高橋良和 (Yoshikazu Takahashi) - マイポータル

基本情報

J-GLOBAL ID: 202101004788368681
researchmap会員ID: R000016876

委員歴

2025年4月 - 現在

多様化するパワーモジュールの構造と材料における電気絶縁信頼性に関する調査専門委員会, 高橋良和
2023年10月 - 2025年9月

パワーエレクトロニクスの電気系・機械系技術の協同研究委員会, 高橋良和

受賞

2024年12月

NEパワー・エレクトロニクス・アワード2024, 超小型両面冷却パワーモジュール開発、出力密度3倍にめど, 日経エレクトロニクス

高橋良和

論文

Packaging Technology and Evaluation Result of Ultra-Compact Double-Side Cooled Power Module

Yoshihiro Tateishi, Akira Kitamura, Keita Suzuki, Satoharu Tanai, Tetsuo Endoh, Yoshikazu Takahashi

2025 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 401-404 2025年6月1日
A Study on Fault Prediction and Redundancy Control of Parallel SiC-MOSFETs

Naoki Takagi, Tetsuo Endoh, Yoshikazu Takahashi, Akira Tamakoshi, Takahiro Hanyu, Yoshitaka Iwaji

2025 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 537-540 2025年6月1日
Lower Inductance of POL Double Layer Facing Structure Power Module

Takumi Yumoto, Takumi Ikeda, Yoichi Nishihara, Keita Suzuki, Yoshikazu Takahashi, Koji Bando

2025 International Conference on Electronics Packaging and iMAPS All Asia Conference (ICEP-IAAC) 141-142 2025年4月15日
Novel isolated direct AC/DC Converter with low leakage-inductance transformer and hard-switching technology capable of suppressing surge peak-voltage

Shuji Katoh, Naoki Takagi, Keita Suzuki, Tetsuo Endoh, Yoshitaka Iwaji, Yoshikazu Takahashi

2024 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE) 3057-3063 2024年10月20日
Research on Ultra-Compact 3D SiC Power Module for EVs with Double Layer Cooling Technology

Keita Suzuki, Takumi Yumoto, Koji Bando, Tetsuo Endoh, Yoshikazu Takahashi

2024 IEEE 10th Electronics System-Integration Technology Conference (ESTC) VOL16 1-4 2024年9月11日
Individual Control of Paralleled SiC-MOSFETs with Nano-Second Level Switching Timing Synchronization

Naoki Takagi, Tetuso Endoh, Yoshikazu Takahashi, Yasuhiro Takako, Takahiro Hanyu

2024 36th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 188-191 2024年6月2日
Study of a Packaging Technology for Ultra Compact Double-Side Cooled Power Module with Power Chip Size Package

Hiroki Takahashi, Keita Suzuki, Akira Kitamura, Tetsuo Endoh, Yoshikazu Takahashi

2024 36th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 474-477 2024年6月2日
Universal Smart Power Module (USPM) for Carbon Neutral Society

Hiroki Watanabe, Koki Yamanokuchi, Yoshinari Ikeda, Yoshikazu Takahashi, Jun-ichi Itoh

IEEE Transactions on Industry Applications 60(2) 3411-3417 2024年3月
Universal Smart Power Module (USPM) for Carbon Neutral Society

Yoshikazu Takahashi, Yoshinari Ikeda, Hiroki Watanabe, Jun-ichi Itoh

2022 International Power Electronics Conference (IPEC-Himeji 2022- ECCE Asia) 1281-1287 2022年5月15日
Influence of Antimony on Reliability of Solder Joints Using Sn-Sb Binary Alloy for Power Semiconductor Modules

Morozumi Akira, Hokazono Hiroaki, Nishimura Yoshitaka, Mochizuki Eiji, Takahashi Yoshikazu

Transactions of The Japan Institute of Electronics Packaging 8(1) 8-17 2015年
Reverse-blocking IGBTs with V-groove isolation layer for three-level power converters

Haruo Nakazawa, David Hongfei Lu, Masaaki Ogino, Tohru Shirakawa, Yoshikazu Takahashi

IEEJ Journal of Industry Applications 2(6) 323-328 2013年
Crystalline Defects in Silicon Wafer Caused by Prolonged High-Temperature Annealing in Nitrogen Atmosphere

Haruo Nakazawa, Masaaki Ogino, Hideaki Teranishi, Yoshikazu Takahashi, Hitoshi Habuka

Advanced Materials Research 699 445-449 2013年
Toughening mechanism and frontal process zone size of ceramics

Hideo Awaji, Yoshitaka Nishimura, Seong Min Choi, Yoshikazu Takahashi, Tomoaki Goto, Shinobu Hashimoto

Journal of the Ceramic Society of Japan 117(1365) 623-629 2009年5月
2.5 kV-1000 a Power Pack IGBT (high power flat-packaged NPT Type RC-IGBT)

Yoshikazu Takahashi, Koh Yoshikawa, Masayuki Soutome, Takeshi Fujii, Humiaki Kirihata, Yasukazu Seki

