高性能緑色半導体レーザのためのクラッド層材料の開拓を進めた。InP基板上のII-VI族化合物半導体や従来透明導電膜として使われている酸化インジウムスズ(ITO)について、クラッド層材料としての可能性を調べた。P側クラッド層にITOを用いたレーザ構造を提案し、理論解析により良好な光導波特性が得られことを示した。更に、ITOの成膜条件やITOとのコンタクト層材料について検討し、素子の高性能化に向けた条件を明らかにした。