宇佐美茂佳 (Shigeyoshi Usami) - マイポータル

基本情報

所属: 大阪大学工学研究科電子情報通信工学専攻助教

J-GLOBAL ID: 202001012853407466
researchmap会員ID: R000005753

研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

経歴

2020年7月 - 現在

大阪大学, 工学研究科電気電子情報通信工学専攻
2019年4月 - 2020年6月

三菱電機株式会社, 先端技術総合研究所

学歴

2016年4月 - 2019年3月

名古屋大学, 工学研究科, 電子情報システム専攻
2014年4月 - 2016年3月

名古屋大学, 工学研究科, 電子情報システム専攻

受賞

2022年11月

日本結晶成長学会第20回奨励賞, GaN縦型pnダイオードの転位解析によるリーク電流の低減, 日本結晶成長学会

宇佐美茂佳
2022年6月

第35回独創性を拓く先端技術大賞社会人部門特別賞, Naフラックス法とOVPE法を組み合わせた高品質・大型GaN結晶成長技術～脱炭素社会化に貢献するGaNデバイスの普及を目指して～, フジサンケイビジネスアイ

今西正幸, 宇佐美茂佳, 山田拓海, 村上航介, 滝野淳一, 隅智亮, 藤森拓
2018年11月

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 Student Award(IWN2018)

shigeyoshi Usami
2017年11月

EMS賞（第36 回電子材料シンポジウム）, 電子材料シンポジウム運営委員会

宇佐美茂佳
2016年5月

第8 回窒化物半導体結晶成長講演会発表奨励賞, 光電流測定による窒化物系LEDの内部量子効率評価, 日本結晶成長学会, ナノ構造・エピタキシャル成長分科会

宇佐美茂佳

論文

High-speed and long-time growth of GaN by suppressing gas-phase reaction in the oxide vapor phase epitaxy method

Shigeyoshi Usami, Ayumu Shimizu, Ritsuko Higashiyama, Masayuki Imanishi, Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata …

Japanese Journal of Applied Physics 64(5) 055504-1-055504-5 2025年5月1日筆頭著者責任著者
Effects of morphology during coalescence of GaN crystals on dislocation behavior in the Na-flux point seed technique

Ryotaro Sasaki, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Japanese Journal of Applied Physics 64(5) 055502-1-055502-10 2025年5月1日査読有り
Thermal conductivity of GaN with a vacancy and an oxygen point defect

Takahiro Kawamura, Ryogo Nishiyama, Toru Akiyama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

Journal of Crystal Growth 649 127948-1-127948-6 2025年1月査読有り
Effects of adding methane on the growth and electrical properties of GaN in oxide vapor phase epitaxy

S. Usami, R. Higashiyama, M. Imanishi, J. Takino, T. Sumi, Y. Okayama, M. Yoshimura, M. Hata, M. Isemura, Y. Mori

Journal of Applied Physics 136(8) 2024年8月28日
Characteristics of Vertical Transistors on a GaN Substrate Fabricated via Na‐Flux Method and Enlargement of the Substrate Surpassing 6 Inches

Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Kosuke Murakami, Kanako Okumura, Kosuke Nakamura, Keisuke Kakinouchi, Yohei Otoki, Tomio Yamashita, Naohiro Tsurumi, Satoshi Tamura …

physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters 2400106-1-2400106-10 2024年6月26日査読有り
Analysis of local strain fields around individual threading dislocations in GaN substrates by nanobeam x-ray diffraction

T. Hamachi, T. Tohei, Y. Hayashi, S. Usami, M. Imanishi, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai

Journal of Applied Physics 135(22) 2024年6月11日
Calcium phosphate controls nucleation and growth of calcium oxalate crystal phases in kidney stones

Uta MICHIBATA, Mihoko MARUYAMA, Yutaro TANAKA, Masashi YOSHIMURA, Hiroshi YOSHIKAWA, Kazufumi TAKANO, Yoshihiro FURUKAWA, Koichi MOMMA, Rie TAJIRI, Kazumi TAGUCHI …

Biomedical Research 45(3) 103-113 2024年6月3日査読有り
The impact of crystal phase transition on the hardness and structure of kidney stones

