2016年 SiCパワーデバイスの過渡熱抵抗測定に関する一検討-SiC MOSFETにおけるゲート閾値電圧の動的変化の影響- 電気学会全国大会講演論文集(CD-ROM) 舟木剛, 福永崇平 巻 2016 号 リンク情報 J-GLOBALhttps://jglobal.jst.go.jp/detail?JGLOBAL_ID=201602219293020565 ID情報 J-Global ID : 201602219293020565 エクスポート BibTeX RIS
