2016年11月
A Charge Based SiC Power MOSFET Model Considering On-state Resistance
International Symposium on Nonlinear Theory and Its Applications (NOLTA)
- ,
- ,
- ,
- 開始ページ
- 177
- 終了ページ
- 180
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
佐藤 高史
Takashi Sato
更新日: 03/11