窪谷茂幸 (SHIGEYUKI KUBOYA) - マイポータル

基本情報

所属: 三重大学地域創生戦略企画室特任准教授（研究担当）

研究者番号: 70583615
J-GLOBAL ID: 202001000305420995
researchmap会員ID: R000014447

経歴

2019年4月 - 現在

三重大学, 地域創生戦略企画室, 特任准教授（研究担当）
2013年4月 - 2019年3月

東北大学金属材料研究所, 助教
2010年5月 - 2013年3月

東京大学大学院新領域創成科学研究科, 助教
2009年12月 - 2010年5月

東京大学大学院新領域創成科学研究科, 特任助教
2008年12月 - 2009年11月

Center for Quantum Devices, Northwestern University, Postdoctoral Fellow
2008年4月 - 2008年11月

東京大学大学院新領域創成科学研究科, 客員共同研究員

論文

Properties of ScAlMgO4 as Substrate for Nitride Semiconductors

Takashi Matsuoka, Hitoshi Morioka, Satoshi Semboshi, Yukihiko Okada, Kazuya Yamamura, Shigeyuki Kuboya, Hiroshi Okamoto, Tsuguo Fukuda

Crystals 13(3) 449-449 2023年3月4日
Thermal radiation resonating with longitudinal optical phonon from surface micro-stripe structures on metal-gallium nitride and sapphire

Bojin Lin, Hnin Lai Lai Aye, Yuto Imae, Kotaro Hayashi, Haruki Orito, Bei Ma, Shigeyuki Kuboya, Hideto Miyake, Yoshihiro Ishitani

Materials Science in Semiconductor Processing 147 106726-106726 2022年8月
263 nm wavelength UV-C LED on face-to-face annealed sputter-deposited AlN with low screw- and mixed-type dislocation densities

Kenjiro Uesugi, Shigeyuki Kuboya, Kanako Shojiki, Shiyu Xiao, Takao Nakamura, Masataka Kubo, Hideto Miyake

Applied Physics Express 15(5) 055501-055501 2022年5月1日
Effect of MOVPE growth conditions on AlN films on annealed sputtered AlN templates with nano-striped patterns

Yukino Iba, Kanako Shojiki, Shigeyuki Kuboya, Kenjiro Uesugi, Shiyu Xiao, Hideto Miyake

Journal of Crystal Growth 570 126237-126237 2021年9月
Effect of the Sputtering Deposition Conditions on the Crystallinity of High-Temperature Annealed AlN Films

Kenjiro Uesugi, Kanako Shojiki, Shiyu Xiao, Shigeyuki Kuboya, Hideto Miyake

Coatings 11(8) 956-956 2021年8月10日
Reduction of threading dislocation densities of N-polar face-to-face annealed sputtered AlN on sapphire

Kanako Shojiki, Kenjiro Uesugi, Shigeyuki Kuboya, Hideto Miyake

Journal of Crystal Growth 126309-126309 2021年8月
High‐Quality AlN Template Prepared by Face‐to‐Face Annealing of Sputtered AlN on Sapphire

Kanako Shojiki, Kenjiro Uesugi, Shigeyuki Kuboya, Takafumi Inamori, Shin Kawabata, Hideto Miyake

physica status solidi (b) 258(2) 2000352-2000352 2020年11月13日査読有り
Crystalline quality improvement of face-to-face annealed MOVPE-grown AlN on vicinal sapphire substrate with sputtered nucleation layer

Shigeyuki Kuboya, Kenjiro Uesugi, Kanako Shojiki, Yuta Tezen, Kenji Norimatsu, Hideto Miyake

Journal of Crystal Growth 545 125722-125722 2020年9月査読有り筆頭著者
深紫外LED応用に向けた低転位密度AlNの作製

上杉謙次郎, 王丁, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 三宅秀人

日本結晶成長学会誌 47(3) n/a 2020年
Reuse of ScAlMgO4 substrates utilized for halide vapor phase epitaxy of GaN

Kazuki Ohnishi, Shigeyuki Kuboya, Tomoyuki Tanikawa, Takuya Iwabuchi, Kazuya Yamamura, Noriyuki Hasuike, Hiroshi Harima, Tsuguo Fukuda, Takashi Matsuoka

Japanese Journal of Applied Physics 58(SC) SC1023-SC1023 2019年6月1日査読有り
有機金属気相成長法によるN極性窒化物半導体の成長技術

谷川智之, プラスラットスックキャッティウット, 木村健司, 窪谷茂幸, 松岡隆志

日本結晶成長学会誌 45(1) n/a 2018年
N-polar GaN/AlGaN/GaN metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistor formed on sapphire substrate with minimal step bunching

Kiattiwut Prasertsuk, Tomoyuki Tanikawa, Takeshi Kimura, Shigeyuki Kuboya, Tetsuya Suemitsu, Takashi Matsuoka

Applied Physics Express 11(1) 015503-015503 2018年1月1日査読有り
Halide vapor phase epitaxy of thick GaN films on ScAlMgO4substrates and their self-separation for fabricating freestanding wafers

Kazuki Ohnishi, Masaya Kanoh, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Takashi Mukai, Takashi Matsuoka

Applied Physics Express 10(10) 101001-101001 2017年10月1日査読有り
Ga-polar GaN film grown by MOVPE on cleaved ScAlMgO4(0001) substrate with millimeter-scale wide terraces

