寺本 章伸

J-GLOBALへ         更新日: 18/02/06 03:12
 
アバター
研究者氏名
寺本 章伸
 
テラモト アキノブ
eメール
teramotofff.niche.tohoku.ac.jp
URL
http://db.tohoku.ac.jp/whois/detail/1ec59f4a457a70c4acac497220c05f5b.html
所属
東北大学
部署
未来科学技術共同研究センター 開発研究部 先進半導体センサ・デバイス開発プロジェクト
職名
教授
学位
博士(工学)(東北大学)

研究キーワード

 
 

研究分野

 
 

経歴

 
2014年7月
 - 
現在
東北大学 未来科学技術共同研究センター 教授
 
2007年4月
 - 
2014年6月
東北大学 未来科学技術共同研究センター 准教授
 
2002年4月
 - 
2007年3月
東北大学未来科学技術研究センター
 
1992年4月
 - 
2002年2月
三菱電機株式会社
 

学歴

 
 
 - 
2001年9月
東北大学 工学研究科 電子工学専攻
 
 
 - 
1992年3月
東北大学 工学研究科 電子工学専攻
 
 
 - 
1990年3月
東北大学 工学部 電子工学科
 

委員歴

 
2004年7月
 - 
現在
応用物理学会ゲートスタック研究会  実行・プログラム委員
 
2003年4月
 - 
現在
日本学術振興会 結晶加工と評価技術第145委員会  運営委員
 
2004年5月
 - 
2008年10月
電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究専門委員会  専門委員
 

受賞

 
2008年10月
日本真空協会 日本真空協会第33回熊谷記念真空科学論文賞 X-ray Photoelectron Spectroscopic Study of Nitrogen Depth Profile in Radical Nitrided Silicon Oxynitride Film
受賞者: 71.K. Kawase, H. Umeda, M. Inoue, T. Suwa, A. Teramoto, T. Hattori, and T. Ohmi
 