Uta Michibata, Mihoko Maruyama, Yutaro Tanaka, Masashi Yoshimura, Hiroshi Y. Yoshikawa, Kazufumi Takano, Yoshihiro Furukawa, Koichi Momma, Rie Tajiri, Kazumi Taguchi …

Urolithiasis 52(1) 2024年4月2日査読有り
Origin of Black Color in Heavily Doped n‐Type GaN Crystal

Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

physica status solidi (b) 2400027-1-2400027-7 2024年3月16日査読有り
Suppression of polycrystal nucleation by methane addition at moderate timing to maintain GaN crystal growth on point seeds in the Na-flux method

Kazuma Hamada, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Journal of Crystal Growth 627 127522-1-127522-6 2024年2月査読有り
Elastic constants of GaN grown by the oxide vapor phase epitaxy method

Hiroki Fukuda, Akira Nagakubo, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Hirotsugu Ogi

Applied Physics Express 17(1) 016501-1-016501-4 2023年12月26日査読有り
Preparation of a freestanding GaN substrate in the Na-flux method by laser-assisted separation

Kazuma Hamada, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Japanese Journal of Applied Physics 62(12) 125503-125503 2023年12月1日査読有り
Conduction mechanism of Schottky contacts fabricated on etch pits originating from single threading dislocation in a highly Si-doped HVPE GaN substrate

Toshikazu Sato, Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori, Akira Sakai

Materials Science in Semiconductor Processing 167 2023年11月15日
Reducing GaN crystal dislocations through lateral growth on uneven seed crystal surfaces using the Na-flux method

Shogo Washida, Masayuki Imanishi, Ricksen Tandryo, Kazuma Hamada, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Japanese Journal of Applied Physics 62(10) 105503-1-105503-7 2023年10月1日査読有り
Monitoring of GaN crystal growth rate in the Na flux growth via electroresistometry of Ga-Na solution

Ricksen Tandryo, Koichi Itozawa, Kosuke Murakami, Hitoshi Kubo, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Journal of Crystal Growth 617 127292-1-127292-8 2023年9月査読有り
Thermodynamic analysis of oxide vapor phase epitaxy of GaN

Yuki Sakurai, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura …

Journal of Applied Physics 134(8) 085704-1-085704-8 2023年8月28日査読有り責任著者
MP05-07 VALIDATING THE THEORY OF PHASE TRANSITION FROM CALCIUM OXALATE DIHYDRATE TO MONOHYDRATE IN THE STONE FORMATION: THE FIRST ARTIFICIAL IN VIVO EXPERIMENT

Mihoko Maruyama, Uta Michibata, Yutaro Tanaka, Hiroshi Yoshikawa, Kazufumi Takano, Rie Tajiri, Kazumi Taguchi, Shuzo Hamamoto, Atsushi Okada, Takahiro Yasui …

Journal of Urology 209(Supplement 4) 2023年4月
Evidence for Solution-Mediated Phase Transitions in Kidney Stones: Phase Transition Exacerbates Kidney Stone Disease

Mihoko Maruyama, Yutaro Tanaka, Koichi Momma, Yoshihiro Furukawa, Hiroshi Y. Yoshikawa, Rie Tajiri, Masanori Nakamura, Kazumi Taguchi, Shuzo Hamamoto, Ryosuke Ando …

Crystal Growth & Design 2023年4月査読有り
Comprehensive analysis of current leakage at individual screw and mixed threading dislocations in freestanding GaN substrates

Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori, Akira Sakai

Scientific Reports 13(1) 2434-1-2434-14 2023年2月10日査読有り
OVPE成長条件下におけるGaN表面構造と点欠陥がGaNの光学特性へ与える影響

河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介, 森川良忠, 寒川義裕

日本結晶成長学会誌 50(1) n/a 2023年

もっとみる

MISC

点欠陥がGaNの熱伝導率に与える影響

西山稜悟, 河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 吉村政志, 森勇介

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 52nd 2023年
OVPE成長条件下におけるGaN表面構造と点欠陥がGaNの光学特性へ与える影響

