三浦貞彦 (sadahiko miura) - マイポータル

基本情報

所属: ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社開発製造部シニアエキスパート

学位: 博士（工学）(2000年2月早稲田大学)

研究者番号: 70750371
J-GLOBAL ID: 202001018867170637
researchmap会員ID: R000012955

経歴

2023年2月 - 現在

ナノブリッジ・セミコンダクター(株）, 開発製造部, シニアエキスパート
2011年4月 - 2023年1月

東北大学
1986年4月 - 2022年9月

日本電気株式会社
1995年7月 - 1998年4月

超電導工学研究所

学歴

2000年3月

早稲田大学, 大学院理工学研究科, 物理及び応用物理専攻（博士）
1984年4月 - 1986年3月

早稲田大学, 大学院理工学研究科, 物理及び応用物理専攻（修士)
1980年4月 - 1984年3月

早稲田大学, 理工学部, 応用物理学科

委員歴

2012年4月 - 2014年3月

応用物理学会, 機関紙編集委員
2009年8月 - 2011年7月

国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM), エリア2 (メモリ）編集委員

論文

101

25 nm iPMA-type Hexa-MTJ with solder reflow capability and endurance>107 for eFlash-type MRAM

H. Honjo, K. Nishioka, S. Miura, H. Naganuma, T. Watanabe, T. Nasuno, T. Tanigawa, Y. Noguchi, H. Inoue, M. Yasuhira …

IEEE International electron devices meeting 226-229 2022年12月査読有り
40 nm 1T-1MTJ 128 Mb STT-MRAM With Novel Averaged Reference Voltage Generator Based on Detailed Analysis of Scaled-Down Memory Cell Array Design

Hiroki Koike, Takaho Tanigawa, Toshinari Watanabe, Takashi Nasuno, Yasuo Noguchi, Mitsuo Yasuhira, Toru Yoshiduka, Yitao Ma, Hiroaki Honjo, Koichi Nishioka …

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS 57(3) 2021年3月
Advanced 18 nm Quad-MTJ technology overcomes dilemma of Retention and Endurance under Scaling beyond 2X nm

H. Naganuma, S. Miura, H. Honjo, K. Nishioka, T. Watanabe, T. Nasuno, H. Inoue, T. V.A. Nguyen, Y. Endo, Y. Noguchi …

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology 2021-June 2021年
Effect of Magnetic Coupling Between Two CoFeB Layers on Thermal Stability in Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions with MgO/CoFeB/Insertion Layer/CoFeB/MgO Free Layer

K. Nishioka, S. Miura, H. Honjo, H. Naganuma, T. V. A. Nguyen, T. Watanabe, S. Ikeda, T. Endoh

IEEE Transactions on Magnetics 1-1 2021年
Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions with Four Anti-ferromagnetically Coupled Co/Pt Pinning Layers

H. Honjo, K. Nishioka, S. Miura, H. Naganuma, T. Watanabe, Y. Noguchi, T. V. A. Nguyen, M. Yasuhira, S. Ikeda, T. Endoh

IEEE Transactions on Magnetics 1-1 2021年
First Demonstration of 25-nm Quad Interface p-MTJ Device With Low Resistance-Area Product MgO and Ten Years Retention for High Reliable STT-MRAM

K. Nishioka, S. Miura, H. Honjo, H. Inoue, T. Watanabe, T. Nasuno, H. Naganuma, T. V. A. Nguyen, Y. Noguchi, M. Yasuhira …

IEEE Transactions on Electron Devices 1-6 2021年
Review of STT-MRAM circuit design strategies, and a 40-nm 1T-1MTJ 128Mb STT-MRAM design practice

Hiroki KOIKE, Takaho TANIGAWA, Toshinari WATANABE, Takashi NASUNO, Yasuo NOGUCHI, Mitsuo YASUHIRA, Toru YOSHIDUKA, Yitao MA, Hiroaki HONJO, Koichi NISHIOKA …

2020 IEEE 31st Magnetic Recording Conference (TMRC) 2020年8月17日
Scalability of Quad Interface p-MTJ for 1X nm STT-MRAM with 10 ns Low Power Write Operation, 10 years Retention and Endurance 10-11

S. Miura, K. Nishioka, H. Naganuma, T. V.A. Nguyen, H. Honjo, S. Ikeda, T. Watanabe, H. Inoue, M. Niwa, T. Tanigawa …

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology 2020- 2020年6月1日
A free-extendible and ultralow-power nonvolatile multi-core associative coprocessor based on MRAM with inter-core pipeline scheme for large-scale full-adaptive nearest pattern searching

