熊谷 義直

J-GLOBALへ         更新日: 18/11/21 05:49
 
アバター
研究者氏名
熊谷 義直
 
クマガイ ヨシナオ
eメール
4470kumacc.tuat.ac.jp
URL
http://www.tuat.ac.jp/~kumagai/
所属
東京農工大学
部署
工学研究院応用化学部門
職名
教授(ディスティングイッシュトプロフェッサー)
学位
博士(工学)(筑波大学)
その他の所属
東京農工大学東京農工大学東京農工大学東京農工大学
科研費研究者番号
20313306

研究分野

 
 

経歴

 
1996年4月
 - 
1999年3月
株式会社テキサス・インスツルメンツ 筑波研究開発センター 電子材料研究室 研究員
 
1999年4月
 - 
2001年7月
東京農工大学 工学部 応用分子化学科 助手
 
2001年8月
 - 
2004年3月
東京農工大学 工学部 応用分子化学科 講師
 
2004年4月
 - 
2013年11月
東京農工大学 大学院工学研究院 応用化学部門 准教授
 
2013年12月
   
 
東京農工大学 大学院工学研究院 応用化学部門 教授
 

学歴

 
1987年4月
 - 
1991年3月
筑波大学 第三学群(基礎工学類) 物質分子工学専攻
 
1991年4月
 - 
1996年3月
筑波大学 大学院 工学研究科 物質工学専攻
 

委員歴

 
2016年5月
 - 
2017年4月
The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA ’17), April 19-21, 2017, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan  実行委員会委員長
 
2015年
 - 
2017年
The 2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-2), September 13-15, 2017, Parma University, Parma, Italy  国際プログラム委員
 
2017年
 - 
2017年
International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS2017), September 29-October 1, 2017, Nagoya University, Japan  組織委員
 
2016年11月
 - 
2018年3月
International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD-2017), November 15-18, 2017, Kyushu University, Fukuoka, Japan  プログラム委員
 
2014年4月
 - 
2020年3月
応用物理学会 結晶工学分科会  幹事
 

受賞

 
2013年9月
応用物理学会 第35回応用物理学会論文賞(応用物理学会優秀論文賞) Preparation of a Freestanding AlN Substrate from a Thick AlN Layer Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy on a Bulk AlN Substrate Prepared by Physical Vapor Transport
受賞者: 熊谷義直,久保田有紀,永島徹,木下亨,Rafael Dalmau,Raoul Schlesser,Baxter Moody,Jinqiao Xie,村上尚,纐纈明伯,Zlatko Sitar
 
2013年11月
日本結晶成長学会 第20回日本結晶成長学会技術賞 HVPE法による窒化アルミニウム単結晶基板の開発
受賞者: 熊谷義直,永島徹,木下亨,纐纈明伯
 
2014年9月
応用物理学会 第36回応用物理学会論文賞(応用物理学会優秀論文賞) Performance and Reliability of Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on AlN Substrates Prepared by Hydride Vapor Phase Epitaxy
受賞者: 木下亨,小幡俊之,永島徹,柳裕之,Baxter Moody,三田清二,井上振一郎,熊谷義直,纐纈明伯,Zlatko Sitar
 

論文

 
Hiroyuki KANAYA, Kunihiro FUJII, Yukiko CHO, Yoshinao KUMAGAI, Fumio HASEGAWA, Eiso YAMAKA
Japanese Journal of Applied Physics   29(12) L2143-L2145   1990年12月   [査読有り]
Kunihiro FUJII, Hiroyuki KANAYA, Yoshinao KUMAGAI, Fumio HASEGAWA, Eiso YAMAKA
Japanese Journal of Applied Physics   30(3B) L455-L457   1991年3月   [査読有り]
Yoshinao KUMAGAI, Kunihiro FUJII, Hisashi MATSUMOTO, Fumio HASEGAWA
Japanese Journal of Applied Physics   31(8A) L1103-L1105   1992年8月   [査読有り]
Yoshinao KUMAGAI, Kouichi ISHIMOTO, Ryosuke MORI, Fumio HASEGAWA
Japanese Journal of Applied Physics   33(1A) L1-L4   1994年1月   [査読有り]
Kyung-Ho Park, Y. Kumagai, F. Hasegawa
Materials Research Society Symposium Proceedings   320 403-408   1994年1月

