柴山茂久 (Shigehisa Shibayama) - マイポータル

基本情報

所属: 名古屋大学大学院工学研究科物質科学専攻物質デバイス機能創成学助教
: (兼任)工学部物理工学科
: (兼任)大学院工学研究科

研究者番号: 00774126
J-GLOBAL ID: 202001010348965656
researchmap会員ID: R000011227

研究キーワード

研究分野

経歴

2018年6月 - 現在

名古屋大学大学院工学研究科, 物質科学専攻物質デバイス機能創成学, 助教
2018年4月 - 2018年5月

東京大学, マテリアル工学専攻, 研究員
2018年4月 - 2018年5月

東京大学大学院工学系研究科, マテリアル工学専攻, 特任研究員
2015年4月 - 2018年3月

東京大学, マテリアル工学専攻, 研究員
2015年4月 - 2018年3月

東京大学大学院工学系研究科, マテリアル工学専攻, 日本学術振興会特別研究員(PD)
2013年4月 - 2015年3月

名古屋大学, 結晶材料工学専攻, 研究員
2013年4月 - 2015年3月

名古屋大学大学院工学研究科, 結晶材料工学専攻, 日本学術振興会特別研究員(DC2)

学歴

2012年4月 - 2015年3月

名古屋大学, 大学院工学研究科, 結晶材料工学専攻博士課程後期課程
2012年4月 - 2015年3月

名古屋大学, 大学院工学研究科, 結晶材料工学専攻博士後期課程
2010年4月 - 2012年3月

名古屋大学, 大学院工学研究科, 結晶材料工学専攻博士課程前期課程
- 2010年3月

名古屋大学, 工学部, 物理工学科

委員歴

2023年 - 2023年

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials Steering Committee
- 2019年

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials Steering Committee
2013年4月 - 2014年3月

応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター, 会長
2013年4月 - 2014年3月

応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター会長

主要な受賞

2025年9月

第58回（2025年春季）応用物理学会講演奨励賞, GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードの室温動作実証, 応用物理学会

鳥本昇汰, 石本修斗, 加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久
2025年1月

若手奨励賞（安田幸夫賞）, ALD-GeO2界面層を用いたGeSn/Ge pnダイオードの表面パッシベーション, 電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第30回）

加藤芳規

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主要な論文

Formation of two-dimensional-like Ge1−ySny ultra-thin crystal by segregation method

Shigehisa Shibayama, Taiga Matsumoto, Akio Ohta, Ryo Yokogawa, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics 65 05SP26 2026年3月11日査読有り筆頭著者責任著者
Room-Temperature Operation of Ge_1–xSn_x/Ge_1–x–ySi_xSn_y Resonant Tunneling Diodes Featured with H₂ Introduction during Molecular Beam Epitaxy

Shota Torimoto, Shuto Ishimoto, Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama

ACS Applied Electronic Materials 7(16) 7688-7696 2025年8月15日査読有り最終著者責任著者
Surface Passivation Technique for Ge_1–xSn_x-Based Diodes by GeO₂ Atomic Layer Deposition with Postoxidation Annealing

Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama

ACS Applied Electronic Materials 7(15) 6908-6915 2025年8月3日査読有り最終著者責任著者
Emergence of negative differential resistance through hole resonant tunneling in GeSn/GeSiSn double barrier structure

Shigehisa Shibayama, Shuto Ishimoto, Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka

IEEE Journal of the Electron Devices Society 13 79-85 2025年1月23日査読有り筆頭著者責任著者
Epitaxial growth of Ge1−xSnx thin film with Sn composition of 50% and possibility of Ge–Sn ordered bonding structure formation

Shigehisa Shibayama, Kaito Shibata, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka

Applied Physics Express 17 115503-1-115503-4 2024年11月26日査読有り筆頭著者責任著者
Layer transfer of epitaxially grown Ge-lattice-matched Si27.8Ge64.2Sn8 films

Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Shiyu Zhang, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka

