<p>グラフェンはシリコンに代わる次世代デバイスの材料として期待されている。本研究では、グラフェンを2次元電子デバイスに応用するために、グラフェン/h-BNヘテロ接合における電子特性を密度汎関数法および非平衡グリーン関数法に基づいて解析する。特にジグザグ型グラフェンナノリボンへの接合では、エッジ状態への影響や自発的スピン分極の発現の有無に注目し、h-BNがグラフェンに及ぼす効果を検証する。</p>