本研究では，表面構造や被覆率の異なるSi量子ドットを合成する。次に，これらのSi 量子ドット溶液，Si 量子ドットフィルム，Si 量子ドット LEDにおいて，それぞれの光物性や構造の変化を追跡する。得られた結果から，量子ドットの状態，物性の変化を数値化する。
本年度は，複数の方法で量子ドットの合成を試みた。詳細は，以下の通りである。（１）シルセスキオキサン（HSQ）を高温（900－1400℃）で加熱し，Si 量子ドット/SiO2マトリックスを作製した。得られた生成物をSiO2をフッ酸でエッチングし，水素終端のSi 量子ドットを得た。次に水素終端のSi 量子ドットをアルケンと還流し，ヒドロシリル化反応により炭化水素終端のSi 量子ドットを得た。（２）SiCl4を液相還元し塩素終端のSi量子ドットを作製した。塩素終端のSi 量子ドットをアルコールと反応させ，アルコキシ終端のSi量子ドットを合成した。加水分解とシランカップリングにより，シロキサン修飾のSi量子ドットを合成した。（３）ハロシランを液相還元し，表面を有機化合物で化学修飾した量子ドットを合成した。以上，3種類の方法で３つの異なる発光波長で発光するシリコン量子ドットの合成に成功した。