論文

 
R. Kuroda, A. Teramoto, K. Watanabe, M. Mifuji, T. Yamaha, S. Sugawa, and T. Ohmi
Microelectronics Reliability   47(6) 930-936   2007年6月   [査読有り]
A. Teramoto, T. Hamada, M. Yamamoto, P. Gaubert, H. Akahori, K. Nii, M. Hirayama, K. Arima, K. Endo, S. Sugawa, and T. Ohmi
IEEE Trans. Electron Devices   54(6) 1438-1445   2007年6月   [査読有り]
R. Kuroda, A. Teramoto, T. Komuro, H. Tatekawa, S. Sugawa, and T. Ohmi
IEEE Trans. Electron Devices   54(5)    2007年5月   [査読有り]
K. Watanabe, A. Teramoto, R. Kuroda, S. Sugawa, and T. Ohmi
Microelectronics Reliability   47(4) 409-418   2007年4月   [査読有り]
A. Teramoto, R. Kuroda, M. Komura, K. Watanabe, S. Sugawa, and T. Ohmi
IEEE Trans. ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING   19(1) 43-49   2006年2月   [査読有り]
X. Gu, T. Nemoto, A. Teramoto, T. Ito, and T. Ohmi
J. Electrochem. Soc.   156(4) H409-H415   2009年4月   [査読有り]
A. Teramoto, Y. Kumagai, K. Abe, T. Fujisawa, S. Watabe, T. Suwa, N. Miyamoto, S. Sugawa, and T, Ohmi
J. Vac. Sci. Technol.   27(1) 394-401   2009年2月   [査読有り]
P. Gaubert, A. Teramoto, W. Cheng, T. Hamada, T. Ohmi
J. Vac. Sci. Technol. B   27(1) 394-401   2009年2月   [査読有り]
R. Kuroda, A. Teramoto, T. Komuro, S. Sugawa, and Tadahiro Ohmi
IEEE Semiconductor Manufacturing   22(1) 291-298   2009年2月   [査読有り]
X. Gu, T. Nemoto, A. Teramoto, R. Hasebe, T. Ito and T. Ohmi
Solid State Phenomena   145-146 381-384   2009年1月   [査読有り]
Y. Sampurno, Y. Zhuang, X. Gu, S. Theng, T. Nemoto, T. Sun, F. Sudargho, A. Teramoto, A. Philipossian, and T. Ohmi
Solid State Phenomena   145-146 363-366   2009年1月   [査読有り]
R. Hasebe, A. Teramoto, T. Suwa, R. Kuroda, S. Sugawa and T. Ohmi
Solid State Phenomena   145-146 189-192   2009年1月   [査読有り]
R. Hasebe, A. Teramoto, R. Kuroda, T. Suwa, S. Sugawa, and T. Ohmi
J. Electrochem. Soc.   156 H10-H17   2009年1月   [査読有り]
High Performance Bottom Gate μc-Si TFT Fabricated by Microwave Plasma CVD
A. Hiroe, A. Teramoto, and T. Ohmi
MRS Symposium Proceeding –Amorphous and Polycrystalline Thin-Film Silicon Science and Technology-2008, Material Research Society   1066(A13-04) 307-312   2008年12月   [査読有り]
T. Aratani, M. Higuchi, S. Sugawa, E. Ikenaga, J. Ushio, H. Nohira, T. Suwa, A. Teramoto, T. Ohmi, and T. Hattori
J. Appl. Phys.   104 114112-1-114112-8   2008年12月   [査読有り]
High Performance Bottom Gate μc-Si TFT Fabricated by Microwave Plasma CVD
A. Hiroe, A. Teramoto, and T. Ohmi
MRS Symposium Proceeding –Amorphous and Polycrystalline Thin-Film Silicon Science and Technology-2008, Material Research Society   1066(A13-04) 307-312   2008年11月   [査読有り]
K. Suzuki, Y. Ishihara, K. Sakoda, Y. Shirai, A. Teramoto, M. Hirayama, T. Ohmi
IEEE Trans. Semiconductor Manufacturing   21 668-675   2008年11月   [査読有り]
Micro Crystalline Si1-xGex Deposited by Magnetron Sputtering
A. Hiroe, T. Goto, A. Teramoto, and T. Ohmi
Proc. PRiME 2008 Meeting 2008 the Electrochem. Soc.   2284   2008年10月   [査読有り]
Improved High Temperature Characteristics in Accumulation-mode Fully Depleted SOI MOSFETs on Si(100) and (110) Surfaces
W. Cheng, A. Teramoto and T. Ohmi
Proc. PRiME 2008 Meeting 2008 the Electrochem. Soc.   1868   2008年10月   [査読有り]
Three-Step Room Temperature Cleaning of Bare Silicon Surface for Radical Based Semiconductor Manufacturing
R. Hasebe, A. Teramoto, R. Kuroda, T. Suwa, S. Sugawa and T. Ohmi
Proc. PRiME 2008 Meeting 2008 the Electrochem. Soc.   1846   2008年10月   [査読有り]
