重川直輝 (Naoteru Shigekawa) - マイポータル

基本情報

所属: 大阪公立大学工学研究科電子情報系専攻教授

学位: 博士（理）(東京大学)

研究者番号: 60583698
J-GLOBAL ID: 201401062725539502
researchmap会員ID: B000241505

外部リンク: http://shigekawa-ocu.jp

研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

経歴

2016年4月 - 現在

大阪市立大学, 複合先端研究機構, 副機構長・教授
2011年10月 - 現在

大阪市立大学, 工学研究科, 教授

委員歴

2016年7月 - 現在

IEE Electronics Letters, Associate Editor
2016年7月 - 現在

エレクトロニクスレターズ編集委員会, 編集委員
2015年10月 - 現在

学振１９１委員会, 幹事
2015年10月 - 現在

日本学術振興会産学協力研究委員会接合界面創成技術第191委員会, 幹事
2012年4月 - 現在

ＪＪＡＰ編集委員会, 編集委員
2012年4月 - 現在

電子情報通信学会電子デバイス研究会, 調査専門委員

受賞

2017年3月

APEX/JJAP編集貢献賞

論文

189

Room temperature bonding of GaN and diamond via a SiC layer

A. Kobayashi, H. Tomiyama, Y. Ohno, Y. Shimizu, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

Functional Diamond 2(1) 142-150 2022年12月査読有り
High thermal conductivity in wafer-scale cubic silicon carbide crystals

Zhe Cheng, Jianbo Liang, Keisuke Kawamura, Hao Zhou, Hidetoshi Asamura, Hiroki Uratani, Janak Tiwari, Samuel Graham, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai …

Nature Communications 13(1) 2022年11月23日
Heterojunctions fabricated by surface activated bonding–dependence of their nanostructural and electrical characteristics on thermal process

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Yutaka Ohno

Japanese Journal of Applied Physics 61(12) 120101-120101 2022年11月14日
Electrical properties of Si/diamond heterojunction diodes fabricated by using surface activated bonding

Yota Uehigashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Hideaki Yamada, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

Diamond and Related Materials 109425-109425 2022年10月
Intrinsic luminescence-downshifting effects of Zn-based Mn-doped nanoparticle layers on Si solar cells

Yuki Idutsu, Keigo Awai, Jianbo Liang, Hisaaki Nishimura, DaeGwi Kim, Yong-Gu Shim, Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics 61(6) 062004-062004 2022年6月1日
Fabrication of β-Ga₂O₃/Si heterointerface and characterization of interfacial structures for high-power device applications

Jianbo Liang, Daiki Takatsuki, Masataka Higashiwaki, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics 61(SF) SF1001/1-SF1001/7 2022年6月1日査読有り
Comparison of thermal stabilities of p⁺-Si/p-diamond heterojunction and Al/p-diamond Schottky barrier diodes

Yota Uehigashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi UMEZAWA, hideaki YAMADA, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics 2022年4月5日
Variation in atomistic structure due to annealing at diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding

Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Hideto Yoshida, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics 61(SF) SF1006/1-SF1006/5 2022年3月11日査読有り
AlGaN/GaN/3C-SiC on diamond HEMTs with thick nitride layers prepared by bonding-first process

Ryo Kagawa, Keisuke Kawamura, Yoshiki SAKAIDA, Sumito Ouchi, Hiroki URATANI, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

Applied Physics Express 15(4) 041003/1-041003/5 2022年3月8日査読有り
Fabrication of n-Si/n-Ga2O3 heterojunctions by surface-activated bonding and their electrical properties

Zhenwei Wang, Daiki Takatsuki, Jianbo Liang, Takahiro Kitada, Naoteru Shigekawa, Masataka Higashiwaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 131(7) 2022年2月
Fabrication of p(+)-Si/p-diamond heterojunction diodes and effects of thermal annealing on their electrical properties

Yota Uehigashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Hideaki Yamada, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

DIAMOND AND RELATED MATERIALS 120 2021年12月
Fabrication of Ga₂O₃/3C-SiC direct bonding for efficient surface heat dissipation

