光学定数を評価するには正確な反射率評価が必要である。重要なことは、高次光除去、偏光制御、散乱成分除去である。この中で高次光制御機構と、偏光制御機構を開発し、正確な光学定数評価が可能なビームラインを構築した。特に、フォトレジストの吸収係数は、レジスト開発の重要なパラメーターとなってきており、透過法と反射法での測定値を比較した。また、EUV領域でよく用いられるSi, Mo, Zr, Si3N4, TaNの光学定数を測定した。さらに、フォトレジストの炭素K吸収端の共鳴吸収領域にて、反射法にて光学定数を測定し、全電子収量法で測定したスペクトルと比較した。