Misc

 
Influence of the Surface Condition on the Thermal Relaxation of Strained SiGe Molecular Beam Epitaxy Layers
Hiroyuki KANAYA, Kunihiro FUJII, Yukiko CHO, Yoshinao KUMAGAI, Fumio HASEGAWA, Eiso YAMAKA
Japanese Journal of Applied Physics   29(12) L2143-L2145   1990年
Low-Temperature Formation of the PtSi Layer by Codeposition of Pt and Si in a Molecular Beam Epitaxy System
Kunihiro FUJII, Hiroyuki KANAYA, Yoshinao KUMAGAI, Fumio HASEGAWA, Eiso YAMAKA
Japanese Journal of Applied Physics   30(3B) L455-L457   1991年
Reflection High-Energy Electron Diffraction Intensity Oscillations during Si MBE Growth on HF-Treated Si(111) Surface
Yoshinao KUMAGAI, Kunihiro FUJII, Hisashi MATSUMOTO, Fumio HASEGAWA
Japanese Journal of Applied Physics   31(8A) L1103-L1105   1992年
Yoshinao KUMAGAI, Kouichi ISHIMOTO, Ryosuke MORI, Fumio HASEGAWA
Japanese Journal of Applied Physics   33(1A) L1-L4   1994年
Y. Kumagai, F. Hasegawa, K. Park
Journal of Applied Physics   75(6) 3211-3213   1994年

書籍等出版物

 
Crystal and Epitaxial Growth Vol. 1
Yoshinao KUMAGAI, Kikurou TAKEMOTO, Hisashi SEKI, Akinori KOUKITU (担当:共著, 範囲:THICK AND HIGH QUALITY GaN GROWTH ON GaAs (111)A SURFACES FOR PREPARATION OF FREESTANDING GaN SUBSTRATES)
The Stefan University Press   2002年12月   
2009化合物半導体技術大全
熊谷義直 (担当:共著, 範囲:AlN基板・応用デバイス)
電子ジャーナル   2009年2月   
窒化物基板および格子整合基板の成長とデバイス特性
纐纈明伯,熊谷義直 (担当:共著, 範囲:窒化ガリウムのハイドライド気相成長)
シーエムシー出版   2009年10月   
熱力学解析による化合物半導体の気相成長
纐纈明伯,熊谷義直 (担当:共著)
アグネ技術センター   2009年11月   
Springer Series in Materials Science 133, Technology of Gallium Nitride Crystal Growth
Akinori Koukitu and Yoshinao Kumagai (担当:共著, 範囲:Hydride Vapor Phase Epitaxy of GaN)
Springer   2010年3月   

講演・口頭発表等

 
基板加熱清浄化工程がPtSi/p-Siショットキー特性に及ぼす影響
熊谷義直,藤井邦宏,松本尚,長谷川文夫
第52回応用物理学会学術講演会   1991年10月11日   応用物理学会
HF処理したSi(111)基板上でのMBEにおけるRHEED強度振動
熊谷義直,藤井邦宏,松本尚,長谷川文夫
第39回応用物理学関係連合講演会   1992年3月30日   応用物理学会
PtSi/p-Si Schottoky Barrier Formed by Co-Evaporation of Pt and Si [招待有り]
Y. Kumagai, K. Fujii, H. Matsumoto and F. Hasegawa
11th Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics (ASPEcs-11)   1992年7月9日   第11回混晶半導体シンポジウム
同時蒸着によるSi(111)基板上へのPtSi層の低温形成
熊谷義直,石本浩一,三宅晃司,長谷川文夫
第53回応用物理学会学術講演会   1992年9月16日   応用物理学会
PtSi(010)/Si(111)構造上へのSiのエピタキシャル成長
熊谷義直,朴慶浩,石本浩一,三宅晃司,長谷川文夫
第40回応用物理学関係連合講演会   1993年3月29日   応用物理学会

Works

 
酸化亜鉛系化合物半導体用の結晶成長装置開発および結晶成長技術に関わる研究
2008年4月 - 2009年3月
酸化亜鉛系化合物半導体用の結晶成長装置開発および結晶成長技術に関わる研究
芸術活動   2009年4月 - 2010年3月
酸化亜鉛系化合物半導体用の結晶成長装置開発および結晶成長技術に関わる研究
芸術活動   2009年4月 - 2010年3月

競争的資金等の研究課題

 
環境半導体鉄シリサイドの気相エピタキシャル成長
研究期間: 2000年4月 - 2002年3月
インターネットを利用する計算機能を有する気相エピタキシャル成長データベースの構築
研究期間: 2001年 - 2002年
原料分子およびナノ結晶場制御によるAlNおよびAlGaN厚膜エピタキシー
研究期間: 2003年 - 2004年
その場重量測定による窒化アルミニウム基板表面反応メカニズムの解明
研究期間: 2005年4月 - 2007年3月
原料分子制御法によるAlNおよびAlGaN混晶の厚膜エピタキシャル成長
研究期間: 2006年 - 2010年

社会貢献活動

 
パワー半導体用のウエハー 酸化ガリウム製、本格生産
【その他】  日経産業新聞  (13面)  2017年9月12日
本学の技術をもとに、酸化ガリウム製のウエハーが開発されたことが紹介される。