武田さくら (Sakura Nishino Takeda) - マイポータル

基本情報

所属: 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科助教

学位: 博士（理学）(東京大学)

J-GLOBAL ID: 201201019302117914
researchmap会員ID: B000220240

外部リンク: https://sites.google.com/site/sntprojects/

研究キーワード

研究分野

経歴

1999年4月 - 現在

奈良先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科 (旧物質創成科学研究科), 助教

学歴

1994年4月 - 1999年3月

東京大学, 理学系研究科, 物理学専攻
1990年4月 - 1994年3月

東京理科大学, 理学部, 物理学科

委員歴

2018年 - 現在

応用物理学会, 代議員
2018年 - 現在

応用物理学会薄膜表面分科会幹事
2017年 - 現在

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), program committee
2008年 - 現在

電子デバイス界面テクノロジー研究会（旧ゲートスタック研究会), プログラム・実行委員
2016年 - 2018年

International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14), Publicity Committee
2017年 - 2017年

International Workshop on Dielectric Thinn Films For Future Electro Devices – Science and Technology – (IWDTF), Steering Committee
2016年 - 2017年

応用物理学会薄膜表面分科会, 常任幹事（庶務幹事）
2016年 - 2017年

日本学術振興会日米独先端科学シンポジウム（JAGFoS）, プランニング・グループ・メンバー（PGM）（物理分野担当）
2014年 - 2015年

表面科学会関西支部, 幹事
2012年 - 2013年

(社）日本物理学会, 領域9運営委員
2007年 - 2008年

International Conference on Electronic Spectroscopy and Structure (ICESS-11), 現地実行委員
2005年 - 2006年

日本学術振興会, 日独先端科学シンポジウム(JGFoS) プログラム・グループ・メンバー（PGM）（物理学担当）

受賞

2007年9月

第１回若手奨励賞, Si反転層中の価電子サブバンド分散の実験的決定, (社）日本物理学会

武田さくら
2003年8月

第１４回講演奨励賞, 角度分解電子分光法によるSi反転層内のホールサブバンド面内分散の決定, （社）応用物理学会

武田さくら

論文

Empirical potential profile model for subbands with unusual energy separation in Si(111) p-type inversion layer

Nur Idayu Ayob, Takeshi J. Inagaki, Hiroshi Daimon, Sakura N. Takeda

Japanese Journal of Applied Physics 60(6) 064004-064004 2021年6月1日査読有り最終著者責任著者
Photoactivation of Strong Photoluminescence in Superacid-Treated Monolayer Molybdenum Disulfide

Yuki Yamada, Keisuke Shinokita, Yasuo Okajima, Sakura N. Takeda, Yuji Matsushita, Kuniharu Takei, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Norifumi Fujimura, Kazunari Matsuda …

ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES 12(32) 36496-36504 2020年8月
Surface Degradation Mechanism on CH(3)NH(3)PbBr(3)Hybrid Perovskite Single Crystal by a Grazing E-Beam Irradiation

Heriyanto Syafutra, Jung-Ho Yun, Yuya Yoshie, Miaoqiang Lyu, Sakura Nishino Takeda, Masakazu Nakamura, Lianzhou Wang, Min-Cherl Jung

NANOMATERIALS 10(7) 2020年7月
Bi induced superstructures on Si(110)

Artoni Kevin R. Ang, Sakura Nishino Takeda, Hiroshi Daimon

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 34(5) 2016年9月査読有り責任著者
Interband interaction between bulk and surface resonance bands of a Pb-adsorbed Ge(001) surface

Tomohiro Sakata, Sakura N. Takeda, Kosuke Kitagawa, Hiroshi Daimon

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 31(8) 2016年8月査読有り責任著者
Disentangling hole subbands dispersion in Si(111): In- and out-of-plane effective masses and anisotropy

