石橋章司 (Shoji Ishibashi) - マイポータル

基本情報

所属: 筑波大学計算科学研究センター研究員
: 国立研究開発法人産業技術総合研究所エレクトロニクス基盤技術研究部門招聘研究員

ORCID iD: https://orcid.org/0000-0002-4896-3530
J-GLOBAL ID: 200901075294379191
Researcher ID: J-1755-2017
researchmap会員ID: 5000087073

研究キーワード

計算物質材料科学

研究分野

経歴

2025年4月 - 現在

筑波大学, 計算科学研究センター, 研究員
2025年4月 - 現在

国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス基盤技術研究部門, 招聘研究員
2024年4月 - 2025年3月

国立研究開発法人産業技術総合研究所, 機能材料コンピュテーショナルデザイン研究センター, キャリアリサーチャー
2018年10月 - 2024年3月

国立研究開発法人産業技術総合研究所, 機能材料コンピュテーショナルデザイン研究センター, 上級主任研究員
2015年11月 - 2018年9月

国立研究開発法人産業技術総合研究所, 機能材料コンピュテーショナルデザイン研究センター, 研究チーム長
2015年4月 - 2015年10月

国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノ材料研究部門, 研究グループ長
2010年4月 - 2015年3月

独立行政法人産業技術総合研究所, ナノシステム研究部門, 研究グループ長
2004年5月 - 2010年3月

独立行政法人産業技術総合研究所, 計算科学研究部門, 研究グループ長
2003年1月 - 2004年5月

独立行政法人産業技術総合研究所, 計算科学研究部門, 主任研究員
2002年1月 - 2002年12月

独立行政法人産業技術総合研究所, 企画本部, 企画主幹
2001年4月 - 2001年12月

独立行政法人産業技術総合研究所, 計算科学研究部門, 主任研究員
1995年10月 - 2001年3月

電子技術総合研究所, 材料科学部, 主任研究官
1991年4月 - 1995年9月

電子技術総合研究所, 材料科学部, 研究官

学歴

1988年4月 - 1991年3月

東京大学, 大学院工学系研究科博士課程, 金属材料学専攻
1986年4月 - 1988年3月

東京大学, 大学院工学系研究科修士課程, 金属材料学専攻
1984年4月 - 1986年3月

東京大学, 工学部, 金属材料学科
1982年4月 - 1984年3月

東京大学, 教養学部, 理科一類

受賞

2025年5月

Springer Nature Author Service Award 2025, Springer Nature

Shoji Ishibashi
2022年3月

第43回応用物理学会論文賞, Room temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted GaN on GaN structures, 応用物理学会

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 石橋章司, 上殿明良
2020年3月

産総研論文賞, Proton Tautomerism for Strong Polarization Switching, Sachio Horiuchi, Kensuke Kobayashi, Reiji Kumai and Shoji Ishibashi, Nature Communications, 2017, 8, 14426, 国立研究開発法人産業技術総合研究所

堀内佐智雄, 石橋章司
2020年3月

日本物理学会第25回論文賞, First-Principles Study of Magnetocrystalline Anisotropy and Magnetization in NdFe12, NdFe11Ti, and NdFe11TiN, 日本物理学会

三宅隆, 寺倉清之, 原嶋庸介, 木野日織, 石橋章司
2011年3月

日本物理学会第16回論文賞, A Possible Ground State and Its Electronic Structure of a Mother Material (LaOFeAs) of New Superconductors, 日本物理学会

石橋章司, 寺倉清之, 細野秀雄

論文

235

Vacancy-type defects introduced by mechanical polishing in ammonothermal GaN studied by a monoenergetic positron beam

Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Kohei Shima, Shigefusa F. Chichibu, Kacper Sierakowski, Makoto Oishi, Noriyuki Okada, Takuro Nagai, Michal Bockowski

Journal of Crystal Growth 688 128622 1-6 2026年4月査読有り
Vacancy‐Type Defects in n‐Type GaN Fabricated by Low‐Dose Ion Implantation Studied by a Monoenergetic Positron Beam

Akira Uedono, Hiroko Iguchi, Masahiro Horita, Jun Suda, Kohei Shima, Shigefusa F. Chichibu, Shoji Ishibashi

physica status solidi (b) 263(3) e202500409 1-6 2025年9月22日査読有り
Field-Effect Crystal Engineering in Proton–π-Electron Correlated Systems

Sachio Horiuchi, Hiromi Minemawari, Jun’ya Tsutsumi, Shoji Ishibashi

Crystals 15(8) 736 1-38 2025年8月19日査読有り
Vacancy-Type Defects in HfO₂ Layers and Their Role in Amorphous-to-Crystalline Transition Studied by Monoenergetic Positron Beams