Hiromu Nagai, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida, Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月5日
Fabrication and Characterization of GaN/Diamond bonding interface

A. Kobayashi, Y. Shimizu, Y. Ohno, S. W. Kim, K. Koyama, M. Kasu, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月5日
Nanostructural Analysis of Al/β-Ga₂O₃ Interface Fabricated Using Surface Activated Bonding

Zexin Wan, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月5日
Polarization inverted GaN/GaN junctions fabricated by surface-activated bonding

Kazuki Sawai, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月5日
Fabrication of Ga₂O₃/Si direct bonding interface for high power device applications

Jianbo Liang, Daiki Takatsuki, Yasuo Shimizu, Masataka Higashiwaki, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月5日
Fabrication of GaN/SiC/diamond structure for efficient thermal management of power device

Ryo Kagawa, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月5日
Structural analysis of diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature

Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Hideto Yoshida, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月5日
High temperature stability of p⁺-Si/p-diamond heterojunction diodes

Yota Uehigashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Hideaki Yamada, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2021 13 2021年10月5日
Fabrication of GaN/Diamond Heterointerface and Interfacial Chemical Bonding State for Highly Efficient Device Design

Jianbo Liang, Ayaka Kobayashi, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Seong‐Woo Kim, Koji Koyama, Makoto Kasu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

Advanced Materials 2104564-2104564 2021年9月9日

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MISC

n⁺-Si/p-ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの作製と電気特性評価

上東洋太, 大曲新矢, 梅沢仁, 山田英明, LIANG Jianbo, 重川直輝

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
Si/ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの耐熱性評価

上東洋太, 大曲新矢, 梅沢仁, 山田英明, LIANG Jianbo, 重川直輝

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
表面活性化接合法によるダイヤモンド/Siヘテロ接合ダイオードの作製

上東洋太, 大曲新矢, 梅沢仁, 山田英明, LIANG Jianbo, 重川直輝

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
Low Temperature Bonding for 3D Integration FOREWORD

Naoteru Shigekawa, Hideki Takagi, Masahisa Fujino, Eiji Higurashi, Nobuhiko Nishiyama, Takehito Shimatsu, Noriaki Toyoda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 2020年2月
Impact of Ar atom irradiation on the crystallinity of GaAs/Si interfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature

Y. Ohno, R. Miyagawa, H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa

Proceedings of the 6th International IEEE Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration 2-2 2019年6月査読有り
次世代エレクトロニクスを拓くダイヤモンドと異種材料の直接接合

重川直輝, 梁剣波

New Diamond 34(4) 3-5 2018年10月25日招待有り
Electrical conduction of Si/ITO/Si junctions fabricated by surface activated bonding

Jianbo Liang, Tomoki Ogawa, Kenji Araki, Takefumi Kamioka, Naoteru Shigekawa

2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D) 51-51 2017年
Surface-activated Bonding of III-V Compound Semiconductors and Si for Fabricating Hybrid Tandem Solar Cells

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

2017 INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRONICS PACKAGING (ICEP) 229-231 2017年招待有り
Transport Characteristics of Optically-Excited and Electrically-Injected Minority Electrons across p-Si/n-SiC Hetero-Interfaces

Naoteru Shigekawa, Sae Shimizu, Jianbo Liang, Masato Shingo, Kenji Shiojima, Manabu Arai

2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D) 26-26 2017年
Plane-view transmission electron microscopy of Si/GaAs interfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature

Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Liang Jianbo, Naoteru Shigekawa

2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D) 4-4 2017年
Impacts of bonding-layer resistance of Si bottom cells on interface resistance in InGaP/GaAs/Si hybrid triple-junction cells

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D) 52-52 2017年
Electrical Properties of Al-Foil/4H-SiC Schottky Junctions Fabricated by Surface-Activated Bonding

S. Morita, J. Liang, M. Matsubara, M. Dhamrin, Y. Nishio, N. Shigekawa

2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D) 68-68 2017年
Analysis of the influence of interface charges on the electrical characteristics of GaAs/GaN junctions