Hole mobility in Si(110) p-MOS transistors
P. Gaubert, A. Teramoto and T. Ohmi
Proc. PRiME 2008 Meeting 2008 the Electrochem. Soc.   1840   2008年10月   [査読有り]
Microcrystalline Si1-xGex Deposited by Magnetron Sputtering
A. Hiroe, T. Goto, A. Teramoto, and T. Ohmi
ECS Transactions   16(9) 183-192   2008年10月   [査読有り]
A. Teramoto, R. Kuroda, S. Sugawa, and T. Ohmi
Microelectronics Reliability   48 1649-1654   2008年10月   [査読有り]
Anomalous RTS Extractions from a Very Large Number of n-MOSFETs using TEG with 0.47 Hz – 3.0 MHz Sampling Frequency
K. Abe, T. Fujisawa, A. Teramoto, S. Watabe, S. Sugawa, and T. Ohmi
Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials   888-889   2008年9月   [査読有り]
A Study on Very High Performance Novel Balanced FD-SOI CMOSFETs on Si(110) Using Accumulation Mode Device Structure for RF Analog Circuits
W. Cheng, A. Teramoto, C.-F. Tye, R. Kuroda, S. Sugawa and T. Ohmi
Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials   876-877   2008年9月   [査読有り]
CMOSFET Featuring Atomically Flat Gate Insulator Film/Silicon Interface on (100) Orientation Surface
R. Kuroda, A. Teramoto, T. Suwa, Y. Nakao, S. Sugawa and T. Ohmi
Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials   706-707   2008年9月   [査読有り]
μc-Si1-xGex Deposition on SiO2 by RF Magnetron Sputtering
A. Hiroe, T. Goto, A. Teramoto, and T. Ohmi
Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials   566-567   2008年9月   [査読有り]
Impact of Tungsten Capping Layer on Yttrium Silicide for Low Resistance Source/Drain Contacts
T. Isogai, H. Tanaka, T. Goto, A. Teramoto, S. Sugawa and T. Ohmi
Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials   446-447   2008年9月   [査読有り]
Effects of Ion-Bombardment-Assist and High Temperature on Growth of Zinc Oxide Films by Microwave Excited High Density Plasma Enhanced MOCVD
H. Asahara, At. Inokuchi, K. Watanuki1, M. Hirayama, A. Teramoto, and T. Ohmi
Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials   134-135   2008年9月   [査読有り]
3-step room temperature wet cleaning process for silicon substrate
R. Hasebe, A. Teramoto, R. Kuroda, T. Suwa, S. Sugawa, and T. Ohmi
Proceedings of the 9th International Symposium on Ultra Clean Processing of Semiconductor Surfaces   136-137   2008年9月   [査読有り]
Effect of various cleaning solutions and brush scrubber kinematics on the frictional attributes of post copper CMP cleaning process
Y. Zhuang, T. Sun, Y. Sampurno, X. Gu, T. Nemoto, F. Sudatgho, S. N. Theng, A. Philipossian, A. Teramoto, T. Ohmi
Proceedings of the 9th International Symposium on Ultra Clean Processing of Semiconductor Surfaces   130-131   2008年9月   [査読有り]
Damage-free post-CMP cleaning solution for Low-K fluorocarbon on advanced interconnects
X. Gu, A. Teramoto, T. Nemoto, R. Hasebe, T. Itoh, and T. Ohmi
Proceedings of the 9th International Symposium on Ultra Clean Processing of Semiconductor Surfaces   112-113   2008年9月   [査読有り]
R. Kuroda, A. Teramoto, T. Suwa, R. Hasebe, X. Li, M. Konda, S. Sugawa, and T. Ohmi
Proceedings of the 38th European Solid-State Device Research Conference   83-86   2008年9月   [査読有り]
Y. Shirakata, N. Hidaka, M. Ishitsuka, A. Teramoto, and T. Ohmi
IEEE Trans. Magnetic   44 2100-2106   2008年9月   [査読有り]
Impact of Performance and Reliability Boosters in Novel FD-SOI CMOS Devices on Si(110) Surface for Analog Applications
