鈴木孝将 (Takayuki Suzuki) - マイポータル

基本情報

所属: 福岡大学工学部電子情報工学科教授

学位: 博士(理学)(東京工業大学)

研究者番号: 10580178
ORCID ID: https://orcid.org/0000-0002-4593-5059
J-GLOBAL ID: 201001030120454078
Researcher ID: W-4097-2019
researchmap会員ID: 5000043936

研究キーワード

研究分野

経歴

2012年 - 現在

福岡大学工学部教授
2015年 - 2016年

在外研究員、Chemistry department, Warwick University, Coventry, UK.
2010年 - 2012年

福岡大学工学部准教授
2006年 - 2009年

Researcher, Nanoscale Science Department, Max-Planck-Institute for Solid State Research, Stuttgart, Germany.
2004年 - 2006年

Visiting Scholar, Chemistry Department, University of Pittsburgh, Pittsburgh, USA.
2003年 - 2004年

Researcher, Physical Chemistry Department, Fritz-Haber-Institute der MPG, Berlin, Germany.
2002年 - 2003年

九州大学大学院理学府助教授
2001年 - 2002年

Alexander von Humboldt Fellow, Physical Chemistry Department, Fritz-Haber-Institute der MPG, Berlin, Germany.
2000年 - 2001年

東京大学物性研究所 COE 研究員
1998年 - 2000年

日本学術振興会・特別研究員(PD)
1995年 - 1998年

日本学術振興会・特別研究員(DC1)

学歴

1995年 - 1998年

東京工業大学, 理工学研究科, 物理学専攻
1989年 - 1993年

東京工業大学, 理学部, 物理学科

委員歴

論文

The √7×√3-In surface reconstruction consisting of triple layer on the Si(111) surface

Takayuki Suzuki, Kazuma Yagyu

Surface Science 741 122434-122434 2023年12月3日査読有り筆頭著者責任著者
Formation of the incommensurate Si(111)-∼5.4 × ∼5.4-In surface

Takayuki Suzuki, Kazuma Yagyu

Surface Science 726 122174-122174 2022年8月27日査読有り筆頭著者責任著者
Hydrogen etching of the SiC(0001) surface at moderate temperature

Toshiya Hamasaki, Kazuma Yagyu, Hisashi Mitani, Takashi Nishida, Hiroshi Tochihara, Takayuki Suzuki

Journal of Vacuum Science & Technology B 39(5) 052801-1-052801-6 2021年7月30日査読有り
Microscopic Hopping Mechanism of Isolated PTCDA Molecule on Reactive Ge(001)

T. Shiota, W. Mizukami, H. Tochihara, K. Yagyu, T. Suzuki, Y. Aoki

The Journal of Physical Chemistry C 124 24704-24712 2020年10月29日査読有り
Initial growth of pentacene on a Si(111)-√7×√3-In surface

T. Suzuki, K. Yagyu, H. Tochihara

Physical Chemistry Chemical Physics 22 14748-14755 2020年6月24日査読有り筆頭著者
Surface structural phase transition induced by the formation of metal-organic networks on the Si(111)-√7×√3 -In surface

T. Suzuki, J. Lawrence, J.M. Morbec, P. Kratzer, G. Costantini

Nanoscale 11 21790-21798 2019年11月査読有り筆頭著者
Self-ordering of chemisorbed PTCDA molecules on Ge(001) driven by repulsive forces

P. Kocán, B. Pieczyrak, L. Jurczyszyn, Y. Yoshimoto, K. Yagyu, H. Tochihara, T. Suzuki

Physical Chemistry Chemical Physics 21 9504-9511 2019年4月15日査読有り
Initial Growth of Pentacene Thin Film on Si(001) substrate

T. Suzuki, K. Yagyu, H. Tochihara

The Journal of Physical Chemistry C 123 2996-3003 2019年1月29日査読有り筆頭著者責任著者
Indium coverage of the Si(111)-√7×√3-In surface

T. Suzuki, J. Lawrence, M. Walker, J.M. Morbec, P. Blowey, K. Yagyu, P. Kratzer, G. Costantini

Physical Review B 96(3) 035412-1-035412-7 2017年7月査読有り筆頭著者
Theoretical Study of Cu Intercalation through a Defect in Zero-Layer Graphene on SiC Surface

Yuuichi Orimoto, Kohei Otsuka, Kazuma Yagyu, Hiroshi Tochihara, Takayuki Suzuki, Yuriko Aoki

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C 121(13) 7294-7302 2017年4月査読有り
Neutralization of an epitaxial graphene grown on a SiC(0001) by means of palladium intercalation

Kazuma Yagyu, Kazutoshi Takahashi, Hiroshi Tochihara, Hajime Tomokage, Takayuki Suzuki

APPLIED PHYSICS LETTERS 110(13) 131602-1-5 2017年3月査読有り
Adsorption of PTCDA on Ge(001)