Akira Uedono, Kazuya Kawakami, Tatsunori Kuribara, Ryu Hasunuma, Yosuke Harashima, Yasuteru Shigeta, Zeyuan Ni, Ruolin Yan, Hideo Nakamura, Akira Notake …

IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 38(3) 463-468 2025年8月査読有り
Characterization of Vacancy-Type Defects in Mg- and N-Implanted GaN by using a Monoenergetic Positron Beam

Akira Uedono, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Kohei Shima, Shigefusa F. Chichibu, Jun Uzuhashi, Tadakatsu Ohkubo, Shoji Ishibashi …

2025 22nd International Workshop on Junction Technology (IWJT) 79-82 2025年6月4日
Roles of Al-vacancy complexes on the luminescence spectra of low dislocation density Si-doped AlN grown by halide vapor phase epitaxy

S. F. Chichibu, K. Kikuchi, B. Moody, S. Mita, R. Collazo, Z. Sitar, Y. Kumagai, S. Ishibashi, A. Uedono, K. Shima

Applied Physics Letters 126(11) 111905 1-7 2025年3月1日査読有り
Characterization of Vacancy-Type Defects in Mg- and N-Implanted GaN by Using a Monoenergetic Positron Beam

A. Uedono, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, K. Shima, S. F. Chichibu, J. Uzuhashi, T. Ohkubo, S. Ishibashi …

IEEE Journal of the Electron Devices Society 13 1252-1257 2025年査読有り
Vacancy-Type Defects in Thin HfO₂ Layers Probed by Monoenergetic Positron Beams

Akira Uedono, Kazuya Kawakami, Tatsunori Kuribara, Ryu Hasunuma, Yosuke Harashima, Yasuteru Shigeta, Zeyuan Ni, Ruolin Yan, Hideo Nakamura, Akira Notake …

2024 International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM) 1-4 2024年12月9日査読有り
Bias-dependent surface stress by density functional theory combined with the effective screening medium method

Satoshi Hagiwara, Shoji Ishibashi, Minoru Otani

Physical Review B 110(15) 155409 1-11 2024年10月4日査読有り
Unveiling High Electro‐Optic Performance in a Proton–π‐Electron‐Coupled Ferroelectric Crystal

Keishi Sunami, Sachio Horiuchi, Shoji Ishibashi, Jun'ya Tsutsumi

Advanced Electronic Materials 11(3) 2400346 1-9 2024年8月5日査読有り
Vacancy-Type Defects and Oxygen Incorporation in NiAl for Advanced Interconnects Probed by Monoenergetic Positron Beams and Atom Probe Tomography

Akira Uedono, Claudia Fleischmann, Jean-Philippe Soulié, Mustafa Ayyad, Jeroen E. Scheerder, Christoph Adelmann, Jun Uzuhashi, Tadakatsu Ohkubo, Koji Michishio, Nagayasu Oshima …

ACS Applied Electronic Materials 6(8) 5894-5902 2024年7月10日査読有り
Impacts of vacancy complexes on the room-temperature photoluminescence lifetimes of state-of-the-art GaN substrates, epitaxial layers, and Mg-implanted layers

Shigefusa F. Chichibu, Kohei Shima, Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Hiroko Iguchi, Tetsuo Narita, Keita Kataoka, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno …

Journal of Applied Physics 135(18) 185701 1-20 2024年5月8日査読有り
Improved midgap recombination lifetimes in GaN crystals grown by the low-pressure acidic ammonothermal method

K. Shima, K. Kurimoto, Q. Bao, Y. Mikawa, M. Saito, D. Tomida, A. Uedono, S. Ishibashi, T. Ishiguro, S. F. Chichibu

Applied Physics Letters 124(18) 181103 1-6 2024年4月29日査読有り
Vacancy‐Type Defects and Their Trapping/Detrapping of Charge Carriers in Ion‐Implanted GaN Studied by Positron Annihilation

Akira Uedono, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Kohei Shima, Shigefusa F. Chichibu, Jun Uzuhashi, Tadakatsu Ohkubo, Shoji Ishibashi …

physica status solidi (b) 261(5) 2400060 1-10 2024年2月29日査読有り
Temporary and spatially resolved luminescence studies of p-GaN segments fabricated by vacancy-guided redistribution of Mg using sequential ion implantation of Mg and N

K. Shima, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, A. Uedono, S. Ishibashi, and, S. F. Chichibu

Proceedings of IWJT2023: IEEE Xplore Digital Library (2023) 1-4 2023年7月12日査読有り
A straightforward method using the sign of the piezoelectric coefficient to identify the ferroelectric switching mechanism

