2019年11月
Monolayer MoS2 field effect transistor with low Schottky barrier height with ferromagnetic metal contacts
Scientific Reports
- 巻
- 9
- 号
- 17032
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
大島 諒
Ryo Ohshima
更新日: 01/31