S. Yamajo, J. Liang, N. Shigekawa

2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D) 77-77 2017年
Effects of layered CdTe nano particles on Si solar cells

T. Ogawa, J. Liang, S. Imasaki, T. Watanabe, D. G. Kim, N. Shigekawa

2016 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK) 114-115 2016年査読有り
Electrical characteristics of SAB-Based n(+)-n Ge/4H-SiC heterojunctions

S. Morita, T. Nishimura, J. Liang, N. Shigekawa

2016 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK) 74-75 2016年査読有り
Effects of Ar beam irradiation on Si-Based Schottky contacts

S. Hisamoto, J. Liang, N. Shigekawa

2016 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK) 40-41 2016年査読有り
Electrical characteristics of Al foil/Si junctions by surface activated bonding method

K. Furuna, J. Liang, N. Shigekawa, M. Matsubara, M. Dhamrin, Y. Nishio

2016 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK) 86-87 2016年
GaAs/GaAs接合の電気特性に対するアニール効果 (電子デバイス)

柴麗, 梁剣波, 重川直輝

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(329) 105-110 2015年11月26日
Thick (~1um) p-type InxGa1?x N (x ~ 0.36) grown by MOVPE at a low temperature (~570C)

Yamamoto A., Hasan Md. T., Kodama K., Shigekawa N., Kuzuhara M.

Physica Status Solidi (b) 2015 1-4 2015年2月
Electrical properties of n(+)-Si/n-GaN junctions by room temperature bonding

T. Nishimura, J. Liang, N. Shigekawa, N. Watanabe

2015 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK) 2015年

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書籍等出版物

異種材料の接着・接合技術とマルチマテリアル化

重川直輝 (担当:分担執筆, 範囲:第10章「無機材料の低温、常温接合技術」第2節「常温異種材料接合技術によるパワー半導体、太陽電池の開発」)

技術情報協会 2017年10月31日

講演・口頭発表等

158

GaN/多結晶ダイヤモンド直接接合の作製及び特性評価

小林礼佳, 清水康雄, 大野裕, 金聖祐, 小山浩司, 嘉数誠, 重川直輝, 梁剣波

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月14日
自立基板上GaNエピ層/GaAs直接接合界面のナノ構造評価

廣瀬淳, 清水康雄, 大野裕, 梁剣波, 重川直輝

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月14日
Si太陽電池に対するZnSe/ZnS:Mn/ZnS core/shellナノ粒子の堆積効果

井筒由紀, 梁剣波, 西村悠陽, 金大貴, 重川直輝

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月14日
Ga2O3/3C-SiC接合界面の作製及び特性評価

梁剣波, 清水康雄, 大野裕, 重川直輝

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月14日
GaAs//Si Hybrid Double Junction Cells Fabricated by Direct Bonding of Epitaxially Lifted-Off GaAs Subcell Layers on PET Films

Ryo Kozono, Jianbo Liang, Kentaroh Watanabe, Masakazu Sugiyama, Naoteru Shigekawa

29th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 2019年11月8日
表面活性化接合で作成したSi/GaAs界面の低温FIB法による断面TEM評価

大野裕, 清水康雄, 永井康介, 麻生亮太郎, 神内真人, 吉田秀人, 梁剣波, 重川直輝

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日
直接接合された表面実装型LEDパッケージにおける素子温度評価

小丸啓吾, 梁剣波, 西尾佳高, 重川直輝

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日
ELO法及びSAB法によるGaAs/Si 2接合太陽電池の作製

小園亮, 梁剣波, 渡辺健太郎, 杉山正和, 重川直輝

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日
表面活性化接合で形成したSi/GaAs界面の低温FIB法によるアトムプローブ評価

清水康雄, 海老澤直樹, 大野裕, 梁剣波, 重川直輝, 永井康介

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日
GaAs/Diamond直接接合の界面評価

中村祐志, 清水康雄, 大野裕, 詹天卓, 山下雄一郎, 白崎謙次, 永井康介, 渡邊孝信, 嘉数誠, 重川直輝, 梁剣波

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日
高出力パワーデバイス応用に向けたGaN/Diamond直接接合の作製