Materials Science in Semiconductor Processing 108304-1-108304-7 2024年6月15日査読有り
Ge1−xSnx layers with x~0.25 on InP(001) substrate grown by low-temperature molecular beam epitaxy reaching 70 °C and in-situ Sb doping

Shigehisa Shibayama, Komei Takagi, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka

Materials Science in Semiconductor Processing 176 108302-1-108302-8 2024年6月15日査読有り筆頭著者責任著者
Lattice-matched growth of a high-Sn-content (x~0.1) Si1-xSnx layers on Si1-yGey buffers using molecular beam epitaxy

Kazuaki Fujimoto, Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka

Applied Physics Express 2023年4月3日査読有り
Impact of oxide/4H-SiC interface state density on field-effect mobility of counter-doped n-channel 4H-SiC MOSFETs

Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics 61 021007-1-021007-7 2022年2月8日査読有り責任著者
Formation of ultra-thin Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny quantum heterostructures and their electrical properties for realizing resonant tunneling diode

Galih Ramadana Suwito, Masahiro Fukuda, Edi Suprayoga, Masahiro Ohtsuka, Eddwi Hesky Hasdeo, Ahmad Ridwan, Tresna Nugraha, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka

Applied Physics Letters 117 232104-1-232104-5 2020年12月7日査読有り責任著者
Thermodynamic control of ferroelectric-phase formation in HfxZr1-xO2 and ZrO2

Shigehisa Shibayama, Tomonori Nishimura, Shinji Migita, Akira Toriumi

Journal of Applied Physics 124 184101-1-184101-7 2018年11月9日査読有り筆頭著者責任著者
Evolution of ferroelectric HfO2 in ultrathin region down to 3 nm

Xuan Tian, Shigehisa Shibayama, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Shinji Migita, Akira Toriumi

Applied Physics Letters 112 102902-1-102902-5 2018年3月6日査読有り
Formation of chemically stable GeO2 on the Ge surface with pulsed metal-organic chemical vapor deposition

Shigehisa Shibayama, Teppei Yoshida, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Applied Physics Letters 106 062107-1-062107-4 2015年2月12日査読有り筆頭著者責任著者
Interface properties of Al2O3/Ge structures with thin Ge oxide interfacial layer formed by pulsed metal organic chemical vapor deposition

Teppei Yoshida, Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Japanese Journal of Applied Physics 53 08LD03-1-08LD03-6 2014年6月16日査読有り

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主要なMISC

Al/GeSn(111)構造上への熱処理による極薄・高Sn組成GeSn表面偏析

柴山茂久, 松本泰河, 大田晃生, 横川凌, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」（第29回） 2024年2月1日筆頭著者責任著者
GeSn/GeSiSn二重障壁構造における負性微分抵抗の発現

石本修斗, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」（第29回） 2024年2月1日責任著者
In-situ SbドーピングによるInP上n型Ge0.75Sn0.25エピタキシャル膜の形成

柴山茂久, 高木孝明, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」（第29回） 2024年2月1日筆頭著者責任著者
極薄GeSiSn/GeSn/GeSiSn二重障壁構造の形成およびその電気的特性

柴山茂久, Galih lamadana Suwito, 中塚理

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」（第27回） 187-190 2022年1月28日筆頭著者責任著者
室温での極薄金属膜酸化法による基板酸化を抑制した良質なAl#D2#DRO#D3#DR/4H-SiC界面の実現

土井拓馬, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 田岡紀之, 清水三聡, 中塚理

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」（第25回） 129-132 2020年1月31日
高Si組成Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造のエネルギーバンド構造および光電特性評価

福田雅大, 坂下満男, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-」（第24回） 71-74 2019年1月24日

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書籍等出版物

Ferroelectricity in doped hafnium oxide : materials, properties and devices

Schroeder, Uwe, Hwang, Cheol Seong, Funakubo, Hiroshi

Woodhead Publishing 2019年 (ISBN: 9780081024300)

主要な講演・口頭発表等

326

GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードの室温動作実証

鳥本昇汰, 石本修斗, 加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月17日応用物理学会
表面偏析法による結晶化したGeSnナノシートの形成

