2008年3月6日
トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nmノード高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術
電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会
- 巻
- 2008
- 号
- 36
- 開始ページ
- 35
- 終了ページ
- 39
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- リンク情報
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- CiNii Articles
- http://ci.nii.ac.jp/naid/10025648681
- ID情報
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- CiNii Articles ID : 10025648681
- identifiers.cinii_nr_id : 9000016842896