W. Cheng, A. Teramoto, R. Kuroda, C.-F. Tye, S. Watabe, S. Sugawa, T. Ohmi
29th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2008)   602-603   2008年7月   [査読有り]
The data analysis technique of the atomic force microscopy for the atomically flat silicon surface
M. Konda, A. Teramoto, T. Suwa, R. Kuroda and T. Ohmi
2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD 2008)   265-269   2008年7月   [査読有り]
A Material of Semiconductor Package with Low Dielectric Constant, Low Dielectric Loss and Flat Surface for High Frequency and Low Power Propagation
H. Imai, M. Sugimura, M. Kawasaki, A. Teramoto, S. Sugawa and T. Ohmi
2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD 2008)   47-51   2008年7月   [査読有り]
S. Murakawa, M. Takeuchi, M. Honda, S. Ishizuka, T. Nakanishi, Y. Hirota, T. Sugawara, Y. Tanaka, Y. Akasaka, A. Teramoto, S. Sugawa, and T. Ohmi
Jpn. J. Appl. Phys.   47(7) 5380-5834   2008年7月   [査読有り]
Different mechanism to explain the 1/f noise in n-and p-SOI-MOS transistors fabricated on (110) and (100) silicon oriented wafers
P. Gaubert, A. Teramoto, W. Cheng, T. Hamada, and T. Ohmi
15th Workshop on Dielectrics in Microelectronics   151(152)    2008年6月   [査読有り]
Stress Induced Leakage Current and Random Telegraph Signal
A. Teramoto, Y. Kumagai, K. Abe, T. Fujisawa, S. Watabe, T. Sawa, N. Miyamoto, S. Sugawa, and T. Ohmi
15th Workshop on Dielectrics in Microelectronics   31(32)    2008年6月   [査読有り]
W. Cheng, A. Teramoto and T. Ohmi
39th IEEE Annual Power Electronics Specialists Conference   613   2008年6月   [査読有り]
A. Ogura, T. Yoshida, D. Kosemura, Y. Kakemura, T. Aratani, M. Higuchi, S. Sugawa, A. Teramoto, T. Ohmi
Appl. Surf. Sci.   254 6229-6231   2008年6月   [査読有り]
Impact of New Approach to Improve RF Power FETs Performance on Si (110) Surface
W. Cheng, A. Teramoto and T. Ohmi
13th Meeting of The Electrochemical Society   659   2008年5月   [査読有り]
T. Nemoto, H. Imai, A. Teramoto, T. Ito, S. Sugawa, and T. Ohmi
J. Electrochem. Soc.   155(5) H323-H328   2008年5月   [査読有り]
Y. Kumagai, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Suwa, and T. Ohmi
2008 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings   219-224   2008年4月   [査読有り]
T. Isogai, H. Tanaka, T. Goto, A. Teramoto, S. Sugawa, and T. Ohmi
Jpn. J. Appl. Phys.   47(4) 3138-3141   2008年4月   [査読有り]
H. Asahara, A. Inokuchi, K. Watanuki, M. Hirayama, A. Teramoto, and T. Ohmi
Jpn. J. Appl. Phys.   47(4) 2994-2998   2008年4月   [査読有り]
R. Kuroda, A. Teramoto, S. Sugawa, and T. Ohmi
Jpn. J. Appl. Phys.   47(4) 2668-2671   2008年4月   [査読有り]
H. Ishikawa, T. Nozawa, T. Matsuoka, A. Teramoto, M. Hirayama, T. Ito, and T. Ohmi
Jpn. J. Appl. Phys.   47(4) 2531-2534   2008年4月   [査読有り]
A. Itoh, A. Inokuchi, S. Yasuda, A. Teramoto, T. Goto, M. Hirayama, and T. Ohmi
Jpn. J. Appl. Phys.   47(4) 2531-2534   2008年4月   [査読有り]
R. Kuroda, A. Teramoto, T. K., W. Cheng, S. Watabe, C. F. Tye, S. Sugawa and T. Ohmi
2008 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures   155-159   2008年3月   [査読有り]
The Cleaning Method Which is Able to Keep the Smoothness of Si (100)
X. Li, X. Gu, A. Teramoto, R. Kuroda, R. Hasebe, T. Suwa, N. Yu, S. Sugawa, T. Ito and T. Ohmi
International Semiconductor Technology Conference 2008   469-474   2008年3月   [査読有り]
R. Kuroda, T. Suwa, A. Teramoto, R. Hasebe, S. Sugawa, and T. Ohmi
