宇佐美茂佳 (Shigeyoshi Usami) - マイポータル

基本情報

所属: 大阪大学工学研究科電子情報通信工学専攻助教

J-GLOBAL ID: 202001012853407466
researchmap会員ID: R000005753

研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

経歴

2020年7月 - 現在

大阪大学工学研究科電気電子情報通信工学専攻
2019年4月 - 2020年6月

三菱電機株式会社先端技術総合研究所

学歴

2016年4月 - 2019年3月

名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
2014年4月 - 2016年3月

名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻

受賞

2022年6月

第35回独創性を拓く先端技術大賞社会人部門特別賞 Naフラックス法とOVPE法を組み合わせた高品質・大型GaN結晶成長技術～脱炭素社会化に貢献するGaNデバイスの普及を目指して～フジサンケイビジネスアイ

今西正幸, 宇佐美茂佳, 山田拓海, 村上航介, 滝野淳一, 隅智亮, 藤森拓
2018年11月

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 Student Award(IWN2018)

shigeyoshi Usami
2017年11月

EMS賞（第36 回電子材料シンポジウム）電子材料シンポジウム運営委員会

宇佐美茂佳
2016年5月

第8 回窒化物半導体結晶成長講演会発表奨励賞光電流測定による窒化物系LEDの内部量子効率評価日本結晶成長学会, ナノ構造・エピタキシャル成長分科会

宇佐美茂佳

論文

Effects of pulse duration on laser-induced crystallization of urea from 300 to 1200 fs: impact of cavitation bubbles on crystal nucleation

Yuka Tsuri, Mihoko Maruyama, Katsuo Tsukamoto, Hiroaki Adachi, Kazufumi Takano, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Hiroshi Y. Yoshikawa, Yusuke Mori

Applied Physics A 128(9) 803-1-803-7 2022年9月査読有り
Kyropoulos growth of a 300 g SrB₄O₇ single crystal using a twin-type stirring blade

Yasunori Tanaka, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Melvin John F. Empizo, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

Japanese Journal of Applied Physics 61(7) 075503-075503 2022年7月1日
Determination of the electron trap level in Fe-doped GaN by phonon-assisted conduction phenomenon

Hiroki Fukuda, Akira Nagakubo, Shigeyoshi Usami, Masashi Ikeda, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Kanta Adachi, Hirotsugu Ogi

Applied Physics Express 15(7) 071003-1-071003-5 2022年5月30日査読有り
Bulk laser-induced damage resistance of SrB₄O₇ single crystals under 266 nm DUV laser irradiation

Yutaka Maegaki, Yasunori Tanaka, Haruki Marui, Atsushi Koizumi, Kota Tanaka, Tomosumi Kamimura, Ryota Murai, Yoshinori Takahashi, Melvin John F. Empizo, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

Japanese Journal of Applied Physics 61(5) 052005-1-052005-5 2022年5月1日査読有り
Influence of oxygen-related defects on the electronic structure of GaN

Satoshi Ohata, Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Tomoaki Sumi, Junichi Takino

Japanese Journal of Applied Physics 61(6) 061004-1-061004-5 2022年5月査読有り
Suppression of newly generated threading dislocations at the regrowth interface of a GaN crystal by growth rate control in the Na-flux method

Hyoga Yamauchi, Ricksen Tandryo, Takumi Yamada, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Japanese Journal of Applied Physics 61(5) 055505/1-055505/6 2022年5月1日
Effect of additional N₂O gas on the suppression of polycrystal formation and high-rate GaN crystal growth by OVPE method

Ayumu Shimizu, Akira Kitamoto, Masahiro Kamiyama, Shintaro Tsuno, Keiju Ishibashi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

Journal of Crystal Growth 581 126495-1-12649-5 2022年3月査読有り責任著者
High-rate OVPE-GaN crystal growth at a very high temperature of 1300 °C

Ayumu Shimizu, Shigeyoshi Usami, Masahiro Kamiyama, Itsuki Kawanami, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori

Applied Physics Express 15(3) 035503-1-035503-5 2022年3月1日査読有り責任著者
Effective neutron detection using vertical-type BGaN diodes

Takayuki Nakano, Ken Mochizuki, Takuya Arikawa, Hisaya Nakagawa, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Adrian Vogt, Sebastian Schütt, Michael Fiederle, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Yoku Inoue, Toru Aoki

Journal of Applied Physics 130(12) 124501-124501 2021年9月28日
Floral design GaN crystals: low-resistive and low-dislocation-density growth by oxide vapor phase epitaxy

Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Akira Kitamoto, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

Japanese Journal of Applied Physics 60(9) 095501-095501 2021年9月1日
Propagation of threading dislocations and effects of Burgers vectors in HVPE-grown GaN bulk crystals on Na-flux-grown GaN substrates

T. Hamachi, T. Tohei, Y. Hayashi, M. Imanishi, S. Usami, Y. Mori, N. Ikarashi, A. Sakai

Journal of Applied Physics 129(22) 225701-1-225701-19 2021年6月14日査読有り
Screw dislocation that converts p-type GaN to n-type: Microscopic study on Mg condensation and leakage current in p–n diodes