松本泰河, 大田晃生, 横川凌, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 柴山茂久

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月15日応用物理学会
Ge0.5Sn0.5エピタキシャル成長とGe-Sn秩序結合形成の兆候

柴田海斗, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌師, 中塚理

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月15日応用物理学会
New interests of Ge1−x−ySixSny/Ge1−xSnx heterostructures for electronic device applications

Shigehisa Shibayama, Shuto Ishimoto, Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2024年10月22日招待有り
Efficient Reverse Current Reduction of GeSn-Based pn Diodes by Surface Passivation of ALD-GeO2 and Al2O3 Stacked Structure

Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama

2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) 2024年9月2日
Al/GeSn(111)構造上への熱処理による極薄・高Sn組成GeSn表面偏析

柴山茂久, 松本泰河, 大田晃生, 横川凌, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第29回） 2024年2月1日
Experimental observation of negative differential resistance in GeSn/GeSiSn double barrier structure toward resonant tunneling diode applications

Shuto Ishimoto, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) 2023年9月7日
Challenge and new opportunity of Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx heterostructures for optoelectronic and electronic applications

Shigehisa Shibayama, Shiyu Zhang, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年1月23日招待有り
Al/Ge(111)構造上に偏析した極薄Ge結晶相の転写

松下圭吾, 大田晃生, 柴山茂久, 田岡紀之, 牧原克典, 宮崎誠一

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月21日

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担当経験のある科目(授業)

2021年 - 2021年

物理工学実験第3 (名古屋大学)
2021年 - 2021年

物理工学実験第2 (名古屋大学)
2021年 - 2021年

物理工学実験第1 (名古屋大学)
2020年 - 2020年

結晶デバイスセミナー2A (名古屋大学)
2020年 - 2020年

結晶デバイスセミナー2B (名古屋大学)
2020年 - 2020年

結晶デバイスセミナー2C (名古屋大学)
2020年 - 2020年

結晶デバイスセミナー2D (名古屋大学)
2020年 - 2020年

結晶デバイスセミナー1B (名古屋大学)
2020年 - 2020年

結晶デバイスセミナー1A (名古屋大学)
2020年 - 2020年

結晶デバイス工学特別実験及び演習B (名古屋大学)
2020年 - 2020年

結晶デバイス工学特別実験及び演習A (名古屋大学)
2020年 - 2020年

物理工学実験第3 (名古屋大学)
2020年 - 2020年

物理工学実験第2 (名古屋大学)
2020年 - 2020年

物理工学実験第1 (名古屋大学)
2020年 - 2020年

結晶デバイスセミナー1C (名古屋大学)
2020年 - 2020年

結晶デバイスセミナー1D (名古屋大学)
2019年 - 2019年

結晶デバイスセミナー2A (名古屋大学)
2019年 - 2019年

結晶デバイスセミナー2B (名古屋大学)
2019年 - 2019年

結晶デバイスセミナー2C (名古屋大学)
2019年 - 2019年

結晶デバイスセミナー2D (名古屋大学)

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所属学協会

Works(作品等)