EEE Trans. Electron Devices   56(2) 291-298   2008年2月   [査読有り]
Atomically Flat Gate Insulator/Silicon (100) Interface Formation Technology for High Performance LSI
A. Teramoto, R. Kuroda, T. Suwa and T. Ohmi
WPI & IFCAM Joint Workshop -Challenge of Interdisciplinary Materials Science to Technological Innovation of the 21st Century   15-15   2008年2月   [招待有り]
T. Goto, K. Ikenaga, A. Teramoto, M. Hirayama, S. Sugawa and T. Ohmi
J. Vac. Sci. Tech. A   26(1) 8-16   2008年1月   [査読有り]
High performance Bottom Gate μc-Si TFT Fabricated by Low Damage, High Density Plasma Source
A. Hiroe, M. Hirayama, Y. Shirai, A. Teramoto and T.Ohmi
Proceedings of The 14th International Display Workshops Volume 2   503-506   2007年12月   [査読有り]
High Current Drivability MOSFET Fabricated on Si (110) Surface
A. Teramoto and T Ohmi
SPRINGER SERIES IN ADVANCED MICROELECTRONICS, Vol.27, Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors   27 21-41   2007年12月   [査読有り][招待有り]
河瀬和雅、梅田浩司、井上真雄、諏訪智之、寺本章伸、服部健雄、大見忠弘
真空   50(11) 672-677   2007年11月   [査読有り]
寺本章伸、荒谷崇、樋口正顕、池永英司、平山昌樹、須川成利、服部健雄、大見忠弘
真空   50(11) 672-677   2007年11月   [査読有り][招待有り]
M. Yamawaki, T. Urakami, Y. Ishihara, Y, Shirai, A. Teramoto, T. Ohmi
International Symposium on Semiconductor Manufacturing 2007 (ISSM 2007)   175-178   2007年10月   [査読有り]
K. Suzuki, Y. Ishihara, K. Sakoda, Y, Shirai, M. Hirayama, A. Teramoto, T. Ohmi, T. Watanabe
International Symposium on Semiconductor Manufacturing 2007 (ISSM 2007)   171-174   2007年10月   [査読有り]
R. Kuroda, A. Teramoto, C. Weitao, S. Sugawa and T. Ohmi
2007 IEEE International SOI Conference   55-56   2007年10月   [査読有り]
W. Cheng, A. Teramoto and T. Ohmi
12th Meeting of The Electrochemical Society      2007年10月   [査読有り]
W. Cheng, A. Teramoto and T. Ohmi
Electrochemical Society Transactions   11(6) 349-354   2007年10月   [査読有り]
Performance Comparison of Ultra-thin FD-SOI Inversion-, Intrinsic-and Accumulation- Mode MOSFETs
R. Kuroda, A. Teramoto, S. Sugawa and T. Ohmi
xtended Abstracts of the 2007 International Conference on SOLID STATE DEVICES and MATERIALS   412-413   2007年9月   [査読有り]
he Evaluation of New Amorphous Hydrocarbon Film aCHx, for Copper Barrier Dielectric Film in Low-k Copper Metallization
H. Ishikawa, T. Nozawa, T. Matsuoka, A. Teramoto, M. Hirayama, T. Ito and T. Ohmi
xtended Abstracts of the 2007 International Conference on SOLID STATE DEVICES and MATERIALS   380-381   2007年9月   [査読有り]
Low Dielectric Constant Non- Porous Fluorocarbon Films for Inter-Layer Dielectric
A. Itoh, A. Inokuchi, S. Yasuda, A. Teramoto, T. Goto, M. Hirayama and T. Ohmi
xtended Abstracts of the 2007 International Conference on SOLID STATE DEVICES and MATERIALS   378-379   2007年9月   [査読有り]
Low Contract Resistance with Low Schottky Barrier for N-Type Silicon Using Yttrium Silicide
T. Isogai, H. Tanaka, T. Goto, A. Teramoto, S. Sugawa and T. Ohmi
xtended Abstracts of the 2007 International Conference on SOLID STATE DEVICES and MATERIALS   206-207   2007年9月   [査読有り]
Characterization of Zinc Oxide Films Grown by a Newly Developed Plasma Enhanced MOCVD Employing Microwave Excited High Destiny Plasma
H. Asahara, A. Inokuchi, K.Watanuki, M. Hirayama, A. Teramoto and T. Ohmi
xtended Abstracts of the 2007 International Conference on SOLID STATE DEVICES and MATERIALS   136-137   2007年9月   [査読有り]
K. Abe, S. Sugawa, S.Watabe, N. Miyamoto, A. Teramoto, M. Toita, Y. Kamata, K. Shibusawa and T. Ohmi
