本論文は45nmノード向けゲート長30nmの超微細バルクCMOSデバイスに関する。我々はΣ型SiGe-SD構造によってSCE(短チャネル効果)を抑制しつつ高い飽和電流を得ることに成功した。Σ型リセス形状でホール移動度の向上を、SW下のスリットにボロンをドープしたSiGeを埋め込むことでソース・ドレイン・エクステンション寄生抵抗の低減をそれぞれ達成した。他にPMOSのみのゲート高さを低くすることによってCESL(コンタクトエッチストップ層)の引っ張りストレスの影響を小さくする方法、活性領域と素子分離領域の境を保護する為にCap-STI蓋シャロートレンチ素子分離)を開発した。性能としてはV_d=1.0 V/Ioff=100 nA/μmにおいてnMOSFET、pMOSFETでゲート長30nmのもので937/490μA/μm、ゲート長33nmのもので1000/545μA/μmが得られた。