P. Kocan, Y. Yoshimoto, K. Yagyu, H. Tochihara, T. Suzuki

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C 121(6) 3320-3326 2017年2月査読有り
Chlorine adlayer-templated growth of a hybrid inorganic–organic layered structure on Au(111)

I.I. Rzeźnicka, H. Horino, K. Yagyu, T. Suzuki, S. Kajimoto, H. Fukumura

Surface Science 652 46-50 2016年10月査読有り
Adsorption of PTCDA on Si(001)-2×1 surface

T. Suzuki, Y. Yoshimoto, K. Yagyu, H. Tochihara

The Journal of Chemical Physics 142(10) 101904-1-7 2015年3月査読有り筆頭著者
SiC(0001)基板に成長させたゼロ層グラフェンへの銅インターカレーション

柳生数馬, 田尻恭之, 香野淳, 高橋和敏, 栃原浩, 友景肇, 鈴木孝将

真空 57(7) 266-271 2014年7月査読有り
Fabrication of a single layer graphene by copper intercalation on a SiC(0001) surface

Kazuma Yagyu, Takayuki Tajiri, Atsushi Kohno, Kazutoshi Takahashi, Hiroshi Tochihara, Hajime Tomokage, Takayuki Suzuki

APPLIED PHYSICS LETTERS 104(5) 053115-1-4 2014年2月
Scanning tunneling microscopic and spectroscopic studies on a crystalline silica monolayer epitaxially formed on hexagonal SiC(000(1)over-bar) surfaces

Hiroshi Tochihara, Tetsuroh Shirasawa, Takayuki Suzuki, Toshio Miyamachi, Takashi Kajiwara, Kazuma Yagyu, Shunsuke Yoshizawa, Toshio Takahashi, Satoru Tanaka, Fumio Komori

APPLIED PHYSICS LETTERS 104(5) 051601-1-4 2014年2月
Surface morphology of MnSi thin films grown on Si(111)

T. Suzuki, T. Lutz, B. Geisler, P. Kratzer, K. Kern, G. Costantini

Surface Science 617 106-112 2013年11月査読有り筆頭著者
Growth mode and atomic structure of MnSi thin films on Si(111)

B. Geisler, P. Kratzer, T. Suzuki, T. Lutz, G. Costantini, K. Kern

PHYSICAL REVIEW B 86(11) 1154728 2012年9月査読有り
電子定在波とフリーデル振動

長谷川幸雄, 小野雅紀, 鈴木孝将, 江口豊明

日本物理学会誌 67(1) 6-13 2012年1月査読有り

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MISC

令和2年度日本表面真空学会九州支部セミナー開催報告

鈴木孝将

表面と真空 64(3) 141-141 2021年3月招待有り
令和元年度日本表面真空学会九州支部学術講演会開催報告

鈴木孝将

表面と真空 62(8) 528-528 2019年8月招待有り
Ge表面上のPTCDA分子の吸着構造に関する研究

鈴木孝将, 柳生数馬

Research : 福岡大学総合研究所ニュース&レポート 23(2) 48-50 2018年6月招待有り
イギリスでの在外研究を終えて

鈴木孝将

Research : 福岡大学総合研究所ニュース&レポート 22(1) 8-10 2017年3月招待有り
22aAJ-7 SiC(0001)表面上に成長したグラフェン膜へのPdインターカレーション

柳生数馬, 高橋和敏, 栃原浩, 友景肇, 鈴木孝将

日本物理学会講演概要集 71 2628-2628 2016年
Si(111)-√7×√3-In表面上へのTCNQ吸着による表面構造相転移

鈴木孝将, Lawrence J., Blowey P., Costantini G.

日本物理学会講演概要集 71 2379-2379 2016年
Angle resolved photoemission spectroscopy on Pd intercalated graphenes grown on a SiC(0001) surface

Kazuma Yagyu, Takayuki Suzuki

Activity Report Synchrotron Light Application Center Saga University 2014-2015 58-59 2016年
Si表面上の有機半導体分子の吸着構造に関する研究

鈴木孝将, 友景肇, 柳生数馬

Research : 福岡大学総合研究所ニュース&レポート 20(4) 48-50 2015年12月招待有り
Angle resolved photoemission spectroscopy on Cu intercalated graphenes grown on a SiC(0001) surface

柳生数馬, 鈴木孝将

Activity Report Synchrotron Light Application Center 2012-2013 62-63 2014年6月
28pPSA-43 Si(001)-2×1表面上のPTCDA分子の吸着構造のSTM観察(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))

鈴木孝将, 吉本芳英, 柳生数馬, 栃原浩

日本物理学会講演概要集 69(1) 887-887 2014年3月5日
28aAQ-2 SiC上エピタキシャルグラフェンに対する銅のインターカレーション(28aAQ グラフェン・シリセン,領域9(表面・界面・結晶成長))

柳生数馬, 田尻恭之, 香野淳, 高橋和敏, 栃原浩, 友景肇, 鈴木孝将

日本物理学会講演概要集 69(1) 877-877 2014年3月5日
27pAP-6 SiC上の結晶性シリカシートのSTM観察とそのバンドギャップ(27pAP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