AIP Conference Proceedings 19th International Conference on NOISE AND FLUCTUATIONS-ICNF2007   115-118   2007年9月   [査読有り]
P. Gaubert, W. Cheng, A. Teramoto and T. Ohmi
AIP Conference Proceedings 19th International Conference on NOISE AND FLUCTUATIONS-ICNF2007   43-46   2007年9月   [査読有り]
13.56 and 100 MHz Coupled Mode Rf-Sputtering for Ferroelectric Sr2(Ta1-x,Nbx)2O7 (STN) Film Applied to One-Transistor-Type Ferroelectric Random Access Memory
I. Takahashi, T. Shinohara, A. Teramoto, M. Hirayama, S. Sugawa, and T. Ohmi
Extended Abstracts of 11th European Meeting on Ferroelectricity (EMF-2007)   211   2007年9月   [査読有り]
Microwave-Excited Plasma Enhanced Metal-Organic Chemical Vapor Deposition with Ion-Bombardment-Assistance for Forming Ferroelectric Sr2(Ta1-x,Nbx)2O7 (STN) Thin Film
I. Takahashi, M. Hirayama, A. Teramoto, S. Sugawa, and T. Ohmi
Extended Abstracts of International Conference on Electroceramics (ICE2007)   92-93   2007年7月   [査読有り]
W. Cheng, A. Teramoto, R. Kuroda, M. Hirayama and T.Ohmi
Infos2007 Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconsuctors   2105-2108   2007年6月   [査読有り]
K. Abe, S. Sugawa, S.Watabe, N. Miyamoto, A. Teramoto, Y. Kamata, K. Shibusawa, M. Toita and T. Ohmi
2007 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical papers   210-211   2007年6月   [査読有り]
Analysis of Source Follower Random Telegraph Signal Using nMOS and pMOS Array TEG
K. Abe, S. Sugawa, R. Kuroda, S. Watabe, N. Miyamoto, A. Teramoto, T. Ohmi, Y. Kamata and K. Shibusawa
2007 International Image Sensor Workshop   62-65   2007年6月   [査読有り]
W. Cheng, A. Teramoto, R. Kuroda, M. Hirayama, and T. Ohmi
Microelectronic Engineering   84 2105-2108   2007年6月   [査読有り]
T. Ohmi, A. Teramoto, R. Kuroda, and N. Miyamoto
IEEE Trans. Electron Devices   54(6) 1471-1477   2007年6月   [査読有り]
K. Tanaka, H. Tanaka, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi
Microelectronics Reliability   47(4-5) 786-789   2007年5月   [査読有り]
Fabrication of Pt/Sr2(Ta1-x,Nbx)2O7/SiO2/Si Field-Effect Transistor for One-Transistor-Type Ferroelectric Random Access Memory
I. Takahashi, K. Azumi, Y. Shirai, M. Hirayama, A. Teramoto, S. Sugawa, and T. Ohmi
Proceedings of the 6th WSEAS International Conference on MICROELECTRONICS, NANOELECTRONICS, OPTOELECTRONICS   37-43   2007年5月   [査読有り]
Formation of Ferroelectric Sr2(Ta1-x,Nbx)2O7 Film (STN) on SiON formed by microwave-excited plasma and (Ba1-x,Srx)TiO3(BST) by rf sputtering applied to One-Transistor-Type Ferroelectric Memory Device
I.Takahashi, T. Suwa, K. Azumi, T. Isogai, Y. Shirai, M. Hirayama, A. Teramoto, S. Sugawa, and T. Ohmi
The 19th International Symposium of Integrated Ferroelectrics      2007年5月   [査読有り]
Hot Carrier Instability Mechanism in Accumulation-Mode Normally-off SOI nMOSFETs and Their Reliability Advantage
R. Kuroda, A. Teramoto, W. Cheng, S. Sugawa and T. Ohmi
211th Meeting of The Electrochemical Society   719    2007年5月   [査読有り]
Impact of Improved Mobilities and Suppressed 1/f Noise in Fully Depleted SOI MOSFETs Fabricated on Si(110) Surface
W. Cheng, A. Teramoto, C. Tye, P. Gaubert, M. Hirayama, S. Sugawa and T. Ohmi
211th Meeting of The Electrochemical Society   717    2007年5月   [査読有り]
NBTI Mechanism Based on Hole-Injection for Accurate Lifetime Prediction
A. Teramoto, R. Kuroda, and T. Ohmi
