2000年11月19日
Very Low-Resistive Si Epitaxial Growth at 450oC by Alternately Supplied PH3 and SiH4
Workshop on Selective and Functional Film Deposition Technol. as Applied to ULSI Technol. (29th IUVSTA Workshop) & 2nd Int. Workshop on Development of Thin Films for Future ULSI's and Nano-Scale Process Integration, Ise-Shima, Mie, Japan, Nov. 19-24, 2000
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- 開始ページ
- 266
- 終了ページ
- 269
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文(国際会議プロシーディングス)