Sakura Nishino Takeda, Atsushi Kuwako, Masahiro Nishide, Hiroshi Daimon

PHYSICAL REVIEW B 93(12) 2016年3月査読有り責任著者
Unusual energy separation of subbands in Si(111) p-channels induced by In adsorption

Nur Idayu Ayob, Sakura N. Takeda, Tomohiro Sakata, Masaaki Yoshikawa, Makoto Morita, Hiroshi Daimon

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(6) 2015年6月査読有り責任著者
Structure determination of the clean (001) surface of strained Si on Si1-xGex

Tetsuroh Shirasawa, Sakura Nishino Takeda, Toshio Takahashi

APPLIED PHYSICS LETTERS 106(6) 2015年2月査読有り
歪み結晶の歪み量と電子バンド分散の同時測定を目指したUHVラマン分光の開発

武田さくら, 久米田晴香, 前田昂平, 桃野浩樹, 中尾敏臣, 竹内克行, アルトニアン, 坂田智裕, 大門寛

表面科学 36(9) 474-479 2015年査読有り
Effect of the flash annealing on the impurity distribution and the electronic structure in the inversion layer

Tomohiro Sakata, Sakura N. Takeda, Nur Idayu Ayob, Hiroshi Daimon

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 13 75-78 2015年査読有り
Lattice distortion of porous Si by Li absorption using two-dimensional photoelectron diffraction

El Said A. Nouh, Sakura N. Takeda, Fumihiko Matsui, Ken Hattori, Tomohiro Sakata, Naoyuki Maejima, Hirosuke Matsui, Hiroyuki Matsuda, Tomohiro Matsushita, Laszlo Toth …

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE 49(1) 35-42 2014年1月査読有り
System to measure accurate temperature dependence of electric conductivity down to 20 K in ultrahigh vacuum

Chikako Sakai, Sakura Nishino Takeda, Hiroshi Daimon

Review of Scientific Instruments 84 075103-1-075103-6 2013年査読有り
Formation of step-state bands on Si(111) √3×√3-Ag vicinal surfaces

H. Minoda, H. Yazawa, M. Morita, S. N. Takeda, H. Daimon

Phys. Rev. B 83(3) 035419 2011年1月査読有り
Effect of surface carrier concentration on valence subbands in Si(111) p-type inversion layers: Angle-resolved photoemission spectroscopy

Sakura Nishino Takeda, Naoto Higashi, Hiroshi Daimon

PHYSICAL REVIEW B 82(3) 2010年7月査読有り
Hole subband dispersion in space charge layers under Pb/Si(001) surfaces measured by angle-resolved photoelectron spectroscopy

Yohei Tanigawa, Sakura Nishino Takeda, Makoto Morita, Takuya Ohsugi, Yukako Kato, Hiroshi Daimon, Masaki Yoshimaru, Takeshi Imamura

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 7 641-648 2009年5月23日査読有り
Observation of multi-step ordering of Bi adsorbed on the Si(111)7×7 structure by RHEED and STM

Yohei Ohnishi, Sakura N. Takeda, Masaaki Yoshikawa, Hiroshi Daimon, Chikako Sakai

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 6 291-295 2008年12月20日査読有り
ARPES measurements on Si(111) hole subband induced by Pb and Ga adsorption

M. Morita, S. N. Takeda, M. Yoshikawa, A. Kuwako, Y. Kato, H. Daimon

APPLIED SURFACE SCIENCE 254(23) 7872-7876 2008年9月査読有り
Si反転層中のホールサブバンド分散(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

武田さくら, 森田誠, 大杉拓也, 谷川洋平, 大門寛

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 108(80) 13-16 2008年6月2日
Fermi energy band dispersion and orbital symmetry of Bi2Sr2CaCu2Oy studied by non-polarized-light two-dimensional photoelectron spectroscopy

Chikako Sakai, Fumihiko Matsui, Nobuaki Takahashi, Sakura Nishino Takeda, Hiroshi Daimon

PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS 467(1-2) 43-50 2007年12月査読有り
Total analysis of surface structure and properties by UHV transfer system

