基本情報

所属
上智大学 理工学部機能創造理工学科 教授
学位
工学士(上智大学)
工学修士(上智大学)
博士（工学）(上智大学)
通称等の別名
野村 一郎
研究者番号
00266074
J-GLOBAL ID
200901053354827454
researchmap会員ID
5000041413

1988年－1994年　AlGaInP赤色半導体レーザの研究
1994年－現在　InP基板上Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体材料の開拓とデバイス応用

教育活動について

過去に担当した講義科目
「旧電気・電子工学科」
応用数学Ⅰ、基礎科目演習Ⅱ、電気工学実験Ⅲ、電気工学実験Ⅳ
「学部」
電気・電子回路の基礎、半導体物性、電気電子情報産業概論、電気電子工学実験Ⅲ、情報リテラシー演習（応用）、統計解析法演習、情報リテラシー演習（機能創造理工学科指定）、科学技術英語
「大学院」
ADVANCED ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING 2、研究指導演習

現在担当している講義科目
「学部」
半導体物理の基礎、電子量子力学、電子物性工学、理工学総論、電気電子工学実験Ⅰ、電気電子工学実験Ⅱ、GREEN ENGINEERING LAB. 3、機能創造理工学科ゼミナール、情報リテラシー（統計処理）、卒業研究
「大学院」
量子物性工学、電気・電子工学ゼミナール、大学院演習、研究指導

研究活動について
これまで、Ⅲ-Ⅴ及びⅡ-Ⅵ族化合物半導体の開拓、またデバイスへの応用に向けた研究を行っている。

(研究テーマ)
化合物半導体による新機能光デバイスの開発

(共同・受託研究希望テーマ)
フルカラー発光デバイス光源の開発

研究キーワード

  7

研究分野

  3

受賞

  1

論文

  59
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MISC

  13

書籍等出版物

  2

講演・口頭発表等

  263
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所属学協会

  1

共同研究・競争的資金等の研究課題

  19

産業財産権

  2

その他

  173
  • 2006年4月
    講義科目と演習科目をリンクさせ、講義で学習した内容についてなるべく速やかに演習を行い、理解を深められるようにしている。また、演習を持ち込み不可の試験形式で行うことで演習を受ける前の講義の復習を促し、習熟度が増すようにしている。一方、講義科目では演習に加え中間及び期末試験を実施し、これにより学習到達度を評価している。
  • 2006年4月
    情報関連の講義では、資料の配布やレポート提出を学内のPCやネット上で行うなど情報機器を有効利用し、授業運営の効率化を図っている。
  • 2006年4月
    講義中では、各項目毎に質問を受け付けたり、簡単な例題を解いて内容をより理解できるように努めている。
  • 2000年4月
    研究によって得たれた結果や成果等は速やかにメールで関係者に配布し、またデータベースに保存することで情報の共有化を図るように指導している。
  • 1994年4月
    毎年8月にグループ内の研究会を開催し、それまでの研究成果のまとめや今後の方針について議論する。これにより研究の進め方や成果の取り纏め、報告の仕方等の指導を行っている。
  • 1994年4月
    学生には学会、研究会、国際会議、論文誌等での研究発表の機会を積極的に持たせ、これによりレポート、論文の書き方を実践の場で指導している。
  • 1994年4月
    実験終了後に結果や内容のチェックを行うが、その際単なるチェックだけではなく、実験内容や結果及び簡単な考察について学生一人づつに説明させている。これにより実験内容のより深い理解を目指すと共に、自らが行った実験について第三者に分かり易く説明したり報告できる能力を養えるようにしている。
  • Gas source MBE growth of high optical quality GaInP and GaInP/AlInP MQW lasers 1990
  • Yellow (576nm) laser emission from (GaInP/AlInP)MQW/AlInP double hetero structure at 109K 1990
  • The lowest Jth (840A/cm2) and high T0 (167K) achievements of 660 nm GaInP/AlInP visible light lasers by a novel multi-quantum barrier (MQB) effect 1990
  • Strained single quantum well (SSQW) GaInP/AlInP visible lasers fabricated by a novel shutter control method in gas source molecular beam epitaxy 1992
  • GaInP/AlInP quasi-quaternary crystals and 607-640nm wavelength quasi-quaternary lasers grown by gas-source-molecular-beam-epitaxy 1993
  • 600nm range GaInP/AlInP strained quantum well semiconductor lasers grown by GSMBE on misorientation substrates 1993
  • Threshold current density reduction by annealing in 630-650nm GaInP strained single quantum well lasers 1994
  • Effect of (GaP)m/(InP)m short period binary superlattice period on quantum wire formation by strain induced lateral layer ordering in GaInP/AlInP multi-quantum-wire laseres 1995
  • Molecular beam epitaxial growth of MgZnCdSe on (100) InP substrates 1995
  • Novel ZnCdSe/MgZnCdSe compound system grown on InP substrates by MBE and theoretical investigation of 550-640nm range ZnCdSe/MgZnCdSe lasers 1995
  • Substrate misorientation effect on self-organization of quantum wires in (GaP)m/(InP)m short period binary superlattices 1995
  • Theoretical analysis of cubic GaInN/GaN/AlGaN quantum well lasers 1995
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