Shoji Ishibashi, Reiji Kumai, Sachio Horiuchi

Scientific Reports 13(1) 8810 1-8 2023年5月31日査読有り筆頭著者
Annealing properties of vacancy-type defects in ion implanted GaN during ultra-high-pressure annealing studied by using a monoenergetic positron beam

Akira Uedono, Hideki Sakurai, Jun Uzuhashi, Tetsuo Narita, Kacper Sierakowski, Shoji Ishibashi, Shigefusa F. Chichibu, Michal Bockowski, Jun Suda, Tadakatsu Ohokubo …

Gallium Nitride Materials and Devices XVIII 124210C 1-7 2023年3月15日査読有り
Competition of polar and antipolar states hidden behind a variety of polarization switching modes in hydrogen-bonded molecular chains

Sachio Horiuchi, Hiromi Minemawari, Shoji Ishibashi

Materials Horizons 10(6) 2149-2159 2023年査読有り
Vacancy-type defects in TiN/ZrO2/TiN capacitors probed by monoenergetic positron beams

Akira Uedono, Naomichi Takahashi, Ryu Hasunuma, Yosuke Harashima, Yasuteru Shigeta, Zeyuan Ni, Hidefumi Matsui, Akira Notake, Atsushi Kubo, Tsuyoshi Moriya …

Thin Solid Films 762 139557 1-8 2022年11月査読有り
Room-temperature nonradiative recombination lifetimes in c-plane Al1−xInxN epilayers nearly and modestly lattice-matched to GaN (0.11 ≤ x ≤ 0.21)

L. Y. Li, K. Shima, M. Yamanaka, T. Egawa, T. Takeuchi, M. Miyoshi, S. Ishibashi, A. Uedono, S. F. Chichibu

Journal of Applied Physics 132(16) 163102 1-10 2022年10月25日査読有り

もっとみる

書籍等出版物

Organic ferroelectric materials and applications

Sachio Horiuchi, Shoji Ishibashi, Yoshinori Tokura (担当:分担執筆, 範囲:2 - Ferroelectric charge-transfer complexes, 3 - Hydrogen-bonded organic molecular ferroelectrics/antiferroelectrics)

Woodhead Publishing 2021年10月 (ISBN: 9780128215517)
マテリアルズ・インフォマティクス開発事例最前線

堀内佐智雄, 石橋章司 (担当:分担執筆, 範囲:第2章誘電材料第2節有機強誘電体の開発)

エヌ・ティー・エス 2021年1月 (ISBN: 9784860437084)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

半導体デバイス材料中の陽電子状態・消滅パラメータのシミュレーション技術の高度化

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2026年4月 - 2029年3月

石橋章司, 萩原聡
III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2021年4月 - 2025年3月

上殿明良, 石橋章司, 秩父重英, 奥村宏典
分子性誘電体物質の新奇強電場相と新機能の創発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2021年4月 - 2024年3月

堀内佐智雄, 熊井玲児, 石橋章司, 五月女真人
陽電子消滅による結晶特異構造のキャリア捕獲・散乱ダイナミックスの評価

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年6月 - 2021年3月

上殿明良, 大島永康, 角谷正友, 石橋章司, 奥村宏典
圧電機能開拓のための強誘電性分子固体の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2016年4月 - 2019年3月

堀内佐智雄, 長谷川達生, 石橋章司, 堤潤也, 熊井玲児, 荒井俊人
第一原理有効模型と相関科学のフロンティア

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 2010年4月 - 2015年3月

今田正俊, 三宅隆, 中村和磨, 佐久間怜, 小口多美夫, 石橋章司, 有田亮太郎, 藤森淳, 辛埴
分子軌道設計による新規電子相の開拓

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 2008年 - 2012年

小林昭子, 加藤礼三, 堀内佐智雄, 石橋章司, 西堀英治, 澤博, 寺倉清之, 熊井玲児, 周彪, 吉見一慶
金属/酸化物ナノへテロ界面の雰囲気依存構造変化のメカニズムに関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2006年 - 2008年

香山正憲, 前田泰, 市川聡, 田中孝治, 秋田知樹, 田中真悟, 石橋章司, 藤谷忠博, 田中孝治, 秋田知樹, 田中真悟
第一原理計算に基づく極限環境下における分子性固体の構造と電子機能の解析

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 2003年 - 2007年

石橋章司, 寺倉清之, 浅井美博

石橋章司

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

受賞

論文

書籍等出版物

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

メニュー

共著者の一覧