梁剣波, 清水康雄, 大野裕, 白崎謙次, 永井康介, 嘉数誠, 金聖祐, Kuball Martin, 重川直輝

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日
InGaP/ITO 界面における熱処理効果

崎原盛偉, 梁剣波, 重川直輝

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日
Si太陽電池に対するMnドープ半導体ナノ粒子の堆積効果

井筒由紀, 田中駿, 梁剣波, 楢崎友城, 西村悠陽, 金大貴, 重川直輝

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日
Fabrication of GaAs/diamond direct bonding for high power device applications

Y. Nakamura, Y. Shimizu, Y. Ohno, K. Shirasaki, Y. Nagai, M. Kasu, N. Shigekawa, J. Liang

13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2019) 2019年8月26日
Interfacial characterization of GaN/diamond heterostructures prepared by room temperature bonding for high power device applications

J. Liang, Y. Shimizu, Y. Ohno, K. Shirasaki, Y. Nagai, S. Kim, M. Kasu, M. Kuball, N. Shigekawa

13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2019) 2019年8月26日
Direct Bonding of GaN and Diamond Without an Intermediate Layer at Room Temperature

Jianbo Liang, Makoto Kasu, Martin Kuball, Naoteru Shigekawa

13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 2019年7月7日
Electrical Properties of GaAs/GaN Junctions by Bonding GaN Layers Grown on Free Standing Substrates

Shoji Yamajo, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 2019年7月7日
Effects of Layered Cadmium-Based Nanoparticles on Si Solar Cells

Y. Idutsu, S. Tanaka, J.Liang, T.Narazaki, H.Nishimura, D.G.Kim, N.Shigekawa

46TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE 2019年6月19日
GaAs/Si Double-Junction Cells Fabricated by Sacrificial Layer Etching of Directly-Bonded III-V/Si Junctions

Ryo Kozono, Sanji Yoon, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

46TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE 2019年6月18日
Bonding strength evaluation of Al foil/AlN junctions by surface activated bonding

S. Horikawa, S. Morita, J. Liang, Y. Kaneko, Y. Nishio, M. Matsubara, H. Asahi, N. Shigekawa

2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration 2019年5月21日

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

ダイヤモンド直接接合による高耐熱性界面の研究開発

その他省庁等 NEDO先導研究プログラム／新産業創出新技術先導研究プログラム 2019年7月 - 2020年7月
高効率素子に向けたワイドギャップ半導体／ダイヤモンド直接接合及び界面相構造の解明

科学研究費助成事業挑戦的研究（萌芽） 2018年4月 - 2020年3月
半導体ナノ粒子の波長変換機能によるアドオン型の太陽電池特性制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2017年4月 - 2020年3月
超高効率・低コストIII-V化合物太陽電池モジュールの研究開発（高効率・低コストIII-V/Siタンデム）／表面活性化接合によるⅢ-Ⅴ／Ｓｉ多接合セル

その他省庁等ＮＥＤＯ／高性能・高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発 2019年4月 - 2020年2月
セラミック基板/金属箔の直接接合による放熱基板の開発

民間企業共同研究（民間） 2017年10月 - 2019年9月
超高効率・低コストIII-V化合物太陽電池モジュールの研究開発（高効率・低コストIII-V/Siタンデム）／表面活性化接合によるⅢ-Ⅴ／Ｓｉ多接合セル

その他省庁等ＮＥＤＯ／高性能・高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発 2018年4月 - 2019年3月
パワー素子に向けたダイヤモンド/シリコン常温接合とその結晶工学的機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2016年4月 - 2018年3月

重川直輝
超高効率・低コストIII-V化合物太陽電池モジュールの研究開発（高効率・低コストIII-V/Siタンデム）／表面活性化接合によるⅢ-Ⅴ／Ｓｉ多接合セル

その他省庁等ＮＥＤＯ／高性能・高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発 2015年6月 - 2018年3月
金属箔の表面活性化接合による半導体デバイス開発