T. Nakano, Y. Harashima, K. Chokawa, K. Shiraishi, A. Oshiyama, Y. Kangawa, S. Usami, N. Mayama, K. Toda, A. Tanaka, Y. Honda, H. Amano

Applied Physics Letters 117(1) 012105-012105 2020年7月6日査読有り
V-shaped dislocations in a GaN epitaxial layer on GaN substrate

Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Shigeyoshi Usami, Maki Kushimoto, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Michal Bockowski, Hiroshi Amano

AIP Advances 9(9) 095002-1-095002-4 2019年9月査読有り
Deeply and vertically etched butte structure of vertical GaN p-n diode with avalanche capability

Hayata Fukushima, Shigeyoshi Usami, Masaya Ogura, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Japanese Journal of Applied Physics 58(SC) Sccd25-1-Sccd25-7 2019年6月査読有り
Correlation between nanopipes formed from screw dislocations during homoepitaxial growth by metal-organic vapor-phase epitaxy and reverse leakage current in vertical p-n diodes on a free-standing GaN substrates

Shigeyoshi Usami, Atsushi Tanaka, Hayata Fukushima, Yuto Ando, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Japanese Journal of Applied Physics 58 SCCB24-1-SCCB24-10 2019年6月査読有り筆頭著者
Direct evidence of Mg diffusion through threading mixed dislocations in GaN p-n diodes and its effect on reverse leakage current

Shigeyoshi Usami, Norihito Mayama, Kazuya Toda, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Applied Physics Letters 114(23) 232105-1-232105-5 2019年6月査読有り筆頭著者
Transfer-free fabrication of a graphene transparent electrode on a GaN-based light-emitting diode using the direct precipitation method

Jumpei Yamada, Shigeyoshi Usami, Yuki Ueda, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka

Japanese Journal of Applied Physics 58(4) 040904-1-040904-5 2019年4月査読有り
Effect of gas phase temperature on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Zhibin Liu, Shugo Nitta, Shigeyoshi Usami, Yoann Robin, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, Hiroshi Amano

Journal of Crystal Growth 509 50-53 2019年3月査読有り
Vertical GaN p-n diode with deeply etched mesa and the capability of avalanche breakdown

Hayata Fukushima, Shigeyoshi Usami, Masaya Ogura, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Applied Physics Express 12(2) 026502-1-026502-4 2019年2月査読有り
Reduction of Dislocations in GaN on Silicon Substrate Using In Situ Etching

Koji Matsumoto, Toshiaki Ono, Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, Shigeyoshi Usami, Maki Kushimoto, Satoshi Murakami, Hiroshi Amano

physica status solidi (b) 255(5) 1700387-1-1700387-7 2018年5月査読有り

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MISC

Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶品質の種結晶オフ角依存性

鷲田将吾, TANDRYO Ricksen, 中島達彦, 村上航介, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
Naフラックス法における成長速度制御によるGaN結晶の再成長界面における新たに発生した貫通転位の抑制【JST・京大機械翻訳】|||

Yamauchi Hyoga, Tandryo Ricksen, Yamada Takumi, Murakami Kosuke, Usami Shigeyoshi, Imanishi Masayuki, Maruyama Mihoko, Maruyama Mihoko, Maruyama Mihoko, Yoshimura Masashi, Mori Yusuke

Japanese Journal of Applied Physics (Web) 61(5) 2022年
超低抵抗・低転位密度GaN 基板の開発とデバイス応用

滝野淳一, 隅智亮, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 岡山芳央, 森勇介

日本結晶成長学会誌 48(3) 48-3-01 2021年11月査読有り
ポイントシード技術を用いたN a フラックス法による高品質・大口径 G aN ウエハの作製

今西正幸, 村上航介, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

日本結晶成長学会誌 48(3) 48-3-1 2021年11月査読有り
Naフラックス法を用いたGaN結晶のホモエピタキシャル成長における転位挙動の調査

山内彪我, TANDRYO Ricksen, 山田拓海, 村上航介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年

主要な講演・口頭発表等

OVPE法による超低抵抗・高品質GaN結晶成長とそのデバイス応用

宇佐美茂佳, 清水歩, 三船浩明, 今西正幸, 滝野淳一, 隅智亮, 岡山芳央, 太田博, 三島友義, 丸山美帆子, 吉村政志, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介

第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2021年12月3日日本結晶成長学会, ナノ構造・エピタキシャル成長分科会招待有り

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共同研究・競争的資金等の研究課題

極低抵抗・低転位密度自立基板を利用した窒化ガリウムにおける大規模伝導度変調制御

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究 2021年4月 - 2024年3月

宇佐美茂佳

宇佐美茂佳

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研究分野

経歴

学歴

受賞

論文

MISC

主要な講演・口頭発表等

共同研究・競争的資金等の研究課題

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