Yitao Ma, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

Japanese Journal of Applied Physics 59(SG) 2020年4月
Novel Quad-Interface MTJ Technology and its First Demonstration with High Thermal Stability Factor and Switching Efficiency for STT-MRAM beyond 2X nm

K. Nishioka, H. Sato, T. Endoh, H. Honjo, S. Ikeda, T. Watanabe, S. Miura, H. Inoue, T. Tanigawa, Y. Noguchi …

IEEE Transactions on Electron Devices 67(3) 995-1000 2020年3月
Scalability of Quad Interface p-MTJ for 1X nm STT-MRAM With 10-ns Low Power Write Operation, 10 Years Retention and Endurance > 10¹¹

Sadahiko Miura, Koichi Nishioka, Hiroshi Naganuma, Nguyen T. V. A., Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Toshinari Watanabe, Hirofumi Inoue, Masaaki Niwa, Takaho Tanigawa …

IEEE Transactions on Electron Devices 1-6 2020年
First demonstration of field-free SOT-MRAM with 0.35 ns write speed and 70 thermal stability under 400°C thermal tolerance by canted SOT structure and its advanced patterning/SOT channel technology

H. Honjo, T. V.A. Nguyen, S. Fukami, H. Sato, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Watanabe, T. Nasuno, C. Zhang …

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2019-December 2019年12月
Insertion Layer Thickness Dependence of Magnetic and Electrical Properties for Double-CoFeB/MgO-Interface Magnetic Tunnel Junctions

S. Miura, T. V.A. Nguyen, Y. Endoh, H. Sato, S. Ikeda, K. Nishioka, H. Honjo, T. Endoh

IEEE Transactions on Magnetics 55(7) 2019年7月
Novel Quad interface MTJ technology and its first demonstration with high thermal stability and switching efficiency for STT-MRAM beyond 2Xnm

K. Nishioka, H. Honjo, S. Ikeda, T. Watanabe, S. Miura, H. Inoue, T. Tanigawa, Y. Noguchi, M. Yasuhira, H. Sato …

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology 2019-June T120-T121 2019年6月
14ns write speed 128Mb density Embedded STT-MRAM with endurance>10 ¹⁰ and 10yrs retention@85°C using novel low damage MTJ integration process

H. Sato, H. Honjo, T. Watanabe, M. Niwa, H. Koike, S. Miura, T. Saito, H. Inoue, T. Nasuno, T. Tanigawa …

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2018-December 27.2.1-27.2.4 2019年1月16日
1T-1MTJ Type Embedded STT-MRAM with Advanced Low-Damage and Short-Failure-Free RIE Technology down to 32 nmφ MTJ Patterning

Hideo Sato, Toshinari Watanabe, Hiroki Koike, Takashi Saito, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Hirofumi Inoue, Shoji Ikeda, Yasuo Noguchi, Takaho Tanigawa …

2018 IEEE 10th International Memory Workshop, IMW 2018 1-4 2018年6月19日
Impact of sputtering condition for tungsten on magnetic and transport properties of magnetic tunneling junction with CoFeB/W/CoFeB free layer

H. Honjo, H. Sato, S. Ikeda, T. Watanabe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike …

2017 IEEE International Magnetics Conference, INTERMAG 2017 53(11) 2017年8月10日
Origin of variation of shift field via annealing at 400°C in a perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junction with [Co/Pt]-multilayers based synthetic ferrimagnetic reference layer

H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike …

AIP Advances 7(5) 2017年5月1日
A spin transfer torque magnetoresistance random access memory-based high-density and ultralow-power associative memory for fully data-adaptive nearest neighbor search with current-mode similarity evaluation and time-domain minimum searching

Yitao Ma, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

Japanese Journal of Applied Physics 56(4) 2017年4月
Improvement of Thermal Tolerance of CoFeB-MgO Perpendicular-Anisotropy Magnetic Tunnel Junctions by Controlling Boron Composition

H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, S. Sato, T. Watanabe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa …

IEEE Transactions on Magnetics 52(7) 2016年7月

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MISC

招待講演待機電力重視アプリケーション向け90nm三端子MRAM混載不揮発マイクロコントローラ (集積回路)

崎村昇, 辻幸秀, 根橋竜介, 本庄弘明, 森岡あゆ香, 石原邦彦, 木下啓藏, 深見俊輔, 三浦貞彦, 笠井直記 …

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(175) 39-44 2014年8月4日
招待講演待機電力重視アプリケーション向け90nm三端子MRAM混載不揮発マイクロコントローラ (シリコン材料・デバイス)

崎村昇, 辻幸秀, 根橋竜介, 本庄弘明, 森岡あゆ香, 石原邦彦, 木下啓藏, 深見俊輔, 三浦貞彦, 笠井直記 …

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(174) 39-44 2014年8月4日
依頼講演 1.5ns/2.1nsのランダム読出/書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM : 6T2MTJセルにバックグラウンド書き込み(BGW)方式を適用 (集積回路)

