論文

査読有り
2019年4月29日

Controlled oxide interlayer for improving reliability of SiO2/GaN MOS devices

Japanese Journal of Applied Physics
  • Yamada Takahiro
    • ,
  • Terashima Daiki
    • ,
  • Nozaki Mikito
    • ,
  • Yamada Hisashi
    • ,
  • Takahashi Tokio
    • ,
  • Shimizu Mitsuaki
    • ,
  • Yoshigoe Akitaka
    • ,
  • Hosoi Takuji
    • ,
  • Shimura Takayoshi
    • ,
  • Watanabe Heiji
巻
58
号
0
開始ページ
SCCD06
終了ページ
SCCD06
記述言語
英語
掲載種別
研究論文（学術雑誌）
DOI
10.7567/1347-4065/ab09e0
出版者・発行元
IOP Publishing
リンク情報
DOI
https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab09e0
CiNii Articles
http://ci.nii.ac.jp/naid/210000155875
Web of Science
https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=JSTA_CEL&SrcApp=J_Gate_JST&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=WOS:000474911400141&DestApp=WOS_CPL
ID情報
  • DOI : 10.7567/1347-4065/ab09e0
  • ISSN : 0021-4922
  • eISSN : 1347-4065
  • CiNii Articles ID : 210000155875
  • Web of Science ID : WOS:000474911400141
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