2006年4月 - 2009年3月
半導体量子構造におけるテラヘルツ電磁波発生機構
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
- 課題番号
- 18340090
- 体系的課題番号
- JP18340090
- 担当区分
- 研究代表者
- 配分額
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- (総額)
- 19,500,000円
- (直接経費)
- 15,000,000円
- (間接経費)
- 4,500,000円
- 資金種別
- 競争的資金
GaAs/AlAs多重量子井戸構造を試料として、コヒーレント縦光学フォノン(位相の揃った縦型光学格子振動)から、高強度かつ高単色性のテラヘルツ(THz : 1012Hz)電磁波が発生する機構を明らかにした。また、励起子(電子と正孔のクーロン束縛状態)の量子干渉効果(2種類の励起子状態の量子力学的干渉)がコヒーレントフォノンの駆動力となり、THz電磁波が増強されることを実証した。さらに、GaAs/AlAs超格子を試料として、電場による電子・正孔波動関数の局在過程において、THz領域で振動数可変のブロッホ振動(電子・正孔波束のコヒーレント振動現象)の新奇な振る舞いを見いだした。
- ID情報
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- 課題番号 : 18340090
- 体系的課題番号 : JP18340090