栃原浩, 小森文夫, Kruger Peter, Pollmann Jahannes, 白澤徹郎, 鈴木孝将, 宮町俊生, 梶原隆司, 柳生数馬, 吉澤俊介 …

日本物理学会講演概要集 69 871-871 2014年
ドイツとアメリカの研究生活

鈴木孝将

表面科学 : hyomen kagaku = Journal of the Surface Science Society of Japan 34(9) 507-508 2013年9月10日
26pPSA-28 SiC(0001)表面上に成長したグラフェン膜へのCu蒸着2(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

柳生数馬, 友景肇, 鈴木孝将, 田尻恭之, 香野淳

日本物理学会講演概要集 68(1) 976-976 2013年3月26日
26pPSA-3 Si(111)-7×7表面上のMnSi薄膜の成長と構造(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

鈴木孝将, Geisler B., Kratzer P., Lutz T., Costantini G., Kern K.

日本物理学会講演概要集 68(1) 970-970 2013年3月26日
19aEC-3 SiC(0001)表面上に成長したグラフェン膜へのCu蒸着(19aEC 領域7,領域9合同グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))

柳生数馬, 友景肇, 鈴木孝将

日本物理学会講演概要集 67(2) 768-768 2012年8月24日
26pPSB-29 Si(001)表面上のペンタセン薄膜の初期成長(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

能方駿介, 友景肇, 柳生数馬, 鈴木孝将

日本物理学会講演概要集 67(1) 963-963 2012年3月5日
26pPSB-30 SiC(0001)表面における銅蒸着グラフェン膜の研究(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

柳生数馬, 友景肇, 鈴木孝将

日本物理学会講演概要集 67(1) 963-963 2012年3月5日
28aXC-7 反射電子顕微鏡法におけるenergy-filtered electron interferometry II

谷城康眞, 鈴木孝将, 箕田弘喜, 八木克道

日本物理学会講演概要集 56(1) 852-852 2001年3月9日
24aPS-40 反射電子顕微鏡法におけるエネルギーフィルタリング

石黒菜美, 鈴木孝将, 箕田弘喜, 谷城康眞, 八木克道

日本物理学会講演概要集 55(1) 787-787 2000年3月10日

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書籍等出版物

表面物性工学ハンドブック第２版第14章、3.3節「微傾斜面におけるステップ配列」

鈴木孝将, 編集者, 小間篤, 青野正和, 石橋幸治, 塚田捷, 常行真司, 長谷川修司, 八木克道, 吉信淳 (担当:共著, 範囲:588-590)

丸善 2007年2月
ミクロの世界・物質編目で観る物性論

鈴木孝将, 八木克道, 編集者, 社, 日本電子顕微鏡学会 (担当:共著, 範囲:260-261)

学際企画 1998年3月

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

表面超伝導体上の2次元金属有機構造体によって誘起された表面構造相転移の研究

領域別研究部 2次元金属有機構造体研究チーム 2018年4月 - 2021年3月
個々の有機分子を自己組織的に配列させた超高密度記録媒体

領域別研究部ナノ分子デバイス研究チーム 2015年4月 - 2018年3月
半導体の材料と製造工程に関する研究

推奨研究プロジェクト集積回路研究チーム 2015年4月 - 2018年3月
個々の有機分子を自己組織的に配列させた超高密度記録媒体の試作

日本学術振興会科学研究費基盤研究C 2015年4月 - 2018年3月
オージェ電子分光機能付き低速電子線回析装置一式

私立大学等研究設備整備費補助金 2016年4月 - 2017年3月
Fabrication of plasmonic metal nano-structures for photocurrent generation drawing an innovation for design of thin-film solar cells

日本学術振興会科学研究費基盤研究C 2013年4月 - 2016年3月

I.I. Rzeźnicka
Si表面上のペンタセン分子の薄膜成長過程と電気伝導特性に関する研究

領域別研究部ナノエレクトロニクス研究チーム 2012年4月 - 2015年3月
金属及び半導体上に形成する同一性酸化シリコン単分子層の構造とバンドギャップ

日本学術振興会科学研究費基盤研究C 2012年4月 - 2014年3月

栃原浩
Graphene膜上の多環芳香族分子の化学吸着構造と電気伝導特性に関する研究

大学院教育研究高度化推進経費 2011年4月 - 2012年3月

友景肇
半導体表面上の多環芳香族分子の化学吸着構造と電気伝導特性に関する研究

松籟科学技術振興財団 2010年12月 - 2011年12月
超高真空ホログラフィー電子顕微鏡によるSi高指数表面の研究

日本学術振興会日本学術振興会特別研究員奨励費 PD 1998年4月 - 2000年3月
微斜面及び高指数Si表面のREM-RHEED、STM-STS法による研究

日本学術振興会日本学術振興会特別研究員奨励費 DC1 1995年4月 - 1998年3月

鈴木孝将

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委員歴

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書籍等出版物

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共同研究・競争的資金等の研究課題

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