211th Meeting of The Electrochemical Society   664    2007年5月   [招待有り]
I. Takahashi, K. Funaiwa, K. Azumi, S. Yamashita, Y. Shirai, M. Hirayama, A. Teramoto, S. Sugawa, and T. Ohmi
Jpn. J. Appl. Phys.   46(4B) 2200-2204   2007年4月   [査読有り]
T. Suwa, H. Takahashi, Y. Kumagai, G. Fujita, A. Teramoto, S. Sugawa, and T. Ohmi
Jpn. J. Appl. Phys.   46(4B) 2148-2152   2007年4月   [査読有り]
S. Watabe, S. Sugawa, A. Teramoto, and T. Ohmi
Jpn. J. Appl. Phys.   46(4B) 2054-2057   2007年4月   [査読有り]
M. Higuchi, T. Aratani, T. Hamada, S. Shinagawa, H. Nohira, E. Ikenaga, A. Teramoto, T. Hattori, S. Sugawa, and T. Ohmi
Jpn. J. Appl. Phys.   46(4B) 1895-1898   2007年4月   [査読有り]
H. Imai, A. Teramoto, S. Sugawa, and T. Ohmi
Jpn. J. Appl. Phys   46(4B) 1848-1852   2007年4月   [査読有り]
M. Higuchi, S. Sugawa, E. Ikenaga, J. Ushio, H. Nohira, T. Maruizumi, A. Teramoto, T. Ohmi, and T. Hattori
Appl. Phys. Lett.   90(12) 123114-1-123114-3   2007年3月   [査読有り]
Electric and interface characteristics of Si3N4 films formed by directly radical NH on Si (110) and Si (100) surfaces
M. Higuchi, T. Suwa, T. Aratani, T. Hamada, A. Teramoto, T. Hattori, S. Sugawa, T. Ohmi, S. Shinagawa, H. Nohira, E. Ikenaga
37th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference   13   2006年12月   [査読有り]
Radical Oxidation on Ultra Pure Silicon Surface
K. Kawase, M. Higuchi, T. Suwa, H. Umeda, M. Inoue, A. Teramoto, T. Hattrori, S. Sugawa, and T. Ohmi
210th Meeting of The Electrochemical Society   973   2006年11月   [査読有り]
Revolutional Progress of Silicon Technologies Exhibiting Very High Speed Performance Over 50 GHz Clock Rate
T. Ohmi, A. Teramoto, R. Kuroda, and N. Miyamoto
The 6th Taiwan-Japan Microelectronics International Symposium, November 2006      2006年11月   [査読有り]
W. Cheng, A. Teramoto, P. Gaubert, M. Hirayama and T. Ohmi
2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceedings   65-67   2006年10月   [査読有り]
Technology of Ferroelectric Thin Film Formation with Large Coercive Field for Future Scaling Down ofFerroelectric Gate FET Memory Device
I. Takahashi, T. Isogai, K. Azumi, M. Hirayama, A. Teramoto, S. Sugawa, and T. Ohmi
2006 International Conference on Solid State Devices and Materials   554-555   2006年10月   [査読有り]
A New Statistical Evaluation Method for the Variation of MOSFETs
S. Watabe, S. Sugawa, A. Teramoto, and T. Ohmi
2006 International Conference on Solid State Devices and Materials   532-533   2006年10月   [査読有り]
I. Takahashi, K. Azumi, M. Hirayama, A. Teramoto, S. Sugawa and T. Ohmi
Jpn. J. App. Phys.   45(9B) 7336-7340   2006年10月   [査読有り]
K. Hirose, M. Kihara, D. Kobayashi, H. Okamoto, S. Shinagawa, H. Nohira, E. Ikenaga, M. Higuchi, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi, T. Hattori
Appl. Phys. Lett.   89(154103) 1-3   2006年10月   [査読有り]
Low Leakage Current and Low Resistivity p+n Diodes on Si(110) Fabricated by Ga+/B+ Combination I/I and Low Temperature Annealing
H. Imai, A. Teramoto, S. Sugawa and T. Ohmi
2006 International Conference on Solid State Devices and Materials   454-455   2006年9月   [査読有り]
Electric characteristics of Si3N4 films formed by directly radical nitridation on Si (110) and Si (100) surfaces
M. Higuchi, T. Aratani, T. Hamada, A. Teramoto, T. Hattori, S. Sugawa, T. Ohmi, S. Shinagawa, H. Nohira, E. Ikenaga, K. Kobayashi
2006 International Conference on Solid State Devices and Materials   386-387   2006年9月   [査読有り]