次世代高駆動力集積回路に向けたGeO2膜の原子層堆積手法の開発

2014年 - 2014年

共同研究・競争的資金等の研究課題

偏析と転写によるゲルマニウムナノシート/絶縁膜積層基板の創出

第14回キヤノン財団研究助成プログラム「新産業を生む科学技術」 2023年4月 - 2026年3月
狭ギャップIV族混晶による赤外多帯域受発光集積デバイス

科学技術振興機構戦略的な研究開発の推進戦略的創造研究推進事業 CREST 2021年10月 - 2026年3月

中塚理
Al-Sn共晶を媒介とした拡散・偏析法を用いたスズハニカムナノシート合成への挑戦

日本学術振興会科学研究費補助金挑戦的研究(萌芽) 2023年4月 - 2025年3月

柴山茂久
非平衡系IV族混晶半導体ヘテロ接合によるテラヘルツ帯デバイスの創出

科学技術振興機構戦略的な研究開発の推進戦略的創造研究推進事業さきがけ 2021年10月 - 2024年3月

柴山茂久
GeSnスピンデバイス応用に向けた基盤技術構築

集積システム材料産学連携コンソーシアム共同研究 2022年4月 - 2023年3月
非平衡系Ⅳ族混晶半導体の光集積実現に向けた基盤技術開発

2021年度牧誠記念研究助成 2021年6月 - 2022年3月

柴山茂久
金属の低仕事関数化に着目した金属/4H-SiCコンタクトの界面構造制御指針の提案

2020年度パワーアカデミー研究助成「萌芽研究」 2021年2月 - 2022年3月

柴山茂久
界面ナノ構造制御による超低抵抗率金属/Ⅳ族半導体コンタクト形成技術

2020年度キオクシア奨励研究 2020年6月 - 2021年3月

中塚理, 柴山茂久, 坂下満男, 笠原健太郎
二元系遷移金属酸化物の強誘電性に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究挑戦的萌芽研究 2016年4月 - 2019年3月

柴山茂久
次世代超低消費電力トンネルＦＥＴの実現に向けたゲルマニウムスズの電子物性制御

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費特別研究員奨励費 2015年4月 - 2018年3月

柴山茂久
ＵＬＳＩの高速化に向けた高誘電率ゲート絶縁膜／ゲルマニウム界面構造制御

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費 2013年4月 - 2015年3月

柴山茂久

産業財産権

2025-146269 ゲルマニウムスズ結晶の製造方法、半導体基板および半導体デバイス

中塚理, 柴山茂久, 柴田海斗, 黒澤昌志
2016-146382 MOSキャパシタ及びMOSFET

坂下満男, 財満鎭明, 中塚理, 竹内和歌奈, 柴山茂久, 田岡紀之, 加藤公彦, 吉田鉄兵

学術貢献活動

電子デバイス界面テクノロジー研究会実行プログラム委員

企画立案・運営等, 査読

電子デバイス界面テクノロジー研究会 2024年4月1日 - 現在
実行プログラム委員

企画立案・運営等

電子デバイス界面テクノロジー研究会 2024年4月 - 現在

社会貢献活動

SSDM2023実行委員会

運営参加・支援

2022年8月 - 2023年11月
SSDM2019実行委員会

運営参加・支援

2018年8月 - 2019年11月
名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会

助言・指導, 企画, 運営参加・支援, 報告書執筆, 寄稿

応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター 2013年11月 - 2013年11月
名古屋大学スチューデントチャプターサイエンスカフェ

企画, 運営参加・支援

応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター 2013年6月 - 2013年6月

メディア報道

Room-temperature terahertz device opens door to 6G networks

EurekAlert! https://www.eurekalert.org/news-releases/1098580 2025年9月16日インターネットメディア
スズ含有IV族混晶半導体を用いた量子効果デバイスの室温動作に成功～安価かつ環境に優しい量子効果デバイス応用へ新たな道～

名古屋大学 https://www.nagoya-u.ac.jp/researchinfo/result/2025/08/iv.html 2025年8月20日インターネットメディア
プレスリリース「スズ含有IV族混晶半導体を用いた量子効果デバイスの室温動作に成功～安価かつ環境に優しい量子効果デバイス応用へ新たな道～」

名古屋大学 https://www.nagoya-u.ac.jp/researchinfo/result/2025/08/iv.html 2025年8月20日インターネットメディア
プレスリリース「超自然的な高錫組成14族半導体結晶薄膜を合成～中・遠赤外光電子デバイス、超高速・超省電力電子デバイス創出へ期待～」

名古屋大学 https://www.nagoya-u.ac.jp/researchinfo/result/2024/11/14.html 2024年11月26日インターネットメディア

柴山茂久

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

委員歴

主要な受賞

主要な論文

主要なMISC

書籍等出版物

主要な講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

Works(作品等)

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

学術貢献活動

社会貢献活動

メディア報道

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