Takuya Iwabuchi, Shigeyuki Kuboya, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Tsuguo Fukuda, Takashi Matsuoka

physica status solidi (a) 214(9) 1600754-1600754 2017年9月査読有り
Fabrication of Cu2ZnSnS4 thin films using a Cu-Zn-Sn-O amorphous precursor and supercritical fluid sulfurization

Yuta Nakayasu, Takaaki Tomai, Nobuto Oka, Kanako Shojiki, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Liwen Sang, Masatomo Sumiya, Itaru Honma

Thin Solid Films 638 244-250 2017年9月
Absolute technique for measuring internal electric fields in InGaN/GaN light-emitting diodes by electroreflectance applicable to all crystal orientations

Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Ryuji Katayama, Shigeyuki Kuboya, Takashi Matsuoka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Applied Physics Express 10(8) 082101-082101 2017年8月1日査読有り
Control of impurity concentration in N-polar (0001¯) GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Takashi Matsuoka

physica status solidi (b) 254(8) 1600751-1600751 2017年8月査読有り
Nanometer scale fabrication and optical response of InGaN/GaN quantum disks

Yi-Chun Lai, Akio Higo, Takayuki Kiba, Cedric Thomas, Shula Chen, Chang Yong Lee, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kanako Shojiki …

Nanotechnology 27(42) 425401-425401 2016年10月21日
MOVPE growth of N-polar GaN/Al<inf>x</inf>Ga<inf>1-x</inf>N/GaN heterostructure on small off-cut substrate for flat interface

K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama …

2016 Compound Semiconductor Week, CSW 2016 - Includes 28th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM and 43rd International Symposium on Compound Semiconductors, ISCS 2016 2016年8月1日
Polarity control of GaN grown on pulsed-laser-deposited AlN/GaN template by metalorganic vapor phase epitaxy

Jinyeop Yoo, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

Japanese Journal of Applied Physics 55(5S) 05FA04-05FA04 2016年5月1日査読有り

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MISC

高温アニールしたスパッタ成膜AlNテンプレートを用いたUV-C LEDの開発 (光・量子デバイス研究会・パワー光源システム技術研究会)

上杉謙次郎, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 肖世玉, 三宅秀人

電気学会研究会資料. OQD = The papers of technical meeting on optical and quantum devices, IEE Japan 2021(34) 17-22 2021年7月20日
r面サファイア基板上への高温アニールa面AlN膜作製における基板オフ角依存性

渋谷康太, 上杉謙次郎, 上杉謙次郎, XIAO Shiyu, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 秋山亨, 三宅秀人, 三宅秀人

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 121(259(ED2021 15-36)) 2021年
スパッタアニール法を用いたa面AlNの結晶性の基板オフ角依存性

渋谷康太, 上杉謙次郎, 上杉謙次郎, XIAO S., 正直花奈子, 窪谷茂幸, 秋山亨, 三宅秀人, 三宅秀人

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
深紫外LED応用に向けた低転位密度AlNの作製 (特集深紫外発光デバイスの実現に向けた窒化物半導体結晶成長の進展)

上杉謙次郎, 王丁, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 三宅秀人

日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 47(3) 1-10 2020年
有機金属気相成長法によるN極性窒化物半導体の成長技術 (特集特異構造の結晶科学 : 結晶成長と構造・物性相関)

谷川智之, プラスラットスックキャッティウット, 木村健司, 窪谷茂幸, 松岡隆志

日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 45(1) 8p 2018年
N-polar GaN MIS-HEMTs with Flat Interface Grown by Optimized MOVPE (電子デバイス)

PRASERTSUK Kiattiwut, TANIKAWA Tomoyuki, KIMURA Takeshi, KUBOYA Shigeyuki, SUEMITSU Tetsuya, MATSUOKA Takashi

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(58) 59-64 2017年5月25日
Effect of Substrate-surface Orientation on the N Incorporation in GaAsN Films on GaAs Grown by MOVPE

P. Klangtakai, S. Sanorpim, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe

SMART MATERIALS 55-57(57) 825-+ 2008年

共同研究・競争的資金等の研究課題

溶液法／昇華法ハイブリッド成長における欠陥伝播メカニズム解明と高品位化実証

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2022年4月 - 2025年3月

三谷武志, 窪谷茂幸, 江藤数馬
二次元層状物質を導入した反転積層窒化物深紫外発光素子の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2021年4月 - 2022年3月

窪谷茂幸
光源集積型波長変換による深紫外レーザの超小型化に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2014年4月 - 2017年3月

片山竜二, 横山弘之, 窪谷茂幸, 谷川智之
局所ドーピング構造半導体による量子相関光子の生成および制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2012年4月 - 2015年3月

矢口裕之, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 窪谷茂幸, 土方泰斗, 八木修平, 秋山英文
高相純度立方晶III族窒化物半導体薄膜成長とヘテロ構造の物性応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2010年 - 2012年

尾鍋研太郎, 矢口裕之, 片山竜二, 窪谷茂幸, サクンタムサノーピン
局所ドーピング構造半導体による単一光子発生に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2009年 - 2011年

矢口裕之, 土方泰斗, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 八木修平, 窪谷茂幸, 秋山英文

窪谷茂幸

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