書籍等出版物

 
Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors
A. Teramoto and T. Ohmi (担当:共著, 範囲:21-24頁)
Springer   2007年7月   ISBN:10-3-540-71490-1
Scientific Wet Process Technology for Innovative LSI/FPD Manufacturing
H. Morita, A. Teramoto, H. Morinaga, S. Ojima, K. Mitsumori, T. Yabune, M. Miyashita, H. Kikuyama, J. takano (担当:共著, 範囲:61-250)
Taylor & Francis   2006年   
表面・界面工学大系基礎編 上巻
寺本章伸、大見忠弘 (担当:共著, 範囲:489-497)
フジ・テクノシステム   2005年3月   ISBN:4-938555-95-6

講演・口頭発表等

 
Low Noise Balanced-CMOS on Si(110) Surface for Analog/Digital Mixed Signal Circuits
T. Hamada, H. Akahori, K. Nii, T. Suwa, K. Kotani, M. Hirayama, S. Sugawa,T. Ohmi
International Electron Device Metting   2003年12月8日   

競争的資金等の研究課題

 
半導体プロセス
研究開発事業委託費
研究期間: 2002年4月   

特許

 
7,449,719 : Semiconductor device and method of manufacturing the same
Ohmi Tadahiro, Teramoto Akinobu
特許第4190906号 : シリコン半導体基板及びその製造方法
信越半導体株式会社、大見忠弘
特許第4147262号 : 管理方法、及び管理装置
岡安俊幸、須川成利、寺本章伸
特許第4095101号 : 製造システム、製造方法、管理装置、管理方法、およびプログラム
岡安俊幸、須川成利、寺本章伸
特許第4038228号 : デバイス識別方法、および、デバイス製造方法
岡安俊幸、須川成利、寺本章伸
特許第3972076号 : テスト用回路、ウェハ、測定装置、デバイス製造方法、及び表示装置
須川成利、寺本章伸
特許第3526090号 : 半導体装置の製造方法
寺本 章伸
特許第3415690号 : 半導体装置の製造方法
寺本 章伸
特許第3248791号 : 半導体装置
寺本 章伸