大澤隆, 小池洋紀, 三浦貞彦, 木下啓蔵, 本庄弘明, 池田正二, 羽生貴弘, 大野英男, 遠藤哲郎

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(13) 33-38 2014年4月17日
依頼講演 MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec-Entry/Exit遅延時間のマイクロプロセッサ (集積回路)

小池洋紀, 崎村昇, 根橋竜介, 辻幸秀, 森岡あゆ香, 三浦貞彦, 本庄弘明, 杉林直彦, 大澤隆, 池田正二 …

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(13) 85-90 2014年4月17日
依頼講演 4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現 (集積回路)

松永翔雲, 三浦貞彦, 本庄弘明, 木下啓蔵, 池田正二, 遠藤哲郎, 大野英男, 羽生貴弘

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 113(1) 33-38 2013年4月11日
スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術 (集積回路)

辻幸秀, 根橋竜介, 崎村昇, 森岡あゆ香, 本庄弘明, 徳留圭一, 三浦貞彦, 鈴木哲広, 深見俊輔, 木下啓藏 …

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 113(1) 41-46 2013年4月11日
依頼講演 32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM : 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成 (集積回路)

遠藤哲郎, 大澤隆, 小池洋紀, 三浦貞彦, 本庄弘明, 徳留圭一, 池田正二, 羽生貴弘, 大野英男

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 113(1) 27-32 2013年4月11日
3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ

根橋竜介, 崎村昇, 辻幸秀, 深見俊輔, 本庄弘明, 齊藤信作, 三浦貞彦, 石綿延行, 木下啓蔵, 羽生貴弘 …

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 112(15) 49-54 2012年4月16日
C-12-5 磁気フリップフロップによる不揮発性論理演算マクロの設計と実証(C-12.集積回路,一般セッション)

崎村昇, 根橋竜介, 本庄弘明, 斉藤信作, 三浦貞彦, 杉林直彦

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2011(2) 77-77 2011年2月28日
スピン移行トルク磁壁移動を用いた高速磁気ランダムアクセスメモリ

三浦貞彦, 深見俊輔, 鈴木哲広, 永原聖万, 大嶋則和, 加藤有光, 斉藤信作, 根橋竜介, 崎村昇, 本庄弘明 …

半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集 74 89-92 2010年7月8日
電流誘起磁壁移動現象の高速MRAMへの応用

石綿延行, 深見俊輔, 鈴木哲広, 大嶋則和, 永原聖万, 三浦貞彦, 杉林直彦

まぐね = Magnetics Japan 5(4) 178-183 2010年4月1日
SoC混載に適した垂直磁化磁壁移動型MRAM

石綿延行, 深見俊輔, 鈴木哲広, 永原聖万, 大嶋則和, 尾崎康亮, 齊藤信作, 根橋竜介, 崎村昇, 本庄弘明 …

日本磁気学会研究会資料 = Bulletin of Topical Symposium of the Magnetics Society of Japan 168 41-45 2009年11月2日
MRAMの技術動向、今後の展開、32MbMRAM開発

杉林直彦, 根橋竜介, 崎村昇, 本庄弘明, 斉藤信作, 伊藤雄一, 三浦貞彦, 加藤有光, 森馨, 尾崎康亮 …

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 109(2) 13-17 2009年4月6日
4Mb MRAMとその応用

杉林直彦, 本田雄士, 崎村昇, 永原聖万, 三浦貞彦, 志村健一, 辻清孝, 福本能之, 本庄弘明, 鈴木哲広 …

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 106(2) 61-65 2006年4月6日
磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)

沼田秀昭, 三浦貞彦, 田原修一

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 100(5) 13-18 2000年4月13日
スピントンネル素子を用いた1 bit MRAMの検討

三浦貞彦, 沼田秀昭, 田原修一

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan 23 280-280 1999年10月1日
28p-APS-30 傾斜基板上のBi系単結晶薄膜合成とその電気伝導異方性

藤田淳一, 吉武務, 佐藤哲朗, 三浦貞彦, 柘植久尚, 五十嵐等

年会講演予稿集 46(3) 331-331 1991年9月12日

担当経験のある科目(授業)

2003年6月

材料科学特別講義第二 (東京工業大学大学院総合理工学研究科)

所属学協会

1986年4月 - 現在

応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

垂直磁気トンネル接合における困難軸特性モデルの構築とセンサー応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2018年4月 - 2021年3月

三浦貞彦

三浦貞彦

基本情報

経歴

学歴

委員歴

論文

MISC

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

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