河村貴宏, 河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 吉村政志, 森勇介, 森川良忠, 寒川義裕

日本結晶成長学会誌(CD-ROM) 50(1) 2023年
Naフラックス法における窒素脱離特性を活用した微小GaN種結晶上の核発生成進

TANDRYO Ricksen, 村上航介, 久保等, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶品質の種結晶オフ角依存性

鷲田将吾, TANDRYO Ricksen, 中島達彦, 村上航介, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
Naフラックス法における成長速度制御によるGaN結晶の再成長界面における新たに発生した貫通転位の抑制【JST・京大機械翻訳】|||

Yamauchi Hyoga, Tandryo Ricksen, Yamada Takumi, Murakami Kosuke, Usami Shigeyoshi, Imanishi Masayuki, Maruyama Mihoko, Maruyama Mihoko, Maruyama Mihoko, Yoshimura Masashi …

Japanese Journal of Applied Physics (Web) 61(5) 2022年
超低抵抗・低転位密度GaN 基板の開発とデバイス応用

滝野淳一, 隅智亮, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 岡山芳央, 森勇介

日本結晶成長学会誌 48(3) 48-3-01 2021年11月査読有り
ポイントシード技術を用いたN a フラックス法による高品質・大口径 G aN ウエハの作製

今西正幸, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

日本結晶成長学会誌 48(3) 48-3-1 2021年11月査読有り
Naフラックス法を用いたGaN結晶のホモエピタキシャル成長における転位挙動の調査

山内彪我, TANDRYO Ricksen, 山田拓海, 村上航介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
ナノビームX線回折によるHVPE-GaNバルク結晶における単独貫通転位周辺の局所歪解析

濱地威明, 藤平哲也, 林侑介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 酒井朗

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
ナノビームX線回折によるOVPE成長GaN結晶の微細構造解析

栗谷淳, 藤平哲也, 濱地威明, 林侑介, 滝野淳一, 隅智亮, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 隅谷和嗣 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年

主要な講演・口頭発表等

129

OVPE法による超低抵抗・高品質GaN結晶成長とそのデバイス応用

宇佐美茂佳, 清水歩, 三船浩明, 今西正幸, 滝野淳一, 隅智亮, 岡山芳央, 太田博, 三島友義, 丸山美帆子, 吉村政志, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介

第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2021年12月3日日本結晶成長学会, ナノ構造・エピタキシャル成長分科会招待有り

もっとみる

共同研究・競争的資金等の研究課題

OVPE法による口径拡大・超厚膜GaNインゴット作製技術

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2023年4月 - 2026年3月

森勇介, 今西正幸, 宇佐美茂佳
極低抵抗・低転位密度自立基板を利用した窒化ガリウムにおける大規模伝導度変調制御

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究若手研究 2021年4月 - 2024年3月

宇佐美茂佳
毒性ガスフリーのOVPE法による高品質酸化ガリウム結晶成長技術

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 2021年7月 - 2023年3月

今西正幸, 富樫理恵, 宇佐美茂佳
pn接合を有するGaN系パワー半導体の電流リーク機構に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費 2018年4月 - 2020年3月

宇佐美茂佳

産業財産権

特許第7325631号半導体装置

中村茉里香, 宇佐美茂佳, 滝口雄貴, 山田高寛, 齋藤尚史, 綿引達郎, 柳生栄治
特開2023-005168 III族窒化物結晶の製造装置及びIII族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 滝野淳一, 布袋田暢行, 松野俊一
特開2023-003829 III族窒化物結晶の製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 滝野淳一, 松野俊一
特開2022-167667 III族窒化物結晶の製造装置及び製造方法

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 北本啓, 滝野淳一, 布袋田暢行, 松野俊一
特許第7170940号半導体装置

齋藤尚史, 滝口雄貴, 宇佐美茂佳, 山田高寛, 中村茉里香, 柳生栄治
特開2022-162386 III族窒化物結晶の製造方法及びIII族窒化物結晶

森勇介, 吉村政志, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 北本啓, 滝野淳一

宇佐美茂佳

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

受賞

論文

MISC

主要な講演・口頭発表等

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

メニュー

共著者の一覧