IEEE Transactions on Electron Devices 46(1) 245-250 1999年
2.5 kV-100 a flat-packaged IGBT (micro-stack IGBT)

Yoshikazu Takahashi, Takeharu Koga, Humiaki Kirihata, Yasukazu Seki

IEEE Transactions on Electron Devices 43(12) 2276-2282 1996年
A 115-mm Ø 6-kV 2500-A Light-Triggered Thyristor

Masahide Watanabe, Yoshikazu Takahashi, Katsuhiro Endo, Hideaki Kakigi, Osamu Hashimoto

IEEE Transactions on Electron Devices 37(1) 285-289 1990年1月
2.5-kV 2000-A Monolithic Reverse Conducting Gate Turn-Off Thyristor

Osamu Hashimoto, Yoshikazu Takahashi, Masahide Watanabe, Osamu Yamada, Tatsuhiko Fujihira

IEEE Transactions on Industry Applications 26(5) 835-839 1990年

MISC

パワーエレクトロニクスの動向カーボンニュートラル社会に貢献するパワーエレクトロニクス技術

高橋良和, 加藤修治, 遠藤哲郎, 高橋良和, 加藤修治, 遠藤哲郎

まぐね 17(3) 2022年
BTB用MMCの欠点を克服するStar-Light-Converterの系統電圧低下時の挙動とその応用展開

加藤修治, 高橋良和, 遠藤哲郎, 遠藤哲郎

電気学会電力・エネルギー部門大会論文集(CD-ROM) 2018 2018年
Direct bonding of SiC by the suface activated bonding method

Tadatomo Suga, Fengwen Mu, Masahisa Fujino, Yoshikazu Takahashi, Haruo Nakazawa, Kenichi Iguchi

2014 International Conference on Electronics Packaging, ICEP 2014 341-344 2014年
Next-gen IGBT module structure for hybrid vehicle with high cooling performance and high temperature operation

Hiromichi Gohara, Yoshitaka Nishimura, Akira Morozumi, Peter Dietrich, Eiji Mochi Zuki, Yoshikazu Takahashi

PCIM Europe Conference Proceedings 1187-1194 2014年
SiC wafer bonding by modified suface activated bonding method

Fengwen Mu, Tadatomo Suga, Masahisa Fujino, Yoshikazu Takahashi, Haruo Nakazawa, Kenichi Iguchi

Proceedings of 2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2014 55 2014年
Improving reliability of IGBT surface electrode for 200 °c operation

Nishimura, Tomohiro, Ikeda, Yoshinari, Hokazono, Hiroaki, Mochizuki, Eiji, Takahashi, Yoshikazu

2014 International Power Electronics Conference, IPEC-Hiroshima - ECCE Asia 2014 2870-2873 2014年
Precipitates caused by prolonged high-temperature annealing in floating zone silicon wafer grown from Czochralski single-crystal rod

Haruo Nakazawa, Masaaki Ogino, Hideaki Teranishi, Yoshikazu Takahashi, Hitoshi Habuka

Materials Science in Semiconductor Processing 16(3) 923-927 2013年6月
Direct liquid cooling module with high reliability solder joining technology for automotive applications

Akira Morozumi, Hiroaki Hokazono, Yoshitaka Nishimura, Yoshinari Ikeda, Yoichi Nabetani, Yoshikazu Takahashi

Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 109-112 2013年
Full SiC power module with advanced structure and its solar inverter application

Yuichiro Hinata, Masafumi Horio, Yoshinari Ikeda, Ryuji Yamada, Yoshikazu Takahashi

Conference Proceedings - IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition - APEC 604-607 2013年
Comparison of SAB methods for room temperature bonding of Si wafers

Keigo Oshikawa, Chenxi Wang, Masahisa Fujino, Tadatomo Suga, Kenichi Iguchi, Haruo Nakawaza, Yoshikazu Takahashi

Proceedings of 2012 3rd IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2012 113 2012年
1700V reverse-blocking IGBTs with V-groove isolation layer for multi-level power converters

David H. Lu, Masaaki Ogino, Tohru Shirakawa, Haruo Nakazawa, Yoshikazu Takahashi

PCIM Europe Conference Proceedings 815-821 2012年
Ultra compact and high reliable SiC MOSFET power module with 200°C operating capability

Masafumi Horio, Yuji Iizuka, Yoshinari Ikeda, Eiji Mochizuki, Yoshikazu Takahashi

Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 81-84 2012年
Latest power devices for photovoltaic inverters

T. Fujihira, A. Otsuki, Y. Takahashi, T. Ide, M. Kawano, N. Eguchi

IEEE International Symposium on Industrial Electronics 1791-1794 2012年
Hybrid isolation process with deep diffusion and V-groove for reverse blocking IGBTs

Haruo Nakazawa, Masaaki Ogino, Hiroki Wakimoto, Tsunehiro Nakajima, Yoshikazu Takahashi, David Hongfei Lu

Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 116-119 2011年
Nanocomposite epoxy resin for SiC module

Kenji Okamoto, Yuji Takematsu, Miyako Hitomi, Yoshinari Ikeda, Yoshikazu Takahashi

