2の蛍光における鉄イオンビーム照射の影響 19p-P01-9 18a-Z15-3

日高拓海、高井和之、西村智朗

第68回応用物理学会春季学術講演 2021年3月19日応用物理学会
GaN基板へのMgのチャネリングイオン注入(IV) 18a-Z15-3

西村智朗、池田清治、加地徹

第68回応用物理学会春季学術講演 2021年3月18日応用物理学会
Quantum Sensing Using Lanthanoid Doped Gallium Nitride

S. Sato, M. Deki, T. Nishimura, S. Li, H. Watanabe, S. Nitta, Y. Honda, B. Gibson, A. Greentree, H. Amano, T. Ohshima

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2021) 2021年3月招待有り
Effect of iron ion beam irradiation on MoS2 fluorescence

T. Hidaka, T. Nishimura, K. Takai

第60回記念フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム 2021年3月
GaNへのMgチャネリング注入とそのシミュレーション手法

西村智朗、池田清治、加地徹

応用物理学会先進パワー半導体分科会第７回個別討論会 2020年11月16日招待有り
Enhanced Photo Extraction from Praseodymium Ions Implanted with Gallium Nitride Nanopillars

S. Sato, S. Li, M. Deki, T. Nishimura, H. Watanabe, S. Nitta, Y. Honda, B. Gibson, A. Greentree, H. Amano, T. Ohshima

4th QST International Symposium -Innovation from Quantum Materials Science- 2020年11月
GaN基板へのMgのチャネリングイオン注入(III) 11a-Z04-6

西村智朗、池田清治、加地徹

第81回応用物理学会秋季学術講演 2020年9月11日応用物理学会
ハロゲン化鉛ペロブスカイト化合物薄膜におけるイオン照射効果(IV) 15a-A402-6

緒方啓典, 西村智朗, 梅田龍介

第67回応用物理学会春季学術講演 2020年3月15日応用物理学会
窒化ガリウムナノピラー中プラセオジム(Pr)の室温での発光強度増幅 14a-A303-1

佐藤真一郎、出来真斗、李铄、渡邉浩崇、新田州吾、本田善央、西村智朗

第67回応用物理学会春季学術講演 2020年3月14日応用物理学会
GaN基板へのMgのチャネリングイオン注入(II) 13a-PA9-14

西村智朗、池田清治、加地徹

第67回応用物理学会春季学術講演 2020年3月13日応用物理学会
エピタキシャルグラフェンに導入した欠陥の化学構造の制御および電子物性への影響 12a-PA2-30

石黒康志、小幡吉徳、西村智朗、高井和之

第67回応用物理学会春季学術講演 2020年3月12日応用物理学会
Photon emission enhancement of praseodymium ions implanted with GaN nanopillars

S. Sato, M. Deki, S. Li, A. D. Greentree, B. C. Gibson, T. Nishimura, T. Ohshima

International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (ICONN) 2020年2月
EFFECT OF Mg ION IMPLANTATION TO GaN SUBSTRATE UNDER CHANNELING CONDITION

T. Nishimura, K. Ikeda, T. Nakamura, T. Kachi

23rd International Workshop on Inelastic Ion-Surface Collisions (IISC-23) 2019年11月
Generation of p-type conductive layer by boron ion implantation into phosphorus-doped n-type diamond

M. Ogura, T. Nishimura, H. Kato, T. Makino, S. Yamasaki

30th International Conference on Diamond and Carbon Materials 2019年9月

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

ダイヤモンドパワーデバイス実現に向けたイオン注入プロセスに関する研究

基盤研究(B) 2020年4月 - 2025年3月

小倉政彦、西村智朗
量子センサーの電気的制御を室温で実現するランタノイド注入GaNダイオード

基盤研究(B) 2018年4月 - 2022年3月

佐藤真一郎、西村智朗、出来真斗
高励起原子を用いた微弱電場計測手法の開発

科研費若手研究(B) 2009年 - 2010年

西村智朗
動的カシミア効果の研究

科研費基盤研究(B) 2008年 - 2010年

松木征史、城戸義明、Wade Naylor、西村智朗
イオン散乱・光電子分光によるSi、SiC表面初期酸化の機構解明とその制御法の確立

特別研究員奨励費 1999年 - 2001年

西村智朗