2016年4月 - 2019年3月
複素誘電率の直接測定によるコヒーレントフォノン生成機構の解明
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(C) 基盤研究(C)
本研究は、コヒーレントフォノンの位相情報に着目し、これまでコヒーレントフォノン計測に用いられてきたフェムト秒過渡反射率測定法を拡張した新たな白色干渉法による位相差計測法の開発と、理論的に測定データを再構築することでコヒーレントフォノン生成過程を実験的に明らかにすることを目的とし研究を進めた。特に、瞬間的誘導ラマン過程によるコヒーレントフォノン生成および検出方法に関する理論の構築を進め、位相推定法の観点から理論と測定の対応関係を明らかにし、構築した理論モデルがフェムト秒光パルス対によるコヒーレントフォノンの位相および振幅の制御性を良く説明できることを示した。
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- 課題番号 : 16K05410
- 体系的課題番号 : JP16K05410