Proceedings - 2011 IMAPS International Conference on High Temperature Electronics Network, HiTEN 2011 196-200 2011年
Reduction of conducted electromagnetic interference in SMPS using programmable gate driving strength

A. Shorten, A. A. Fomani, W. T. Ng, H. Nishio, Y. Takahashi

Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 364-367 2011年
Ultra compact, low thermal impedance and high reliability module structure with SiC Schottky barrier diodes

Yoshinari Ikeda, Norihiro Nashida, Masafumi Horio, Hiromu Takubo, Yoshikazu Takahashi

Conference Proceedings - IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition - APEC 1298-1300 2011年
Investigation on wirebond-less power module structure with high-density packaging and high reliability

Yoshinari Ikeda, Yuji Iizuka, Yuichiro Hinata, Masafumi Horio, Motohito Hori, Yoshikazu Takahashi

Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 272-275 2011年
New IGBT modules for advanced neutral-point-clamped 3-level power converters

K. Komatsu, M. Yatsu, S. Miyashita, S. Okita, H. Nakazawa, S. Igarashi, Y. Takahashi, Y. Okuma, Y. Seki, T. Fujihira

2010 International Power Electronics Conference - ECCE Asia -, IPEC 2010 523-527 2010年
A study of the bonding-wire reliability on the chip surface electrode in IGBT

Yoshinari Ikeda, Hiroaki Hokazono, Shigeru Sakai, Tomohiro Nishimura, Yoshikazu Takahashi

Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 289-292 2010年

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書籍等出版物

「エナジーデバイス」の信頼性入門 : 二次電池、パワー半導体、太陽電池の特性改善と信頼性試験

高橋, 邦明, 鳶島, 真一, 高橋, 良和, 土井, 卓也 (担当:共著)

日刊工業新聞社 2012年11月 (ISBN: 9784526069741)

担当経験のある科目(授業)

2022年4月 - 現在

グリーンデバイス工学 (東北大学大学院)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

脱炭素社会実現に向けた集積化パワーエレクトロニクスの研究開発

文部科学省革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業 2021年4月 - 2026年3月

高橋良和

産業財産権

特開2025-151720 パワー半導体モジュール

喜多村明, 清田達也, 谷口裕亮, 棚橋祐介, 堀敦史, 遠藤大樹, 高橋良和
特許第7390826号半導体装置および半導体装置の製造方法

加藤遼一, 郷原広道, 池田良成, 高橋良和, 三原邦照, 高橋功
特開2023-164755 半導体装置の製造方法

加藤遼一, 郷原広道, 池田良成, 高橋良和, 三原邦照, 高橋功
特開2023-079124 パワー半導体素子及びパワー半導体モジュール

高橋良和, 遠藤哲郎
特許第6924432号半導体装置の製造方法及び半導体装置

加藤遼一, 郷原広道, 池田良成, 望月英司, 高橋良和, 吉田誠, ムハマドハイリファイズ
特開2021-039962 半導体装置および半導体装置の製造方法

加藤遼一, 郷原広道, 池田良成, 高橋良和, 三原邦照, 高橋功
特許第6794734号半導体装置及び半導体装置の製造方法

加藤遼一, 郷原広道, 西村芳孝, 望月英司, 高橋良和
特許第6699111号半導体装置及び半導体装置の製造方法

中嶋経宏, 高橋良和, 梨子田典弘
特許第6480860号半導体装置および半導体装置の製造方法

齋藤隆, 荻野正明, 望月英司, 高橋良和
特開2018-173357 試験方法、試験サンプル、試験システム、評価方法、評価システム、及び評価プログラム

藤本公三, 福本信次, 松嶋道也, 川添徹也, 外薗洋昭, 高橋良和, 西村芳孝, 福田恭平, 浅井竜彦
特開2018-110187 半導体装置の製造方法及び半導体装置

加藤遼一, 郷原広道, 池田良成, 望月英司, 高橋良和, 吉田誠, ムハマドハイリファイズ
特開2018-046166 半導体装置及び半導体装置の製造方法

加藤遼一, 郷原広道, 西村芳孝, 望月英司, 高橋良和
特許第6248803号パワー半導体モジュール

堀元人, 高橋良和, 池田良成
特許第6237912号パワー半導体モジュール

堀元人, 高橋良和, 望月英司, 西村芳孝, 池田良成
特開2017-157851 半導体装置および半導体装置の製造方法

齋藤隆, 荻野正明, 望月英司, 高橋良和
特許第6176320号半導体装置

堀元人, 高橋良和, 西村芳孝, 池田良成, 郷原広道
特開2017-041514 半導体装置及び半導体装置の製造方法

中嶋経宏, 高橋良和, 梨子田典弘
特許第6054345号半導体装置及び半導体装置の製造方法

奥村勝弥, 高橋良和, 池田良成
WO2016-031462 パワー半導体モジュール

堀元人, 高橋良和, 望月英司, 西村芳孝, 池田良成
特開2015-220398 パワー半導体モジュール

堀元人, 高橋良和, 池田良成

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高橋良和

基本情報

委員歴

受賞

論文

MISC

書籍等出版物

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

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