Hiroshi Yamatani, Ken Hattori, Takahisa Matsuta, Takuji Ito, Tomohito Nohno, Madoka Hori, Yutaka Miyatake, Shigenori Konno, Tsukasa Tanaka, Yoji Hamada …

SURFACE SCIENCE 601(22) 5284-5288 2007年11月査読有り

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主要な講演・口頭発表等

193

シリコン表面直下領域の価電子状態：実測と理解、デバイス応用

武田さくら

物質科学＆デバイス物理研究会 2023年3月10日招待有り
シリコン空間電荷層の電子状態―明らかになったこととこれからー

武田さくら

日本表面真空学会関東支部セミナー表面科学と原子層科学のエッジ招待有り
光電子分光が明らかにするブロッホ電子の量子井戸中での量子化機構

武田さくら

日本表面真空学会 2019年度関東支部講演大会 2019年4月13日招待有り
量子井戸中でブロッホ波が量子化される仕組み

武田さくら

第1回日本表面真空学会若手研究会第4回放射光学会若手有志研究会 2018年11月9日招待有り
量子化と歪みでシリコンはどこまで変わるのか？-基礎物性の立場から-

武田さくら

第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月13日招待有り
Direct measurement of hole effective masses in semiconductor p-channels using ARPES

武田さくら

14th Europian Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA, UK) 2011年9月5日招待有り
Measurement of subband dispersion in Si p-type inversion layer

武田さくら

SISPAD 2008年9月8日招待有り
Si反転層中のホールサブバンド分散

武田さくら

応用物理学会シリコンテクノロジー分科会共催電子情報通信学会シリコン材料デバイス研究会(SDM) 2008年6月9日招待有り

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MISC

Si(111)-Li表面の新しい相図と初期吸着構造

橋村詩織, 武田さくら, 大門寛

表面科学学術講演会要旨集 31 50-50 2011年
Si(111)上へのNa,Mg吸着初期過程のリアルタイムモニタリング

武田さくら, 松田和久, 島和也, 安井伸太郎, 酒井智香子, 桑子敦, 大門寛

日本物理学会講演概要集 63(2) 2008年

所属学協会

2012年 - 現在

米国電気電子学会 (IEEE)
2007年 - 現在

日本放射光学会
2006年 - 現在

日本表面真空学会
2003年 - 現在

応用物理学会
1996年 - 現在

日本物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

光電子分光と発光分光を駆使したIV族半導体表面直下の電子状態の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2022年4月 - 2025年3月

武田さくら
半導体中不純物の3D構造制御と低損失・高効率デバイスの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 新学術領域研究(研究領域提案型) 2014年7月 - 2019年3月

筒井一生, 武田さくら, 若林整, 角嶋邦之, 佐藤信太郎, 森大輔, 星井拓也, 岩井洋, 川村朋晃
歪み半導体の表面近傍における歪み量と価電子構造の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2012年4月 - 2015年3月

武田さくら, 高橋敏男, 白澤徹朗
Ｓｉ，Ｇｅ表面反転層サブバンド構造の異方性と歪みによる物性制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2010年4月 - 2014年3月

稲岡毅, 武田さくら, 柳澤将
ひずみ印加によるpチャンネル中サブバンドの面内有効質量の変化の計測

半導体理工学研究センター(STARC) STARC共同研究 2008年 - 2010年

武田さくら
強い電子相関をもつ表面超構造の電子状態の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2007年 - 2009年

武田さくら
超薄膜銀蒸着シリコン(111)表面への活性ガスの吸着脱離

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2000年 - 2001年

服部賢, 松井文彦, 武田さくら
二次元光電子分光と電子物性

日本学術振興会科学研究費助成事業特別推進研究特別推進研究 1998年 - 2001年

大門寛, 松井文彦, 武田さくら, 服部賢

武田さくら

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

委員歴

受賞

論文

主要な講演・口頭発表等

MISC

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

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