未設定共同研究（民間） 2016年10月 - 2017年9月

重川直輝
金属箔の表面活性化接合による金属厚膜の形成

未設定マッチングプランナープログラム「企業ニーズ解決試験」平成28年度公募 2016年6月 - 2017年3月

重川直輝
表面活性化法によるタンデム太陽電池の研究開発

未設定使途特定寄付金 2015年4月 - 2016年3月

重川直輝
シリコン基板上窒化物等異種材料タンデム太陽電池の研究開発

未設定ＪＳＴ／ＣＲＥＳＴ 2010年10月 - 2016年3月

重川直輝

産業財産権

104

特開2017-028115 電界効果トランジスタ及び電界効果トランジスタの製造方法

重川直輝, 梁剣波
特開2015-153893 半導体装置、及びその半導体装置の製造方法

重川直輝, 梁剣波
特許第5669228号多接合太陽電池およびその製造方法

渡邉則之, 重川直輝
特開2014-220350 多接合太陽電池およびその製造方法

渡邉則之, 重川直輝
特開2014-220351 多接合太陽電池

満原学, 渡邉則之, 重川直輝
特許第5632330号高速カオス光信号生成光回路および高速カオス光信号生成方法

佐藤俊哉, 松尾慎治, 瀬川徹, 重川直輝, 加藤和利, 榎木孝知
特許第5632331号高速カオス光信号生成光回路および高速カオス光信号生成方法

佐藤俊哉, 松尾慎治, 瀬川徹, 重川直輝, 加藤和利, 榎木孝知
特許第5632329号高速カオス光信号生成光回路および高速カオス光信号生成方法

佐藤俊哉, 松尾慎治, 瀬川徹, 重川直輝, 加藤和利, 榎木孝知
特許第5600082号化合物半導体結晶の製造方法

横山春喜, 重川直輝, 杉山弘樹, 星拓也
特許第5596653号電界効果トランジスタおよびその製造方法

重川直輝, 小林康之, 渡邉則之, 横山春喜
特許第5596652号窒化物半導体装置およびその製造方法

重川直輝, 小林康之, 渡邉則之, 横山春喜
特許第5587848号半導体積層構造の製造方法

渡邉則之, 重川直輝, 横山春喜, 小林康之
特許第5551671号光導波路

横山春喜, 都築健, 重川直輝, 渡邉則之, 小林康之
特許第5548908号多接合太陽電池の製造方法

渡邉則之, 横山春喜, 重川直輝, 山本あき勇
特許第5519442号アバランシェフォトダイオード

名田允洋, 村本好史, 重川直輝
特許第5497686号アバランシェフォトダイオード

名田允洋, 村本好史, 児玉聡, 重川直輝, 横山春喜
特許第5469145号タンデム太陽電池セルおよびその製造方法

重川直輝, 小林康之, 渡邉則之, 横山春喜
特許第5432060号アバランシェフォトダイオード

名田允洋, 村本好史, 重川直輝
特許第5390474号光受信器

児玉聡, 吉松俊英, 重川直輝
特開2013-172072 2接合太陽電池

満原学, 渡邉則之, 伊賀龍三, 重川直輝

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社会貢献活動

NEDOフェスタin関西2019

出演

NEDO NEDOフェスタin関西2019 Grand Front Osaka 2019年12月17日 - 2019年12月18日
オープン・ラボラトリ―

講師, 企画

大阪市立大学オープンラボラトリー大阪・産創館 2019年4月26日
オープン・ラボラトリ―

講師, 企画

大阪市立大学オープンラボラトリー大阪・産創館 2019年1月21日
イノベーションジャパン2018

出演

NEDO, JST イノベーションジャパン2018 東京ビッグサイト 2018年8月30日 - 2018年8月31日
ＪＳＴ、関西3公立大学／スマートテクノロジー新技術説明会

講師

科学技術振興機構、大阪府立大学、大阪市立大学、兵庫県立大学スマートテクノロジー新技術説明会 JST東京本部別館1Fホール（東京・市ケ谷） 2017年11月9日

重川直輝

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

委員歴

受賞

論文

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

社会貢献活動

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